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公开(公告)号：CN119233751A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411730551.3
申请日：2024-11-29
IPC: H10N97/00 , H01L29/94 , H01L21/329 , H01L27/146
Abstract: 本发明提供一种高密度线性电容及其制备方法、图像传感器，包括：提供基础电容结构；在基础电容结构的顶部形成功能柱，以将基础电容结构的顶部分为第一区域和第二区域；在第一区域和第二区域中形成多层堆叠的扩展电容结构。通过在现有的基础电容结构上形成多层堆叠的扩展电容结构，从而有效增加了电容的单位面积电容容量；同时，通过形成功能柱，对扩展电容结构进行支撑，保证了扩展电容结构相对于基础电容结构的稳定性，解决了现有用于图像传感器的电容电容容量较小的问题。
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公开(公告)号：CN119233064B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202411730553.2
申请日：2024-11-29
Abstract: 本发明公开了一种传感器矩阵及图像采集方法、封装结构及封装方法，涉及图像采集技术领域，包括衬底及至少一个图像采集单元，每两个相邻的图像采集单元侧面依次紧密固定连接；依次相邻焊接的图像采集单元分别固定在衬底的一侧并构成图像采集矩阵阵列；各个图像采集单元分别包括至少两个图像传感器，多个图像传感器间的排列方式与图像采集单元的排布方式相同。本发明通过在衬底上焊接固定多个矩阵阵列排布的图像传感器，能够规避传统电子器件机械运动过程中的器件磨损风险，大大降低图像传感器以及与图像传感器所连接的器件损耗，通过降低图像传感器的磨损程度，有利于提高传感器系统的使用寿命和使用可靠性。
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公开(公告)号：CN119233751B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411730551.3
申请日：2024-11-29
Abstract: 本发明提供一种高密度线性电容及其制备方法、图像传感器，包括：提供基础电容结构；在基础电容结构的顶部形成功能柱，以将基础电容结构的顶部分为第一区域和第二区域；在第一区域和第二区域中形成多层堆叠的扩展电容结构。通过在现有的基础电容结构上形成多层堆叠的扩展电容结构，从而有效增加了电容的单位面积电容容量；同时，通过形成功能柱，对扩展电容结构进行支撑，保证了扩展电容结构相对于基础电容结构的稳定性，解决了现有用于图像传感器的电容电容容量较小的问题。
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公开(公告)号：CN119217561A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411730558.5
申请日：2024-11-29
IPC: B28D5/04 , B28D7/04 , B24B27/06 , B24B41/06 , H01L27/146
Abstract: 本发明提供了一种图像传感器制造装置、制造方法及图像传感器，涉及半导体制造技术领域，包括底座、线轴组件和切割线，底座的顶部固定有电机箱；线轴组件包括分别与电机箱输出端连接的放线轴、驱动轴、张紧结构、辅助轴和收线轴；线轴组件还包括导向轴，导向轴的底部焊接有能够使切割线的缠绕方向发生变化的转向部件；切割线绕经导向轴与辅助轴之间时形成水平切割段和倾斜切割段。本发明能够同时得到多个厚度连续增加的晶柱块，并能减少晶圆受到外力的影响程度，防止晶圆进行后端工艺的加工过程中晶圆发生折断或边缘翘曲的现象，有利于减小晶圆后端工艺的处理难度，保证晶圆出厂的良品率。
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公开(公告)号：CN118695126A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410738642.5
申请日：2024-06-07
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
Abstract: 本发明提供一种面阵传感器及其信号读出方法，包括：像素模块，包括多个呈阵列排布的像素单元；驱动模块，用于利用输出的选通信号控制所述像素模块中所述像素单元的读出；配置模块，用于根据预设的配置条件发送使能信号至所述驱动模块，以控制所述驱动模块选择读出的像素单元。通过配置模块根据配置条件发送使能信号，并通过驱动模块根据使能信号生成选通信号来控制像素单元的读出，使得无需读出的像素单元不会输出模拟信号，即能够只对感兴趣区域的像素单元的模拟信号进行读出，提高了图像处理效率，进而能够满足图像处理需求，解决了现有面阵传感器无法满足图像高速处理需求的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104184456A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201410388766.1
