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公开(公告)号：CN111800140A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN202010575309.9
申请日：2020-06-22
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于集成电路与材料技术领域，具体为一种应用于柔性材料的具有校正功能的8位数模转换器。本发明电路结构包括偏置电路、电流源阵列以及校准电路模块。本发明中的电路使用柔性材料制作，通过加入校准电路来改善数模转换器输出结果的线性度。不同的数字输入控制开关阵列的通断，进而控制流过电阻的电流值，输出相应的模拟信号。N型晶体管用作电流源，不同的支路之间管子数目成二进制比例关系，从而输出相对应的电流。柔性材料与集成电路相结合的方式特别适用于人体可穿戴电子设备领域使用。
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公开(公告)号：CN111756380A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010577613.7
申请日：2020-06-23
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体为一种共享桥接电容阵列的两步式逐次逼近型模数转换器。本发明的模数转换器包括：一个粗精度子模数转换器，一个细精度子模数转换器，两者共享桥接电容阵列；粗精度子模数转换器在完成自身功能的同时，还被共享复用为细精度模数转换器的一部分。采用桥接电容结构，可节省大量面积；本发明将桥接电容的模数转换器和两步式模数转换器结合，将桥接电容阵列同时用作两步式模数转换器的粗精度DAC和细精度DAC，使结构带来高速、比较器功耗低等益处的同时，不需要增加额外的面积。
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公开(公告)号：CN109491434B
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201811616031.4
申请日：2018-12-27
Applicant: 复旦大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体为一种应用于5G基站的CMOS集成电路带隙基准源。本发明电路结构包括带隙基准核心模块、带隙基准补偿模块、电压电流转换模块以及启动电路模块；带隙基准核心模块、带隙基准补偿模块、电压电流转换模块通过PMOS晶体管的栅端电压偏置连接构成带隙基准源的核心电路。本发明通过加入NMOS晶体管和电阻来提高带隙基准的精度。该带隙基准源在室温下输出1.2V的电压，且具有较低的温度系数和较高的电源抑制比；由晶体管和电阻组成的混合高阶矫正网络，使得该电路在超过120度的温度下仍然具有很好的线性度，特别适合用作5G基站的CMOS集成电路带隙基准源。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109782361A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201910022283.2
申请日：2019-01-10
Applicant: 复旦大学
IPC: G01V3/12
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体为一种应用于毫米波无源成像的高增益接收机。本发明采用一种超可再生的接收机电路，该电路结构包括：输入匹配网络，变压器匹配网络，一个包络检波器，变压器匹配网络中包括差分晶体管对。本发明可用于无源成像系统。相比于传统的无源毫米波成像系统，本发明提出的高增益接收机可以实现超宽带的电磁波能量采集和100dB的增益，通过动态的调节包络检波器的偏置电压，可以实现动态的调节其接收机的接收范围。本发明采用砷化镓0.15um的工艺，实现了从80GHz到100GHz的无源成像。接收机的噪声系数仅为1.5dB，接收机的增益为100dB，动态范围为60dB，本发明彻底克服了工艺误差、温度漂移带来的带宽变化的问题。
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公开(公告)号：CN109491434A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201811616031.4
申请日：2018-12-27
Applicant: 复旦大学
IPC: G05F1/56
CPC classification number: G05F1/561
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体为一种应用于5G基站的CMOS集成电路带隙基准源。本发明电路结构包括带隙基准核心模块、带隙基准补偿模块、电压电流转换模块以及启动电路模块；带隙基准核心模块、带隙基准补偿模块、电压电流转换模块通过PMOS晶体管的栅端电压偏置连接构成带隙基准源的核心电路。本发明通过加入NMOS晶体管和电阻来提高带隙基准的精度。该带隙基准源在室温下输出1.2V的电压，且具有较低的温度系数和较高的电源抑制比；由晶体管和电阻组成的混合高阶矫正网络，使得该电路在超过120度的温度下仍然具有很好的线性度，特别适合用作5G基站的CMOS集成电路带隙基准源。
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公开(公告)号：CN109782361B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201910022283.2
申请日：2019-01-10
Applicant: 复旦大学
IPC: G01V3/12
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体为一种应用于毫米波无源成像的高增益接收机。本发明采用一种超可再生的接收机电路，该电路结构包括：输入匹配网络，变压器匹配网络，一个包络检波器，变压器匹配网络中包括差分晶体管对。本发明可用于无源成像系统。相比于传统的无源毫米波成像系统，本发明提出的高增益接收机可以实现超宽带的电磁波能量采集和100dB的增益，通过动态的调节包络检波器的偏置电压，可以实现动态的调节其接收机的接收范围。本发明采用砷化镓0.15um的工艺，实现了从80GHz到100GHz的无源成像。接收机的噪声系数仅为1.5dB，接收机的增益为100dB，动态范围为60dB，本发明彻底克服了工艺误差、温度漂移带来的带宽变化的问题。
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公开(公告)号：CN111756366A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010576619.2
申请日：2020-06-22
Applicant: 复旦大学
IPC: H03K19/0185 , H03M1/12
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体为一种应用于高速ADC前端的CMOS输入信号缓冲器。本发明电路结构包括两路差分源跟随结构的输入缓冲器、共模反馈电路模块以及偏置电路模块。本发明可确保源跟随器有稳定的共模输出；避免深亚微米CMOS工艺下的沟长调制效应；N型晶体管采用深N阱器件以消除衬偏调置效应。本发明还使用输出阻抗较大的共源共栅电流源为输入晶体管提供偏置电流以缓解由于输入信号变化导致的输出信号非线性。该缓冲器用于ADC电路中可以起到改善线性度，隔离输入信号和后级电路的作用，即便在较高频率的输入信号时也有很好的线性度，特别适合用在高速ADC的前端缓冲电路中。
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