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公开(公告)号：CN103472417A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310403114.6
申请日：2013-09-06
Applicant: 复旦大学
IPC: G01R33/12
Abstract: 本发明属于超导体材料技术领域，具体涉及一种基于磁场屏蔽性质的超导相微区检测方法。本发明利用微区磁场强度高灵敏探测器，检测处于均匀外磁场中的超导体样品，在样品处于正常态时，磁场可以穿透样品，而当样品中一些区域从正常态转变为超导态时，该区域将对磁场产生屏蔽，探头检测到的磁场强度将显著下降，由此可以判别样品的局部区域完成了相变。本发明方法可在动态温度、磁场、电流条件下，检测超导体中超导相-正常相微区分布，也可以用于对磁性材料的磁畴、磁化强度检测及成像。
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公开(公告)号：CN102386326B
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN201110309153.0
申请日：2011-10-13
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于阻变式随机存储器技术领域，具体为一种用于高密度阻变存储的氮化铜阻变材料的制备方法。首先在衬底上沉积金属层作为下电极，然后使用磁控溅射设备在金属层上生长氮化铜薄膜，靶材采用高纯铜靶或氮化铜靶；溅射过程中通入高纯氮气（亦可同时通入氩气）作为反应气体；在靶材上施加直流负高压或13.56MHz的射频电压产生辉光放电，电离出氮离子或氩离子轰击靶表面，使靶原子被溅出并在氮离子气氛下化合成铜的氮化物，在磁场诱导下沉积到基片上，形成氮化铜薄层；溅射功率范围为10~200瓦；衬底温度范围为10~200ºC。本发明制备的铜的氮化物可以作为阻变层材料用于高密度阻变式随机存储器中，其制备工艺成熟稳定，阻变薄层电学均匀性好，适合于规模化工业生产。
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公开(公告)号：CN102061438B
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201010540198.4
申请日：2010-11-11
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于电子封装技术领域，具体为一种用加热一氧化碳处理金属表面的方法。该方法通过加热气体对待处理件进行表面处理，其中所述气体为一样化碳，所述待处理件为金属或镀有该金属的制品。本发明还提供用所述方法得到的经表面处理的金属和镀有该经表面处理的金属的制品，以及它们作为引线框架材料的应用。本发明尤其利用加热一氧化碳处理镍金属的表面，经过处理的镍金属的表面与环氧树脂的粘附性能得到大幅提高，从而使以镍金属作为引线框架材料或者在表面镀镍的引线框架材料的稳定性以及防潮性能得到提高，且该方法操作流程简单，成本低廉且易于控制，可以批量处理，不会出现化学腐蚀方法存在的可重复性差的缺陷。
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公开(公告)号：CN102386326A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110309153.0
申请日：2011-10-13
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于阻变式随机存储器技术领域，具体为一种用于高密度阻变存储的氮化铜阻变材料的制备方法。首先在衬底上沉积金属层作为下电极，然后使用磁控溅射设备在金属层上生长氮化铜薄膜，靶材采用高纯铜靶或氮化铜靶；溅射过程中通入高纯氮气（亦可同时通入氩气）作为反应气体；在靶材上施加直流负高压或13.56MHz的射频电压产生辉光放电，电离出氮离子或氩离子轰击靶表面，使靶原子被溅出并在氮离子气氛下化合成铜的氮化物，在磁场诱导下沉积到基片上，形成氮化铜薄层；溅射功率范围为10~200瓦；衬底温度范围为10~200ºC。本发明制备的铜的氮化物可以作为阻变层材料用于高密度阻变式随机存储器中，其制备工艺成熟稳定，阻变薄层电学均匀性好，适合于规模化工业生产。
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公开(公告)号：CN102061437B
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201010540163.0
申请日：2010-11-11
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于电子封装技术领域，具体为一种用加热甲烷处理金属表面方法。包括下述步骤：利用加热气体法对待处理件进行表面处理，其中所述气体为甲烷，所述的待处理件为金属或镀有该金属的制品。本发明还提供了用所述方法得到的经表面处理的金属和镀有该经表面处理的金属的制品，以及它们作为引线框架材料的应用。本发明尤其利用加热甲烷处理镍金属的表面，经过处理的镍金属的表面与环氧树脂的粘附性能得到大幅提高，从而使以镍金属作为引线框架材料或者在表面镀镍的引线框架材料的稳定性以及防潮性能得到提高，且该方法操作流程简单，成本低廉且易于控制，可以批量处理，不会出现化学腐蚀方法存在的可重复性差的缺陷。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101985739A
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：CN201010514606.9
申请日：2010-10-21
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于等离子体技术领域，具体为一种等离子体浸没注入设备的剂量控制系统。该控制系统包括位于离子注入设备内部的信号采集器，外围的信号测量设备以及计算机处理系统。其中信号采集器的设计依据及计算机自动控制系统的算法包含了本发明系统提供的离子注入剂量标定方法。系统通过信号采集器收集离子注入信号，而后通过测量设备测量信号，最后通过计算机系统处理信号获得离子注入信息，并控制等离子体浸没注入设备的工作。本发明系统解决了等离子体浸没注入剂量测定工作的复杂性，从而有效进行离子注入剂量的标定和控制。本发明系统可以在各类等离子体浸没注入的设备中使用。
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公开(公告)号：CN100428495C
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200510111068.8
申请日：2005-12-01
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0296 , H01L29/22 , H01L21/205 , C23C16/448 , C23C16/52
Abstract: 本发明属功能材料技术领域，具体为一种p型/n型氧化锌薄膜及其制备方法。该薄膜的制备过程是：采用硅(100)作为基底，将其在一水平放置的石英管中加热到设定温度，在将盛有醋酸锌的陶瓷舟推入石英管加热，使其挥发分解，利用空气作为载运气体，将醋酸锌蒸汽输运至硅基底，使其分解沉积成膜。此方法制备的ZnO薄膜具有高载流子浓度，低电阻率特性，且可以通过温度控制，选择制备p型或n型薄膜。
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公开(公告)号：CN102061438A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010540198.4
申请日：2010-11-11
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于电子封装技术领域，具体为一种用加热一氧化碳处理金属表面的方法。该方法通过加热气体对待处理件进行表面处理，其中所述气体为一样化碳，所述待处理件为金属或镀有该金属的制品。本发明还提供用所述方法得到的经表面处理的金属和镀有该经表面处理的金属的制品，以及它们作为引线框架材料的应用。本发明尤其利用加热一氧化碳处理镍金属的表面，经过处理的镍金属的表面与环氧树脂的粘附性能得到大幅提高，从而使以镍金属作为引线框架材料或者在表面镀镍的引线框架材料的稳定性以及防潮性能得到提高，且该方法操作流程简单，成本低廉且易于控制，可以批量处理，不会出现化学腐蚀方法存在的可重复性差的缺陷。
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公开(公告)号：CN1812134A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200510111068.8
申请日：2005-12-01
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0296 , H01L29/22 , H01L21/205 , C23C16/448 , C23C16/52
Abstract: 本发明属功能材料技术领域，具体为一种p型/n型氧化锌薄膜及其制备方法。该薄膜的制备过程是：采用硅(100)作为基底，将其在一水平放置的石英管中加热到设定温度，在将盛有醋酸锌的陶瓷舟推入石英管加热，使其挥发分解，利用空气作为载运气体，将醋酸锌蒸汽输运至硅基底，使其分解沉积成膜。此方法制备的ZnO薄膜具有高载流子浓度，低电阻率特性，且可以通过温度控制，选择制备p型或n型薄膜。
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