公开(公告)号：CN112397289A

公开(公告)日：2021-02-23

申请号：CN201911120017.X

申请日：2019-11-15

Applicant: 复旦大学

Inventor： 周盛锐 ,  徐玲 ,  杨颖琳

IPC: H01F27/28 ,  H01F27/30 ,  H01F41/00 ,  H01F41/18 ,  H01F41/22

Abstract: 本发明公开了一种新型MEMS高Q值非螺线管集成电感及其制备方法，该集成电感包含：硅基体；嵌设在所述硅基体内的TSV微铜柱，其两端分别露出，该TSV微铜柱包含：中心端口铜柱、内侧微铜柱组、第一外侧微铜柱组及第二外侧微铜柱组；第一表层互连线圈，其包含顶部表层互连线圈、底部表层互连线圈；外表层互连铜柱；及，第二表层互连线圈，其包含顶部外表层互连线圈、底部外表层互连线圈。本发明采用改良的嵌入式非螺线管集成方案，通过低温氧化层隔离电感和硅衬底，降低衬底损耗，并通过绝缘材料支撑非螺线管结构表层互连线圈，在较小的面积内嵌入式集成多匝线圈，最终形成损耗低、杂散寄生电容小、具有高Q值的微型集成电感,同时与封装工艺兼容、机械稳定。

公开(公告)号：CN109599489A

公开(公告)日：2019-04-09

申请号：CN201811186644.9

申请日：2018-10-12

Applicant: 复旦大学

Inventor： 徐玲 ,  周盛锐 ,  卢基存 ,  杨颖琳 ,  史传进

IPC: H01L49/02

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为基于MEMS工艺的高Q值三维螺旋结构集成电感及其制作方法。本发明的三维螺旋结构集成电感包括硅基体、基层绝缘层、螺旋线圈、螺旋线圈间支撑物；所述基层绝缘层用于隔离电感螺旋线圈与硅基体，螺旋线圈通过线圈间绝缘层中的柱状金属形成电气连接。本发明采用改良的三维垂直集成方案，通过基层绝缘层隔离电感和硅衬底，降低衬底损耗，并通过绝缘材料支撑垂直螺旋结构，在较小的面积内向上垂直集成多层线圈，最终形成损耗低、杂散寄生电容小、具有高Q值、同时与封装工艺兼容、机械稳定的微型集成电感。

公开(公告)号：CN105447720A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201510886478.3

申请日：2015-12-07

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王肖 ,  张怡云 ,  吕良剑 ,  杨颖琳 ,  史传进

IPC: G06Q30/02

CPC classification number: G06Q30/02 ,  G06Q30/0251 ,  G06Q30/0282

Abstract: 本发明属于生物用品技术领域，具体为一种基于智能ID的衣物生态圈系统。本系统包括了衣物身份智能ID，衣物生产系统，智能销售系统，智能洗护系统和衣物回收系统。所述衣物身份智能ID与衣物配套生产，每一衣物设有一个ID；所述智能销售系统设有ID读取装置，能够在可读取范围内向用户推送广告及搭配建议，同时获取销售反馈信息；所述智能洗护系统设有ID读取装置，能够向用户提供洗护建议并自行执行洗护操作。本系统可以实现用户与衣物、销售与衣物、厂商与衣物全生命周期的交互，全面有效地改善用户对衣物的穿着及洗护体验、销售及厂商的跟踪渠道。

公开(公告)号：CN110957228A

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：CN201911141276.0

申请日：2019-11-20

Applicant: 复旦大学

Inventor： 徐玲 ,  周盛锐 ,  杨颖琳 ,  史传进

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/373 ,  H01L23/14

Abstract: 本发明属于电子封装技术领域，具体为一种碳化硅表面增强的铝散热基板及制造方法。本发明将纳米碳化硅陶瓷颗粒均匀铺洒在铝基板表面，采用激光束或电子束对纳米碳化硅陶瓷颗粒进行烧结，形成的碳化硅层均匀覆盖在铝基板表面；界面处纳米碳化硅颗粒渗入铝材料表层，形成牢固的界面连接。本发明通过碳化硅增强的方法降低了铝散热基板整体热膨胀系数，提高硬度和强度，降低翘曲，减少热疲劳失效和裂纹的产生及扩展，提高了铝散热基板的热机械性能，应用于电子封装领域，可提高半导体器件可靠性。

公开(公告)号：CN112397289B

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN201911120017.X

申请日：2019-11-15

Applicant: 复旦大学

Inventor： 周盛锐 ,  徐玲 ,  杨颖琳

IPC: H01F27/28 ,  H01F27/30 ,  H01F41/00 ,  H01F41/18 ,  H01F41/22

Abstract: 本发明公开了一种新型MEMS高Q值非螺线管集成电感及其制备方法，该集成电感包含：硅基体；嵌设在所述硅基体内的TSV微铜柱，其两端分别露出，该TSV微铜柱包含：中心端口铜柱、内侧微铜柱组、第一外侧微铜柱组及第二外侧微铜柱组；第一表层互连线圈，其包含顶部表层互连线圈、底部表层互连线圈；外表层互连铜柱；及，第二表层互连线圈，其包含顶部外表层互连线圈、底部外表层互连线圈。本发明采用改良的嵌入式非螺线管集成方案，通过低温氧化层隔离电感和硅衬底，降低衬底损耗，并通过绝缘材料支撑非螺线管结构表层互连线圈，在较小的面积内嵌入式集成多匝线圈，最终形成损耗低、杂散寄生电容小、具有高Q值的微型集成电感,同时与封装工艺兼容、机械稳定。