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公开(公告)号：CN102355258B
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN201110220636.3
申请日：2011-08-03
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于射频无线接收机集成电路技术领域，具体为一种基于注入锁定倍频器的低相噪正交压控振荡器，可应用于无线接收机集成电路中。该正交压控振荡器由两个工作在基频f0的压控振荡器，两对耦合管和一个工作在两倍频2f0的压控振荡器构成。其中耦合管和工作频率为2f0的压控振荡器一起组成了注入锁定倍频器。本发明中，相位噪声是由工作频率为f0的差分压控振荡器决定的，相位误差是由注入锁定倍频器决定的。同传统的正交压控振荡器不同，该正交压控振荡器中不存在相位噪声和相位误差的折衷关系，可以在保证高相位精度的前提下实现低相位噪声。
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公开(公告)号：CN102354240A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201110207946.1
申请日：2011-07-25
Applicant: 复旦大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明属于射频集成电路技术领域，具体为一种可拓展高频带宽电路结构。该电路由共栅极输入管、负载和电压控制尾电流源阵列组成；电压控制尾电流源阵列的每一列尾电流源均由开关和电流源顺次连接组成；开关的一端接共栅极输入管源极，电流源另一端接地；共栅极输入管的栅极接电压偏置，漏极接负载，源极接输入信号和尾电流源阵列的开关。该结构通过开关控制尾电流源阵列实现对输入寄生电容的有效抑制，并起到拓展高频处带宽的作用。本发明结构简单，面积小，可以实现较高的带宽。
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公开(公告)号：CN102332867A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201110206157.6
申请日：2011-07-22
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于射频集成电路技术领域，具体为一种带有单端电路补偿结构的低噪声放大器。本发明包括输入匹配级、放大级、负载级、反馈级和单端电路补偿级；本发明在单端电路接地点处提供一个反相信号，该反相信号与单端电路提供的信号在芯片内接地处形成一个交流信号虚地点，以最大限度消除片外非理想因素对片内单端电路的影响。本发明结构简单，实用性强，可以很好的解决片内单端电路对于片外电源和地非理想因素的敏感问题。
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公开(公告)号：CN101656516A
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200910055221.8
申请日：2009-07-23
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明涉及一种全差分CMOS超宽带低噪声放大器。该低噪声放大器可以应用于3.1～4.8GHz、3.1～10.6GHz的超宽带中，或者900MHz～6GHz的认知无线电射频前端中。它基于共源跨导输入与电阻负反馈结构，由匹配级，放大级、反馈级和负载级组成。其中匹配级使用栅极电感调谐宽带输入阻抗；放大级使用电流复用的共源级NMOS管与PMOS管作为输入端，与它们漏端输出相连接的共栅级NMOS管作为电流跟随器；输入NMOS管栅极与电流跟随器NMOS管漏极之间的NMOS管与电阻构成“电压-电流”型负反馈通路；负载级使用电阻负载。本发明结构简单，占用芯片面积小，增益高，功耗低，能满足宽带通信系统射频前端的要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102332867B
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201110206157.6
申请日：2011-07-22
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于射频集成电路技术领域，具体为一种带有单端电路补偿结构的低噪声放大器。本发明包括输入匹配级、放大级、负载级、反馈级和单端电路补偿级；本发明在单端电路接地点处提供一个反相信号，该反相信号与单端电路提供的信号在芯片内接地处形成一个交流信号虚地点，以最大限度消除片外非理想因素对片内单端电路的影响。本发明结构简单，实用性强，可以很好的解决片内单端电路对于片外电源和地非理想因素的敏感问题。
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公开(公告)号：CN101902242B
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN201010225539.9
申请日：2010-07-14
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于射频无线接收机集成电路技术领域，具体为一种应用于超宽带系统的单端输入差分输出的射频前端电路。它由低噪声放大器（LNA）和正交混频器（Mixer）组成。其中低噪声放大器采用单端输入差分输出结构，由两级构成，以适用于超宽带系统所要求的较大的输入信号范围；正交混频器由I、Q两路构成，且两路公用输入放大管，同时该混频器采用电流注入技术，并且将电流注入管作为输入放大管的一部分以提高混频器性能。LNA和Mixer之间通过一个单位增益缓冲器连接，以减小Mixer较大的输入电容对LNA负载的影响。本发明结构简单，增益可变，功耗低，使用频带宽，且芯片面积小，减少片外元件的使用，便于实现单芯片集成。
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公开(公告)号：CN102355258A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201110220636.3
申请日：2011-08-03
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于射频无线接收机集成电路技术领域，具体为一种基于注入锁定倍频器的低相噪正交压控振荡器，可应用于无线接收机集成电路中。该正交压控振荡器由两个工作在基频f0的压控振荡器，两对耦合管和一个工作在两倍频2f0的压控振荡器构成。其中耦合管和工作频率为2f0的压控振荡器一起组成了注入锁定倍频器。本发明中，相位噪声是由工作频率为f0的差分压控振荡器决定的，相位误差是由注入锁定倍频器决定的。同传统的正交压控振荡器不同，该正交压控振荡器中不存在相位噪声和相位误差的折衷关系，可以在保证高相位精度的前提下实现低相位噪声。
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公开(公告)号：CN101924524A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN201010262100.3
申请日：2010-08-25
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于射频集成电路技术领域，具体为一种带有片上有源Balun的差分CMOS多模低噪声放大器。该低噪声放大器可用于0.5~10.6GHz的多模接收机前端中。它由匹配级、放大级、反馈级和负载级组成第一级放大器，有源片上Balun构成第二级放大器。其中，匹配级使用反馈电感调谐宽带输入阻抗；放大级使用电流复用的共源级NMOS管与PMOS管作为输入端；输入NMOS管栅极与电流跟随器NMOS管漏极之间的NMOS管与电阻构成“电压-电流”型负反馈通路；负载级使用电阻负载。第二级放大器的有源Balun分别使用共源和源跟随器实现Balun的单转双功能。本发明结构简单，占用芯片面积小，功耗低，带宽覆盖范围大，增加电路可实用性。
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