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公开(公告)号：CN1212734A
公开(公告)日：1999-03-31
申请号：CN97192815.0
申请日：1997-03-04
Applicant: 塞姆特里克斯公司 , 松下电器工业株式会社
Inventor： 林慎一郎 , 拉里·D·麦克米伦 , 吾妻正道 , 卡洛斯·A·帕兹德阿劳霍
CPC classification number: H01L21/02197 , B05D1/00 , B05D1/60 , B05D3/0493 , B05D3/062 , B05D3/065 , C23C8/10 , C23C16/4412 , C23C16/4486 , C23C16/45561 , C23C16/4558 , C23C16/46 , C23C16/482 , C23C16/52 , C23C18/12 , C23C18/1216 , C23C18/1287 , C23C18/14 , C23C26/02 , C30B7/00 , C30B7/005 , C30B29/68 , H01L21/02282 , H01L21/31691 , H01L27/11502 , H01L28/55 , H01L28/56 , H01L28/60 , H01L41/1871 , H01L41/314 , H05K3/105
Abstract: 一个基体(5)位于沉积室(2)中,该基体确定了基体平面。一个阻隔板(6)置于基体之上,与基体相互隔开并平行,在与所说基体平行的平面上的所说阻隔板的面积与在所说基本平面上的所说基体的面积基本相同。阻隔板的平整度的容许偏差为所说阻隔板和所说基体之间平均距离的5%。产生一种雾气(66),使其在一缓冲室(42)中沉降,通过1微米的过滤器(33)过滤,流入基体与阻隔板之间的沉积室中以在基体上沉积一液体层。该液体经干燥在基体上形成一固体物质的薄膜(1130),后者随后被加入到集成电路(1110)的一个电子元件(1112)中。
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公开(公告)号：CN1466763A
公开(公告)日：2004-01-07
申请号：CN01816271.1
申请日：2001-09-25
Applicant: 塞姆特里克斯公司 , 松下电器产业株式会社
IPC: G11C11/22
CPC classification number: G11C11/22
Abstract: 一种铁电存储器636，包括一组存储器单元645，12，201，301，401，501，每个单元具有一铁电存储器元件44，218，一驱动线，其上置放有写入信息至存储器单元群组的电压；一位元线25，49，125，325，425，525，其上置放有欲自存储器单元组读出的信息，一前置放大器20，42，120，320，420，在存储器单元及位元线之间，一设定开关14，114，314，414，514，连接于驱动线及存储器单元之间，一重设开关16，116，316，416，516，连接于与前置放大器并联的存储器单元。存储器是藉由横跨存储器元件置放一小于铁电存储器元件的矫顽电压的电压而被读取。在读取之前，自单元群组的噪声是藉由使铁电存储器元件的两个电极接地而排放。
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公开(公告)号：CN1272951A
公开(公告)日：2000-11-08
申请号：CN99800918.0
申请日：1999-06-07
Applicant: 塞姆特里克斯公司 , 松下电子工业株式会社
CPC classification number: G02F1/133603
Abstract: 在平板显示器中的铁电分层超晶格材料薄膜通电,选择性地影响显示器图象。在一个实施方案中,电压脉冲引起所述分层超晶格材料发射电子,这些电子撞击在磷光体上,引起磷光体发光。在另一个实施方案中,电势在分层超晶格材料中产生一个剩余极化,该剩余极化施加一个电场在液晶层上,由此影响通过该液晶的光线的透过率。所述分层超晶格材料是金属氧化物,用含有烷氧羧酸盐的本发明液态前体制成。所述薄膜厚度优选为50—140nm,这样提高了薄膜的极化度和透明性。显示器元件可以包括一个变阻器装置,以防止像素间的串扰,并使得突然的极化转换成为可能。在铁电薄膜中的功能梯度增加了电子发射。在磷光体两边各一个的两个铁电元件,可以用来提高发光性能。磷光体可以是三明治型的,夹在介电层和铁电层之间,以便增加发射。
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公开(公告)号：CN1120249C
