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公开(公告)号：CN116387154A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310320009.X
申请日：2023-03-29
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/331 , H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/417
Abstract: 本发明公开一种载流子存储沟槽型双极晶体管结构及其制造方法。通过在传统CSTBT器件结构的基础上引入深槽发射极，并在N型掺杂的载流子存储层的下方，沟槽结构底部的外围区域形成P型层，有效解决了传统CSTBT的击穿电压过小、导通功耗大、关断损耗过高等问题。
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