申请日：2014-08-10
Applicant: 复旦大学
IPC: H03K19/0175
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种用于IO接口的低频多相位差分时钟树型高速低功耗串行器。该串行器由采样电路、门级逻辑电路和缓冲器构成；采样电路采用D型上升沿触发器实现；门级逻辑电路采用与非门、或非门实现；缓冲器采用两级反相器串联实现。本发明高速串行器采用低频时钟并且避免了传统高速串行器采用的较多D型触发器，从而有效降低功耗；采样电路为门级逻辑电路将并行数据依次锁存为串行数据提供至少一个比特宽度的裕量，以减小串行输出数据的误码率；门级逻辑电路中的每个与非门、或非门的输出寄生电容较小，使串行输出数据速率大为提高。
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公开(公告)号：CN118687606A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410705020.2
申请日：2024-05-31
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明提供了模拟测试电路、检测系统和光电传感器，该电路包括：参考源模块，用于产生参考电压；分压可调模块，用于对第一电压进行分压，并输出第一分压电压，所述分压可调模块包括电压调节单元，所述电压调节单元用于对所述第一分压电压进行调节；误差输出模块，用于根据所述第一分压电压和所述参考电压之差输出第一电流。本发明的技术方案通过电压调节单元对第一分压电压进行调节，实现对所述第一电流的调节，提高了所述第一电流的输出范围，从而使所述模拟测试电路能应用于不同电流需求的测试场景。
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公开(公告)号：CN119233065B
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411730556.6
申请日：2024-11-29
Abstract: 本发明提供了一种图像传感器矩阵、电子设备及成像方法，涉及图像采集技术领域，包括衬底层和至少一个图像采集单元，所述图像采集单元分别焊接固定在所述衬底层上，各个所述图像采集单元分别包括至少两个图像传感器；各个所述图像传感器的景深范围分别位于互相独立的区域内；相邻所述图像采集单元在同一水平投影面上紧密排布；各个所述图像传感器距离镜头的排列高度依次呈阶梯状递进分布。本发明通过将各个图像传感器间的景深宽度依次进行首尾相接的连续排布，能够获得被摄目标清晰成像的最大景深距离，同时配合图像融合技术，有利于满足对被摄目标物体进行远距离或超远距离的拍摄需求。
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公开(公告)号：CN119233065A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411730556.6
申请日：2024-11-29
Abstract: 本发明提供了一种图像传感器矩阵、电子设备及成像方法，涉及图像采集技术领域，包括衬底层和至少一个图像采集单元，所述图像采集单元分别焊接固定在所述衬底层上，各个所述图像采集单元分别包括至少两个图像传感器；各个所述图像传感器的景深范围分别位于互相独立的区域内；相邻所述图像采集单元在同一水平投影面上紧密排布；各个所述图像传感器距离镜头的排列高度依次呈阶梯状递进分布。本发明通过将各个图像传感器间的景深宽度依次进行首尾相接的连续排布，能够获得被摄目标清晰成像的最大景深距离，同时配合图像融合技术，有利于满足对被摄目标物体进行远距离或超远距离的拍摄需求。
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公开(公告)号：CN119233064A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411730553.2
申请日：2024-11-29
IPC: H04N23/54 , H04N23/55 , H04N25/70 , H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种传感器矩阵及图像采集方法、封装结构及封装方法，涉及图像采集技术领域，包括衬底及至少一个图像采集单元，每两个相邻的图像采集单元侧面依次紧密固定连接；依次相邻焊接的图像采集单元分别固定在衬底的一侧并构成图像采集矩阵阵列；各个图像采集单元分别包括至少两个图像传感器，多个图像传感器间的排列方式与图像采集单元的排布方式相同。本发明通过在衬底上焊接固定多个矩阵阵列排布的图像传感器，能够规避传统电子器件机械运动过程中的器件磨损风险，大大降低图像传感器以及与图像传感器所连接的器件损耗，通过降低图像传感器的磨损程度，有利于提高传感器系统的使用寿命和使用可靠性。
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