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公开(公告)号：CN117297682A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311379549.1
申请日：2023-10-23
Applicant: 复旦大学附属中山医院
IPC: A61B17/02
Abstract: 本发明提供了一种可自由组合的皮瓣拉钩，包括底座，底座上设有第一手柄及第二手柄，所述的两手柄上分别可拆卸地设有皮瓣拉钩。属于医疗器械技术领域。与现有技术相比，本发明中的皮瓣拉钩能够根据术者需要自由组合，使用方式灵活，拉钩能够充分暴露术野，提高术野清晰度，利于更好的分离皮瓣，使用本拉钩，每台可以减少1‑2名助手，避免人力资源浪费。
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公开(公告)号：CN101834274B
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201010148279.X
申请日：2010-04-15
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明属于阻变式随机存储器技术领域，具体为一种阻变金属氮化物材料的制备方法。包括在低真空腔体内产生氮等离子体，通过在金属薄膜材料上施加负偏压实现等离子体注入，从而在金属层表层形成金属氮化物薄膜。以这种方法制备的金属氮化物可以作为中间双阻层材料应用于阻变式随机存储器(Resistance Random Access Memory，简称RRAM)元器件，并可以通过控制薄膜中氮离子的浓度和分布，优化器件性能。
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公开(公告)号：CN101974298A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN201010540251.0
申请日：2010-11-11
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于电子封装技术领域，具体为一种用氩等离子体处理金属表面方法。该方法是利用等离子体浸没式离子注入法对待处理件进行表面处理，其中所述等离子体为氩等离子体，所述的待处理件为金属或镀有该金属的制品。本发明还提供用所述方法得到的经表面处理的金属和镀有该经表面处理的金属的制品，以及它们作为引线框架材料的应用。本发明利用氩等离子体处理镍金属的表面，经过处理的镍金属的表面与环氧树脂的粘附性能得到大幅提高，从而使以镍金属作为引线框架材料或者在表面镀镍的引线框架材料的稳定性以及防潮性能得到提高，且该方法操作流程简单，成本低廉且易于控制，不会出现热氧化方法存在的可重复性差的缺陷。
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公开(公告)号：CN102386326B
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN201110309153.0
申请日：2011-10-13
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于阻变式随机存储器技术领域，具体为一种用于高密度阻变存储的氮化铜阻变材料的制备方法。首先在衬底上沉积金属层作为下电极，然后使用磁控溅射设备在金属层上生长氮化铜薄膜，靶材采用高纯铜靶或氮化铜靶；溅射过程中通入高纯氮气（亦可同时通入氩气）作为反应气体；在靶材上施加直流负高压或13.56MHz的射频电压产生辉光放电，电离出氮离子或氩离子轰击靶表面，使靶原子被溅出并在氮离子气氛下化合成铜的氮化物，在磁场诱导下沉积到基片上，形成氮化铜薄层；溅射功率范围为10~200瓦；衬底温度范围为10~200ºC。本发明制备的铜的氮化物可以作为阻变层材料用于高密度阻变式随机存储器中，其制备工艺成熟稳定，阻变薄层电学均匀性好，适合于规模化工业生产。
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公开(公告)号：CN102061438B
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201010540198.4
申请日：2010-11-11
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于电子封装技术领域，具体为一种用加热一氧化碳处理金属表面的方法。该方法通过加热气体对待处理件进行表面处理，其中所述气体为一样化碳，所述待处理件为金属或镀有该金属的制品。本发明还提供用所述方法得到的经表面处理的金属和镀有该经表面处理的金属的制品，以及它们作为引线框架材料的应用。本发明尤其利用加热一氧化碳处理镍金属的表面，经过处理的镍金属的表面与环氧树脂的粘附性能得到大幅提高，从而使以镍金属作为引线框架材料或者在表面镀镍的引线框架材料的稳定性以及防潮性能得到提高，且该方法操作流程简单，成本低廉且易于控制，可以批量处理，不会出现化学腐蚀方法存在的可重复性差的缺陷。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102386326A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110309153.0