公开(公告)日：2003-09-03
申请号：CN98807069.3
申请日：1998-07-14
Applicant: 塞姆特里克斯公司
Inventor： 卡洛斯·A·帕兹德阿罗 , 拉里·D·麦克米伦 , 纳拉严·索拉亚攀 , 杰弗里·W·培根
IPC: C23C16/44 , C23C16/40 , H01L21/314
CPC classification number: C23C16/45565 , B05D1/007 , B05D1/04 , C23C16/40 , C23C16/448 , C23C16/45561 , C23C18/12 , H01L21/31691 , H01L28/55
Abstract: 一文丘里雾发生器(141、142、143、16)从一含有有机金属化合物的液态前体生成雾，其中的雾滴的直径小于1μm。雾混合后送入一气化器(160)，在该气化器中雾滴在低于该前体化合物发生分解的温度的100℃-250℃下气化。气化前体化合物在绝热管道(161、168)中在室温下由载气传送，以防止凝结和过早分解。由气化前体与氧化剂气体混合成的气态反应混合物从一喷头(184)喷入一沉积反应器中，该沉积反应器中有一加热到300℃-600℃的基片(185)。该气化前体在基片(185)上分解而在基片上生成一固体材料薄膜(860)。该薄膜(860)经500℃-900℃的高温处理，生成多晶金属氧化物材料、特别是铁电分层超点阵材料。
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公开(公告)号：CN1398426A
公开(公告)日：2003-02-19
申请号：CN99816011.3
申请日：1999-12-14
Applicant: 塞姆特里克斯公司 , 松下电器产业株式会社
Inventor： 林慎一郎 , 拉里·D·麦克米伦 , 卡洛斯·A·帕斯·德阿劳约
IPC: H01L21/316 , B05D1/34
CPC classification number: C23C18/1216 , C23C18/1291 , C23C18/14 , H01L21/02197 , H01L21/02282 , H01L21/02348 , H01L21/31691
Abstract: 混合多种液体，每个液体的流量由体积流量控制器(515，535)控制，以形成最终的前体，最终的前体被雾化后淀积在基片上。通过调整体积流量控制器(515，535)来调整液态前体的物理特性，以使在前体被涂敷到基片并被处理时，最终的固体材料薄膜(30，50，236，489，492)具有平滑且平坦的表面(31，51，235，488，493)。通常情况下，该物理特性是前体的粘度，它被选择得相当低，在1－2厘泊范围内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1231063A
公开(公告)日：1999-10-06
申请号：CN97197971.5
申请日：1997-08-18
Applicant: 塞姆特里克斯公司 , 松下电子工业株式会社
IPC: H01L21/316 , C23C18/12
CPC classification number: H01L21/31691 , C23C18/1216 , C23C18/1225
Abstract: 制备一种溶于二甲苯/甲基乙基酮溶剂中的包含几种2－乙基己酸金属,例如2－乙基己酸锶、钽和铋的原液,在一个真空淀积室(2)内放置一个基底(5,858),在原液中添加少量六甲基乙硅氮烷,并予以雾化,以及使云雾流进淀积室内以在基底上淀积一层原液。对该原液进行干燥、焙烤和退火,以在基底上形成一个分层超晶格材料,例如钽酸锶铋的薄膜(506,860)。然后使分层超晶格材料薄膜的至少一部分含在集成电路的一个元件(604,872)中,从而完成一个集成电路(600,850)。
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公开(公告)号：CN1213457A
公开(公告)日：1999-04-07
申请号：CN97193062.7
申请日：1997-03-14
Inventor： 拉里·D·麦克米伦 , 迈克尔·C·斯科特 , 阿劳约·卡洛斯·A·帕兹德 , 大槻达男 , 林慎一郎
IPC: H01L21/316
