公开(公告)号：CN1696679A

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN200510025784.4

申请日：2005-05-12

Applicant: 复旦大学

Inventor： 刘全 ,  黄宜平 ,  谢海芬 ,  杨秋冬

IPC: G01N27/00 ,  B01J20/34 ,  G05D13/00

Abstract: 本发明属气体传感器技术领域，具体为一种特高频气体检测传感器的超声场气体脱附方法及其调控单元。该方法是对气体传感器的敏感膜施加20KHz～1MHz的超声交变电场，使气体的极性分子去极化，同时通入N2将气体分子带走。相应的调控单元包括超声场发生器、超声场极板和供电电源三部分。本发明对吸附气体脱附的效率高、速度快，可适用各种气体的脱附。

公开(公告)号：CN100359322C

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN200510025784.4

申请日：2005-05-12

Applicant: 复旦大学

Inventor： 刘全 ,  黄宜平 ,  谢海芬 ,  杨秋冬

IPC: G01N27/00 ,  B01J20/34 ,  G05D13/00 ,  B01J19/10

Abstract: 本发明属气体传感器技术领域，具体为一种特高频气体检测传感器的超声场气体脱附方法及其调控单元。该方法是对气体传感器的敏感膜施加20KHz～1MHz的超声交变电场，使气体的极性分子去极化，同时通入N2将气体分子带走。相应的调控单元包括超声场发生器、超声场极板和供电电源三部分。本发明对吸附气体脱附的效率高、速度快，可适用各种气体的脱附。

公开(公告)号：CN1315719C

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN200410025231.4

申请日：2004-06-17

Applicant: 复旦大学

Inventor： 黄洪湖 ,  陈声育 ,  周嘉 ,  谢海芬 ,  黄宜平

IPC: B81C1/00 ,  G03F7/00

Abstract: 本发明为一种用于体硅微机械加工的局部光刻中的隔离装置。所述隔离装置由隔离圈和密闭容器和硅片托盘组成，隔离圈将腐蚀液和硅正面隔离。利用本隔离装置结合局部光刻工艺，实现硅背部腐蚀和正面保护。本发明可确保腐蚀液无渗漏，边缘掩膜完好，正面无腐蚀痕迹，大大提高了成品率。

公开(公告)号：CN1594065A

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：CN200410025231.4

申请日：2004-06-17

Applicant: 复旦大学

Inventor： 黄洪湖 ,  陈声育 ,  周嘉 ,  谢海芬 ,  黄宜平

IPC: B81C1/00 ,  G03F7/00

Abstract: 本发明为一种用于体硅微机械加工的局部光刻方法。它利用一个隔离装置结合局部光刻工艺，实现硅背部腐蚀和正面保护。所述隔离装置由隔离圈和密闭容器和硅片托盘组成，隔离圈将腐蚀液和硅正面隔离。本发明可确保腐蚀液无渗漏，边缘掩膜完好，正面无腐蚀痕迹，大大提高了成品率。