公开(公告)号：CN106026924A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610309967.7

申请日：2016-05-11

Applicant: 复旦大学

Inventor： 任俊彦 ,  陈汧 ,  马顺利 ,  魏东

IPC: H03B19/14 ,  H03B5/12 ,  A61B5/00

CPC classification number: H03B19/14 ,  A61B5/00 ,  H03B5/1206

Abstract: 本发明属于太赫兹波CMOS集成电路设计领域，具体为一种应用于生物成像的太赫兹波CMOS注入锁定倍频器。该电路由两对双推注入对管和一个交叉耦合振荡器共用尾电流源组成。双推注入对管的正交输入采用电容交流方式耦合，栅极偏置电压设置可调，通过调节双推注入对管的偏置可以获得最大的转换增益和锁定范围。倍频器工作中心频率在100GHz左右。驱动容性负载时，该注入锁定倍频器能以较低功耗实现宽的频率锁定范围和较高转换增益，彻底克服工艺误差、温度漂移带来的锁定范围变化，中心频率浮动和输出摆幅偏低等影响。

公开(公告)号：CN106026920A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610309966.2

申请日：2016-05-11

Applicant: 复旦大学

Inventor： 任俊彦 ,  魏东 ,  马顺利 ,  陈汧

IPC: H03B5/12 ,  A61B5/00

CPC classification number: H03B5/1206 ,  A61B5/00

Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种应用于太赫兹皮肤成像领域的CMOS集成电路太赫兹检测器。本发明采用了一种超可再生的接收机电路，该电路结构包括一个低噪声放大器，一组振荡器和一组包络检波电路。太赫兹波注入低噪声放大器采用电容交流方式耦合，栅极偏置电压设置可调，通过调节注入对管的偏置可以获得最大的转换增益。包络检波输出一个正相关于输入信号强度的电压信号，该注入实现300GHz到400GHz接近‑80dBm的灵敏度，转换增益最高可达57dB，整体功耗不超过8 mW。本发明彻底克服了工艺误差、温度漂移带来的锁定范围变化以及中心频率浮动和输出摆幅偏低等影响，使得能够应用于高性能太赫兹检测器中。

公开(公告)号：CN106026921B

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201610318871.7

申请日：2016-05-14

Applicant: 复旦大学

Inventor： 任俊彦 ,  马顺利 ,  魏东 ,  陈汧

IPC: H03B5/12 ,  H03B19/14 ,  A61B5/00

Abstract: 本发明属于太赫兹CMOS生物成像技术领域，具体为应用于太赫兹皮肤成像领域的CMOS集成电路太赫兹源。本发明采用一种新型的四倍频注入锁定结构实现宽锁定范围和高转换增益倍频。该电路包括8个交叉耦合振荡器和4个倍频器；双推注入对管的正交输入采用电容交流方式耦合，栅极偏置电压设置可调，通过调节双推注入对管的偏置可以获得最大的转换增益和锁定范围。驱动电容负载时，该注入锁定倍频器可以实现300GHz到400GHz接近60%的锁定范围，转换增益最高可达7dB，整体功耗不超过18 mW，彻底克服工艺误差、温度漂移带来的锁定范围变化，中心频率浮动和输出摆幅偏低等影响。

公开(公告)号：CN106026920B

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201610309966.2

申请日：2016-05-11

Applicant: 复旦大学

Inventor： 任俊彦 ,  魏东 ,  马顺利 ,  陈汧

IPC: H03B5/12 ,  A61B5/00

Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种应用于太赫兹皮肤成像领域的CMOS集成电路太赫兹检测器。本发明采用了一种超可再生的接收机电路，该电路结构包括一个低噪声放大器，一组振荡器和一组包络检波电路。太赫兹波注入低噪声放大器采用电容交流方式耦合，栅极偏置电压设置可调，通过调节注入对管的偏置可以获得最大的转换增益。包络检波输出一个正相关于输入信号强度的电压信号，该注入实现300GHz到400GHz接近‑80dBm的灵敏度，转换增益最高可达57dB，整体功耗不超过8 mW。本发明彻底克服了工艺误差、温度漂移带来的锁定范围变化以及中心频率浮动和输出摆幅偏低等影响，使得能够应用于高性能太赫兹检测器中。

公开(公告)号：CN106026921A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610318871.7

申请日：2016-05-14

Applicant: 复旦大学

Inventor： 任俊彦 ,  马顺利 ,  魏东 ,  陈汧

IPC: H03B5/12 ,  H03B19/14 ,  A61B5/00

CPC classification number: H03B5/1206 ,  A61B5/00 ,  H03B19/14

Abstract: 本发明属于太赫兹CMOS生物成像技术领域，具体为应用于太赫兹皮肤成像领域的CMOS集成电路太赫兹源。本发明采用一种新型的四倍频注入锁定结构实现宽锁定范围和高转换增益倍频。该电路包括8个交叉耦合振荡器和4个倍频器；双推注入对管的正交输入采用电容交流方式耦合，栅极偏置电压设置可调，通过调节双推注入对管的偏置可以获得最大的转换增益和锁定范围。驱动电容负载时，该注入锁定倍频器可以实现300GHz到400GHz接近60%的锁定范围，转换增益最高可达7dB，整体功耗不超过18 mW，彻底克服工艺误差、温度漂移带来的锁定范围变化，中心频率浮动和输出摆幅偏低等影响。