CPC classification number: H01L21/316 , B05D1/00 , B05D1/60 , B05D3/0493 , C23C16/4412 , C23C16/4486 , C23C16/45561 , C23C16/4558 , C23C16/46 , C23C16/482 , C23C16/52 , C23C18/1212 , C23C18/1287 , C23C18/14 , C23C26/02 , C30B7/00 , C30B29/68 , H01L21/314 , H01L21/31691 , H01L27/11502 , H01L28/55 , H01L28/56 , H01L28/60 , H01L41/316 , H05K3/105
Abstract: 制备一种包括在二甲苯溶剂中的硅的前体液体(64),衬底(5,71)放置到真空沉淀室(2)中,前体液体被雾化,并在将沉淀室维持在室温时将雾气(66)流入沉淀室中,以在衬底上沉淀前体液体层。此液体被干燥、烘干、以及退火,以在衬底上形成二氧化硅或硅玻璃的薄膜(1224,77)。然后,完成集成电路(100),以便至少包括一部分二氧化硅或硅玻璃作为集成电路中电子设备(76)的绝缘体(77)。
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公开(公告)号：CN1237618C
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN00802711.0
申请日：2000-01-07
Applicant: 塞姆特里克斯公司 , 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L29/92 , H01L21/8247 , H01L21/316
Abstract: 一种涂层，将包含金属的液体母体涂覆到第一电极(122)，在氧环境中不超过300℃的温度下，在热板上烘焙5分钟，然后在675℃进行RTP退火30秒钟。然后在700℃氧或氮环境中退火1小时，以便形成厚度不超过90nm的层状超晶格材料薄膜(124)。形成第二电极(126)以形成电容器(128)，和在不超过700℃的氧或氮环境中进行后退火。如果材料是钽酸锶铋，母体包含u摩尔当量的锶，v摩尔当量的铋和w摩尔当量的钽，其中0.8≤u≤1.0，2.0≤v≤2.3和1.9≤w≤2.1。
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公开(公告)号：CN1236452C
公开(公告)日：2006-01-11
申请号：CN01816271.1
申请日：2001-09-25
Applicant: 塞姆特里克斯公司 , 松下电器产业株式会社
IPC: G11C11/22
CPC classification number: G11C11/22
Abstract: 一种铁电存储器(636)，包括一组存储器单元(645，12，201，301，401，501)，每个单元具有一铁电存储器元件(44，218)，一驱动线，其上置放有写入信息至存储器单元群组的电压；一位元线(25，49，125)，(325，425，525)，其上置放有欲自存储器单元组读出的信息，一前置放大器(20，42，120，320，420)，在存储器单元及位元线之间，一设定开关(14，114，314，414，514)，连接于驱动线及存储器单元之间，一重设开关(16，116，316，416，516)，连接于与前置放大器并联的存储器单元。存储器是藉由横跨存储器元件置放一小于铁电存储器元件的矫顽电压的电压而被读取。在读取之前，自单元群组的噪声是藉由使铁电存储器元件的两个电极接地而排放。
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公开(公告)号：CN1337068A
公开(公告)日：2002-02-20
申请号：CN00802711.0
申请日：2000-01-07
Applicant: 塞姆特里克斯公司 , 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L29/92 , H01L21/8247 , H01L21/316
Abstract: 一种涂层,将包含金属的液体母体涂覆到第一电极(122),在氧环境中不超过300℃的温度下,在热板上烘焙5分钟,然后在675℃进行RTP退火30秒钟。然后在700℃氧或氮环境中退火1小时,以便形成厚度不超过90nm的层状超点阵材料薄膜(124)。形成第二电极(126)以形成电容器(128),和在不超过700℃的氧或氮环境中进行后退火。如果材料是锶铋钽,母体包含u摩尔当量的锶,v摩尔当量的铋和w摩尔当量的钽,其中0.8≤u≤1.0,2.0≤v≤2.3和1.9≤w≤2.1。
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