公开(公告)号：CN110600498A

公开(公告)日：2019-12-20

申请号：CN201910771619.5

申请日：2019-08-21

Applicant: 复旦大学

Inventor： 熊诗圣 ,  姜琴 ,  李冬雪 ,  杨晓敏

IPC: H01L27/24

Abstract: 本发明属于半导体器件制备技术领域，具体为一种忆阻器十字交叉阵列的制备方法。本发明采用10nm及以下节点的导向自组装光刻技术在衬底上制备忆阻器交叉电极并以此定义氧化物功能层的特征尺寸，其中嵌段共聚物是由化学性质不同的两种及两种以上的单体聚合而成；使用热退火或者溶剂蒸汽退火法达到热平衡态，形成纳米层状结构；使用原子层沉积技术选择性地将金属氧化物渗透到极性嵌段中去，以产生一个硬掩模，增加刻蚀对比度；然后通过干法刻蚀转移到衬底的顶层硅；再采用串联自组装工艺来实现两层光栅结构的垂直交叉，接着制备忆阻器十字交叉结构中的顶部和底部电极阵列，再通过溶脱工艺，制作出迄今为止最大规模的器件阵列。

公开(公告)号：CN110556297A

公开(公告)日：2019-12-10

申请号：CN201910712619.8

申请日：2019-08-02

Applicant: 复旦大学

Inventor： 熊诗圣 ,  姜琴 ,  李冬雪

IPC: H01L21/336

Abstract: 本发明属于集成电路制造技术领域，具体为一种10纳米以下硅基鳍式场效应晶体管的制备方法。本发明采用嵌段共聚物导向自组装材料在衬底上制备硅基鳍式场效应晶体管，该硅基鳍式场效应晶体管阵列临界尺寸为10nm以下；衬底为绝缘层上硅(SOI)，嵌段共聚物导向自组装材料为具有两种或两种以上不同单体聚合的嵌段共聚物，嵌段共聚物满足χN≥10，N为嵌段共聚物的总聚合度，χ为各嵌段之间的弗洛里-哈金斯相互作用参数；本发明通过嵌段共聚物的导向自组装技术先形成原始图案，然后通过刻蚀转移到衬底的顶层硅，通过这种光刻技术得到的器件最小临界尺寸可以达到8 nm，并表现出高的跨导,极低的关电流和高的开关比。