公开(公告)号：CN101840441B

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN200910047730.6

申请日：2009-03-18

Applicant: 复旦大学

Inventor： 任俊彦 ,  傅海鹏 ,  郑仁亮 ,  李巍 ,  李宁

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体为一种用于片上变压器的高频等效电路结构。本发明的电路结构包括：三电感以表示高频电感的自感及互感感值，四电容以表示顶层金属到衬底的氧化层电容，五并联结构以模拟有损耗的衬底，三电阻以表示接触孔的接触电阻，四电容以表示是端口之间两层金属的电容耦合。本发明十分适用于电路设计的使用，可较易的建立片上变压器的模型，具有重要实用价值。

公开(公告)号：CN101840441A

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN200910047730.6

申请日：2009-03-18

Applicant: 复旦大学

Inventor： 任俊彦 ,  傅海鹏 ,  郑仁亮 ,  李巍 ,  李宁

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体为一种用于片上变压器的高频等效电路结构。本发明的电路结构包括：三电感以表示高频电感的自感及互感感值，四电容以表示顶层金属到衬底的氧化层电容，五并联结构以模拟有损耗的衬底，三电阻以表示接触孔的接触电阻，四电容以表示是端口之间两层金属的电容耦合。本发明十分适用于电路设计的使用，可较易的建立片上变压器的模型，具有重要实用价值。

公开(公告)号：CN101656516A

公开(公告)日：2010-02-24

申请号：CN200910055221.8

申请日：2009-07-23

Applicant: 复旦大学

Inventor： 任俊彦 ,  郑仁亮 ,  张楷晨 ,  李巍 ,  叶凡 ,  李宁

IPC: H03F3/19 ,  H03F3/45 ,  H03F1/26 ,  H03F1/42

Abstract: 本发明涉及一种全差分CMOS超宽带低噪声放大器。该低噪声放大器可以应用于3.1～4.8GHz、3.1～10.6GHz的超宽带中，或者900MHz～6GHz的认知无线电射频前端中。它基于共源跨导输入与电阻负反馈结构，由匹配级，放大级、反馈级和负载级组成。其中匹配级使用栅极电感调谐宽带输入阻抗；放大级使用电流复用的共源级NMOS管与PMOS管作为输入端，与它们漏端输出相连接的共栅级NMOS管作为电流跟随器；输入NMOS管栅极与电流跟随器NMOS管漏极之间的NMOS管与电阻构成“电压-电流”型负反馈通路；负载级使用电阻负载。本发明结构简单，占用芯片面积小，增益高，功耗低，能满足宽带通信系统射频前端的要求。

公开(公告)号：CN101840774A

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN200910047729.3

申请日：2009-03-18

Applicant: 复旦大学

Inventor： 任俊彦 ,  傅海鹏 ,  郑仁亮 ,  李巍 ,  李宁

IPC: H01F30/06 ,  H01F27/28 ,  H01L27/00

Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体涉及一种用标准集成电路工艺设计的小面积高性能片上叠层结构的变压器。本发明通过通孔叠层实现变压器的耦合传输，两金属层通过跳层并联，实现变压器两个信号端口的低阻特性和低寄生电容特性，实现高性能而面积小的变压器。本发明的变压器，其叠层并联线圈的插入损耗小于平面螺旋变压器的插入损耗。