申请日：2011-10-13
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于阻变式随机存储器技术领域，具体为一种用于高密度阻变存储的氮化铜阻变材料的制备方法。首先在衬底上沉积金属层作为下电极，然后使用磁控溅射设备在金属层上生长氮化铜薄膜，靶材采用高纯铜靶或氮化铜靶；溅射过程中通入高纯氮气（亦可同时通入氩气）作为反应气体；在靶材上施加直流负高压或13.56MHz的射频电压产生辉光放电，电离出氮离子或氩离子轰击靶表面，使靶原子被溅出并在氮离子气氛下化合成铜的氮化物，在磁场诱导下沉积到基片上，形成氮化铜薄层；溅射功率范围为10~200瓦；衬底温度范围为10~200ºC。本发明制备的铜的氮化物可以作为阻变层材料用于高密度阻变式随机存储器中，其制备工艺成熟稳定，阻变薄层电学均匀性好，适合于规模化工业生产。
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公开(公告)号：CN102061437B
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201010540163.0
申请日：2010-11-11
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于电子封装技术领域，具体为一种用加热甲烷处理金属表面方法。包括下述步骤：利用加热气体法对待处理件进行表面处理，其中所述气体为甲烷，所述的待处理件为金属或镀有该金属的制品。本发明还提供了用所述方法得到的经表面处理的金属和镀有该经表面处理的金属的制品，以及它们作为引线框架材料的应用。本发明尤其利用加热甲烷处理镍金属的表面，经过处理的镍金属的表面与环氧树脂的粘附性能得到大幅提高，从而使以镍金属作为引线框架材料或者在表面镀镍的引线框架材料的稳定性以及防潮性能得到提高，且该方法操作流程简单，成本低廉且易于控制，可以批量处理，不会出现化学腐蚀方法存在的可重复性差的缺陷。
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公开(公告)号：CN101985739A
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：CN201010514606.9
申请日：2010-10-21
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于等离子体技术领域，具体为一种等离子体浸没注入设备的剂量控制系统。该控制系统包括位于离子注入设备内部的信号采集器，外围的信号测量设备以及计算机处理系统。其中信号采集器的设计依据及计算机自动控制系统的算法包含了本发明系统提供的离子注入剂量标定方法。系统通过信号采集器收集离子注入信号，而后通过测量设备测量信号，最后通过计算机系统处理信号获得离子注入信息，并控制等离子体浸没注入设备的工作。本发明系统解决了等离子体浸没注入剂量测定工作的复杂性，从而有效进行离子注入剂量的标定和控制。本发明系统可以在各类等离子体浸没注入的设备中使用。
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公开(公告)号：CN101857206A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN201010175147.6
申请日：2010-05-13
Applicant: 复旦大学
IPC: C01B21/06 , C01B21/068 , C01B21/072 , H01L45/00
Abstract: 本发明属于非挥发性存储器技术领域，具体涉及一种具有阻变性质的金属氮化物材料及其应用。本发明所述的金属氮化物为MxN，M为Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Al、Si、Ga、In、Sc或Y，或者上述金属材料中任意两种或两种以上元素的合金，0.2≤x≤4，可以通过多种常规薄膜制备方法制备，通过对薄膜中氮含量的调控，使金属氮化物具有电阻转变性能。该材料能够作为中间阻变层应用于RRAM元器件中。所述RRAM元器件由下电极层、在下电极上的阻变金属氮化物层以及在阻变层上的上电极层构成。这种三明治结构与传统集成电路工艺高度兼容。本发明为阻变材料的选择提出了一个新的方向，有利于RRAM存储器向低成本、高性能方向发展。
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公开(公告)号：CN111312390A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN202010123026.0
申请日：2020-02-27
Applicant: 复旦大学附属中山医院
Abstract: 本发明提供一种乳腺癌心脏毒性的评估方法，系统及存储装置，针对肿瘤科及乳腺外科医生对心血管疾病并发症的发生风险尚不明确，容易忽略CVD的早期临床表现，进而延误治疗导致不良临床事件发生的情况，采用风险评估计算方协助非心脏科医生评估心血管事件的风险，可以帮助非心脏科医生在早期快速地识别高危人群，并转心脏专科寻求专业治疗建议，有助于减少心血管事件的发生，并降低事件发生的严重程度。
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