用于体硅微机械加工的局部光刻方法

    公开(公告)号:CN1594065A

    公开(公告)日:2005-03-16

    申请号:CN200410025231.4

    申请日:2004-06-17

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明为一种用于体硅微机械加工的局部光刻方法。它利用一个隔离装置结合局部光刻工艺,实现硅背部腐蚀和正面保护。所述隔离装置由隔离圈和密闭容器和硅片托盘组成,隔离圈将腐蚀液和硅正面隔离。本发明可确保腐蚀液无渗漏,边缘掩膜完好,正面无腐蚀痕迹,大大提高了成品率。

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