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公开(公告)号：CN1685285B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN03823350.9
申请日：2003-08-28
Inventor： 马芒德·M·科贾斯特 , 陈光荣 , 普什卡拉·R·瓦拉纳西 , 西村行雄 , 小林英一
IPC: G03F7/039
CPC classification number: G03F7/0392 , G03F7/0395 , Y10S430/106 , Y10S430/108 , Y10S430/111 , Y10S430/115
Abstract: 一种能够用193nm射线和/或可能的其他射线成像并且能够显影形成显影性能和抗蚀性均得以改善的抗蚀剂结构的酸催化正抗蚀剂组合物，可以通过使用含成像聚合物组分的抗蚀剂组合物得到，成像聚合物组分包含具有单体单元的酸敏性聚合物，这些单体单元具有含远端酸不稳定性部分的侧基。
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公开(公告)号：CN1682156A
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN03821613.2
申请日：2003-09-11
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 马莫德·M·科贾斯特 , 拉尼·W·况 , 陈光军 , 普什卡拉·R·瓦拉纳西 , 罗伯特·D·艾伦 , 菲利普·布罗克 , 弗朗西斯·霍尔 , 拉特纳姆·索里亚库马兰
IPC: G03F7/38
CPC classification number: G03F7/094 , G03F7/0397 , G03F7/0758 , Y10S430/106 , Y10S430/111 , Y10S430/115
Abstract: 具有低硅排气和高分辨率光刻性能的含硅抗蚀组合物，特别可在使用193nm或更短波长成像辐射的双层或多层光刻应用中，可通过存在具有含硅的酸稳定侧基的成像聚合物而成为可能。本发明的抗蚀组合物优选还在于基本上没有含硅的酸不稳定部分。
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公开(公告)号：CN1685285A
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN03823350.9
申请日：2003-08-28
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 马芒德·M·科贾斯特 , 陈光荣 , 普什卡拉·R·瓦拉纳西 , 西村行雄 , 小林英一
IPC: G03F7/039
CPC classification number: G03F7/0392 , G03F7/0395 , Y10S430/106 , Y10S430/108 , Y10S430/111 , Y10S430/115
Abstract: 一种能够用193nm射线和/或可能的其他射线成像并且能够显影形成显影性能和抗蚀性均得以改善的抗蚀剂结构的酸催化正抗蚀剂组合物，可以通过使用含成像聚合物组分的抗蚀剂组合物得到，成像聚合物组分包含具有单体单元的酸敏性聚合物，这些单体单元具有含远端酸不稳定性部分的侧基。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1507579A
公开(公告)日：2004-06-23
申请号：CN01823240.X
申请日：2001-12-13
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 李文杰 , 普什卡拉·R·瓦拉纳西
CPC classification number: G03F7/0395 , G03F7/0397
Abstract: 酸催化的正抗蚀剂组合物，其可以用193nm的辐射和/或其它的辐射成像，并且可以显影，以形成具有改良显影特征和改良抗蚀刻性的抗蚀剂结构，这种改良的显影特征和改良的抗蚀刻性是利用包含具有2－氰基丙烯酸单体的成像聚合物的抗蚀剂组合物实现的。
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公开(公告)号：CN100432837C
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN02812555.X
申请日：2002-06-06
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 李文杰 , 普什卡拉·R·瓦拉纳西 , 陈光军
IPC: G03F7/004 , G03C5/00 , C07C381/00 , C07C315/00 , C07C331/00
Abstract: 具有任一下述通式的含噻吩的光酸生成剂，其中，R1、R2或R3中至少有一个是噻吩或被烷基、烷氧基或环烷基取代的噻吩，不含噻吩部分的其余R1、R2或R3独立地选自烷基、环烷基和芳基，或者R1、R2或R3中至少有一个结合在一起形成具有约4至约8个环碳原子的环状部分；Y是抗衡离子，本发明还公开了该光酸生成剂在化学放大的抗蚀剂组合物中的应用。
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公开(公告)号：CN1280671C
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN01823240.X
申请日：2001-12-13
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 李文杰 , 普什卡拉·R·瓦拉纳西
CPC classification number: G03F7/0395 , G03F7/0397
Abstract: 酸催化的正抗蚀剂组合物，其可以用193nm的辐射和/或其它的辐射成像，并且可以显影，以形成具有改良显影特征和改良抗蚀刻性的抗蚀剂结构，这种改良的显影特征和改良的抗蚀刻性是利用包含具有2-氰基丙烯酸单体的成像聚合物的抗蚀剂组合物实现的。
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公开(公告)号：CN100495209C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN03821613.2
申请日：2003-09-11
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 马莫德·M·科贾斯特 , 拉尼·W·况 , 陈光军 , 普什卡拉·R·瓦拉纳西 , 罗伯特·D·艾伦 , 菲利普·布罗克 , 弗朗西斯·霍尔 , 拉特纳姆·索里亚库马兰
CPC classification number: G03F7/094 , G03F7/0397 , G03F7/0758 , Y10S430/106 , Y10S430/111 , Y10S430/115
Abstract: 具有低硅排气和高分辨率光刻性能的含硅抗蚀组合物，特别可在使用193nm或更短波长成像辐射的双层或多层光刻应用中，可通过存在具有含硅的酸稳定侧基的成像聚合物而成为可能。本发明的抗蚀组合物优选还在于基本上没有含硅的酸不稳定部分。
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公开(公告)号：CN1518684A
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN02812555.X
申请日：2002-06-06
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 李文杰 , 普什卡拉·R·瓦拉纳西 , 陈光军
IPC: G03F7/004 , G03C5/00 , C07C381/00 , C07C315/00 , C07C331/00
CPC classification number: C07C381/00 , C07C2603/74 , C07D333/34 , G03F7/0045 , G03F7/0382 , G03F7/0397 , Y10S430/122
Abstract: 具有任一下述通式的含噻吩的光酸生成剂，其中，R1、R2或R3中至少有一个是噻吩或被烷基、烷氧基或环烷基取代的噻吩，不含噻吩部分的其余R1、R2或R3独立地选自烷基、环烷基和芳基，或者R1、R2或R3中至少有一个结合在一起形成具有约4至约8个环碳原子的环状部分；Y是抗衡离子，本发明还公开了该光酸生成剂在化学放大的抗蚀剂组合物中的应用。
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