一种碳镍纳米棒薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN107267927A

    公开(公告)日:2017-10-20

    申请号:CN201710444800.6

    申请日:2017-06-14

    Applicant: 复旦大学

    CPC classification number: C23C14/28 C23C14/0605 C23C14/18 C23C14/5806

    Abstract: 本发明属薄膜制备技术领域,具体为一种碳镍纳米棒薄膜的制备方法。本发明采用脉冲激光沉积方法在石英衬底上沉积一层Ni/C双层膜,然后通过热退火工艺在管式退火炉中进行后处理得到碳镍纳米棒薄膜材料。利用脉冲激光沉积方法在石英衬底上制备得到致密的Ni/C双层膜,热退火可以实现纳米棒材料的生长成型。合成的碳镍纳米棒薄膜的主要成分为NiCx,顶端伴随一定Ni含量的纳米颗粒。本发明制备成碳镍纳米棒薄膜具有良好的导电性能,具有可见光区高透过率的结构,可以在太阳能电池领域加以应用,成为一种新型透明电极材料。

    等离子体溅射反应沉积制备石墨相氮化碳纳米锥阵列的方法

    公开(公告)号:CN107352518A

    公开(公告)日:2017-11-17

    申请号:CN201710603344.5

    申请日:2017-07-22

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明属于纳米薄膜制备技术领域,具体为一种等离子体溅射反应沉积制备氮化碳纳米锥的方法。本方法利用一台辉光放电装置来分解前驱气体甲烷、氮气和氢气,出射等离子体由高密度的碳氢活性基团,碳氮活性基团,氮气分子,氮气分子离子,氢原子和碳二分子构成。制备过程包括:采用脉冲激光沉积方法,在光滑衬底材料表面沉积镍膜;采用等离子体溅射反应沉积方法,利用辉光放电装置,将覆盖镍膜的衬底转移到放电室中;将甲烷/氮氢气混合气体通入放电室,启动辉光放电,通过调节放电电流与放电电压,控制沉积g-C3N4纳米锥的锐度。合成的纳米锥由垂直基底的底部直径为200-1000纳米,长径比2:1-5:1的纳米级锥尖阵列构成,锥体主要是石墨相C3N4结构。

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