公开(公告)号：CN1682156A

公开(公告)日：2005-10-12

申请号：CN03821613.2

申请日：2003-09-11

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 马莫德·M·科贾斯特 ,  拉尼·W·况 ,  陈光军 ,  普什卡拉·R·瓦拉纳西 ,  罗伯特·D·艾伦 ,  菲利普·布罗克 ,  弗朗西斯·霍尔 ,  拉特纳姆·索里亚库马兰

IPC: G03F7/38

CPC classification number: G03F7/094 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/0758 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/111 ,  Y10S430/115

Abstract: 具有低硅排气和高分辨率光刻性能的含硅抗蚀组合物，特别可在使用193nm或更短波长成像辐射的双层或多层光刻应用中，可通过存在具有含硅的酸稳定侧基的成像聚合物而成为可能。本发明的抗蚀组合物优选还在于基本上没有含硅的酸不稳定部分。

公开(公告)号：CN100495209C

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN03821613.2

申请日：2003-09-11

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 马莫德·M·科贾斯特 ,  拉尼·W·况 ,  陈光军 ,  普什卡拉·R·瓦拉纳西 ,  罗伯特·D·艾伦 ,  菲利普·布罗克 ,  弗朗西斯·霍尔 ,  拉特纳姆·索里亚库马兰

IPC: G03F7/075 ,  G03F7/039

CPC classification number: G03F7/094 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/0758 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/111 ,  Y10S430/115

Abstract: 具有低硅排气和高分辨率光刻性能的含硅抗蚀组合物，特别可在使用193nm或更短波长成像辐射的双层或多层光刻应用中，可通过存在具有含硅的酸稳定侧基的成像聚合物而成为可能。本发明的抗蚀组合物优选还在于基本上没有含硅的酸不稳定部分。