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公开(公告)号：CN103489962B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201310459051.6
申请日：2013-10-07
Applicant: 复旦大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明属于半导体与纳米材料技术领域，具体为一种大面积制备半导体量子点的方法。本方法采用喷雾的方法将不同的前驱液和清洗溶液分别连续喷到衬底上，由人工或自动控制所需的循环次数，在衬底上制备出量子点。本发明方法简化了量子点的制备工艺，降低了设备成本；制备过程中不同前驱液和清洗液不会在各自的容器中相互污染，提高了材料利用率；由于不需要浸入大面积衬底的容器，衬底大小不受限制，特别适合于太阳电池这类需要大面积衬底的光电子器件；而且量子点只在需要生长的衬底面上生长。另外可以附加衬底加热组件，对某些需要在量子点生长过程中加热或生长结束后退火的产品进行热处理。
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公开(公告)号：CN102127749A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201010022879.1
申请日：2010-01-15
Applicant: 复旦大学
IPC: C23C16/18
Abstract: 本发明公开了一种MOCVD反应设备中的反应器，由气体导入口、反应腔和气体排出口三部分组合而成，包含一层流式MOCVD反应腔，其特征在于，该反应器包括两个基底托盘装置，相对平行设置于该反应腔的气流两侧。该MOCVD反应腔其一端设有气体导入口，另一端设有气体排出口，反应气体从该气体导入口进入该MOCVD反应腔流动到另一端从该气体排出口排出。本发明在相同的加工情况下，将气体的利用率提高了一倍，同时也将生产效率提高了一倍。不仅可用于气流横向流动的横式反应腔，也可以用于气流由边缘向中心流动及中心向边缘流动的反应腔类型。
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公开(公告)号：CN100495552C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200510025786.3
申请日：2005-05-12
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明为一种用于可擦重写短波长光存储的薄膜材料及其制备方法。本发明采用合适的溶剂将K(TCNQ)溶于适配的高分子中后涂于玻璃基片或PC基片上制成含K(TCNQ)的高分子薄膜，并对该薄膜的可逆光致变色光谱和光存储特性进行了研究。该薄膜在365nm和605nm波长处有2个特征吸收峰，可用于红光DVD(波长为650nm)和短波长(波长为405nm)可擦写光存储光盘。用波长为650nm的静态仪测试结果表明：循环次数百次后未见性能劣化，对比度大于25，已达到实用化水平。
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公开(公告)号：CN1263063C
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN03116285.1
申请日：2003-04-10
Applicant: 复旦大学
CPC classification number: B82Y10/00 , C30B23/007 , C30B29/54 , H01J9/025 , H01J2201/30469 , H01J2209/0223
Abstract: 本发明涉及一种可用于平面显示的场致发射纳米材料，具体为Ag和TCNQ按1∶1化学计量比生成的Ag(TCNQ)纳米线。该材料可采用真空条件下的饱和蒸气反应法制备获得，生成的Ag(TCNQ)纳米线(晶须)基本上垂直于基板。为了降低场发射阈值，可在晶须上用常规真空镀膜法，再覆盖一层纳米厚度的金属或氟化锂薄层。
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公开(公告)号：CN1202001C
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN02151236.1
申请日：2002-12-12
Applicant: 复旦大学
IPC: B82B3/00
CPC classification number: B82Y30/00 , H01L51/0051
Abstract: 本发明为一种金属有机配合物Ag(TCNQ)纳米线及其制备的方法。先用常规方法(如真空蒸发，溅射等)在衬底上镀一层纳米厚度的金属Ag薄膜。然后将其与能与之反应的具有一定蒸气压的有机材料TCNQ共同放入一合适的容器中；排气后使容器达到一定真空后将该容器密闭，使其维持在某一反应所需温度下。衬底上原有纳米金属膜融化形成纳米液滴，气相的有机分子与之反应生成固态的金属有机配合物纳米线，形成气-液-固三相共存体系，直至银液滴全部消耗光。生成的金属有机配合物Ag(TCNQ)纳米线基本上垂直于基板。该纳米线具有良好的电双稳特性和场发射特性，应用前景十分广阔。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1182141C
公开(公告)日：2004-12-29
申请号：CN02137111.3
申请日：2002-09-24
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明涉及一种具有微型管状晶体结构的金属有机配合物及其制备方法。用本发明有望制备金属有机配合物纳米管。制备步骤如下：将TCNQ溶入分析纯的乙腈中制成饱和溶液；在清洗好的基板上用真空镀膜方法生长一层金属膜(M)；将金属膜浸入TCNQ的乙腈饱和溶液中2-4秒，可看到基板上慢慢变为蓝色，将基板取出。用扫描电镜可观测到M-TCNQ的微型管状晶体结构。
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公开(公告)号：CN1547012A
公开(公告)日：2004-11-17
申请号：CN200310109224.8
申请日：2003-12-10
Applicant: 复旦大学
IPC: G01N33/22
Abstract: 本发明是一种纳米贮氢材料贮氢量的测量方法。由于纳米材料尺寸小、重量轻，因此现有测量材料贮氢量的方法测量纳米材料时有很大困难及误差。本发明运用真空镀膜中计算机薄膜厚度实时监测系统，测量生长在其石英晶片上的纳米材料的贮氢性能。膜厚监测系统中的石英晶体振荡仪是基于石英晶体微量称(QCM)的基本原理，通过测量待测样品生长过程及贮氢前后其共振频率的改变量，辅以石英晶体初始共振频率的修改，获得了纳米贮氢材料的重量贮氢量。本发明将真空镀膜中实时监测膜厚沉积厚度的石英晶体振荡法运用纳米材料贮氢量的测定，精度高，灵敏度好，获得令人满意的效果。
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公开(公告)号：CN1450580A
公开(公告)日：2003-10-22
申请号：CN03116285.1
申请日：2003-04-10
Applicant: 复旦大学
CPC classification number: B82Y10/00 , C30B23/007 , C30B29/54 , H01J9/025 , H01J2201/30469 , H01J2209/0223
Abstract: 本发明涉及一种可用于平面显示的场致发射纳米材料，具体为Ag和TCNQ按1∶1化学计量比生成的Ag(TCNQ)纳米线。该材料可采用真空条件下的饱和蒸气反应法制备获得，生成的Ag(TCNQ)纳米线(晶須)基本上垂直于基板。为了降低场发射阈值，可在晶須上用常规真空镀膜法，再覆盖一层纳米厚度的金属或氟化锂薄层。
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公开(公告)号：CN1239329A
公开(公告)日：1999-12-22
申请号：CN99109123.X
申请日：1999-06-16
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明是一种超快速相变的有机电双稳器件。它利用通常作为螯合滴定用金属离子指示剂的一批单有机材料，如吡啶－(2－偶氮－4)雷琐辛(PAR)及1－(2－吡啶偶氮)－2－萘酚(PAN)等。这些材料在真空中制成薄膜(厚度约30—100纳米)后，在室温下就具有良好的电双稳特性。当电压达到某一阈值时，薄膜将从高阻态跃迁为低阻态，且电阻率差值很大，可达5—6个数量级；跃迁时间很短，小于10纳秒。可用于制备非易失性一次写入电存储器和超快速、高可靠过电压保护器等开关器件。
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