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公开(公告)号：CN1775901A
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：CN200510111064.X
申请日：2005-12-01
Applicant: 复旦大学
Inventor： 沈仲汉 , 吴长亮 , 张昕 , 吴晓京
IPC: C09K11/59
Abstract: 本发明属发光半导体材料技术领域，具体涉及一种结构为Si/SiO2/Si的新型发光材料及其制备方法。该材料的制备方法是：氧离子注入硅片形成埋氧层，在氧气和氩气的混合气氛中高温退火。该材料具有双向发光的特性，这种发光和材料内部的缺陷有密切的关系。使用该材料做成半导体发光器件和现有硅工艺可以很好的集成。
