公开(公告)号：CN103890918A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201280052538.6

申请日：2012-10-25

Applicant: 国际商业机器公司 ,  日本瑞翁株式会社

Inventor： J·B·张 ,  S·U·恩格尔曼 ,  N·C·M·富勒 ,  M·A·古罗恩 ,  中村昌洋

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L29/6653 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76897 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659

Abstract: 各向异性氮化硅蚀刻通过在硅表面和氧化硅表面上形成包含氟代烃的聚合物而提供相对于硅和氧化硅的选择性。采用选择性的氟代烃沉积来提供相对于非氮化物表面的选择性。包含氟代烃的聚合物与氮化硅相互作用以形成挥发性化合物，由此使得能够蚀刻氮化硅。包含氟代烃的聚合物以低反应速率与氧化硅相互作用，延迟或者完全停止对氧化硅的蚀刻。包含氟代烃的聚合物不与硅相互作用，并且保护硅不受等离子体蚀刻。在包括小于50nm的小尺寸的任何尺寸下，都可以采用该各向异性氮化硅蚀刻来相对于硅和氧化硅选择性地蚀刻氮化硅。

公开(公告)号：CN103890918B

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201280052538.6

申请日：2012-10-25

Applicant: 国际商业机器公司 ,  日本瑞翁株式会社

Inventor： J·B·张 ,  S·U·恩格尔曼 ,  N·C·M·富勒 ,  M·A·古罗恩 ,  中村昌洋

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L29/6653 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76897 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659

Abstract: 各向异性氮化硅蚀刻通过在硅表面和氧化硅表面上形成包含氟代烃的聚合物而提供相对于硅和氧化硅的选择性。采用选择性的氟代烃沉积来提供相对于非氮化物表面的选择性。包含氟代烃的聚合物与氮化硅相互作用以形成挥发性化合物，由此使得能够蚀刻氮化硅。包含氟代烃的聚合物以低反应速率与氧化硅相互作用，延迟或者完全停止对氧化硅的蚀刻。包含氟代烃的聚合物不与硅相互作用，并且保护硅不受等离子体蚀刻。在包括小于50nm的小尺寸的任何尺寸下，都可以采用该各向异性氮化硅蚀刻来相对于硅和氧化硅选择性地蚀刻氮化硅。

公开(公告)号：CN103890930B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201280050984.3

申请日：2012-10-06

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： J·B·张 ,  L·张 ,  M·A·古罗恩 ,  W·E·亨施

IPC: H01L21/82

Abstract: 存储器基元、存储器基元阵列以及制造嵌入式DRAM中的具有多栅晶体管的存储器基元的方法，所述多栅晶体管例如是完全耗尽的finFET或纳米线晶体管。所述存储器基元包括沟槽电容器、非平面晶体管以及将所述沟槽电容器电耦接到所述非平面晶体管的自对准硅化物互连。

公开(公告)号：CN103890930A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201280050984.3

申请日：2012-10-06

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： J·B·张 ,  L·张 ,  M·A·古罗恩 ,  W·E·亨施

IPC: H01L21/82

Abstract: 存储器基元、存储器基元阵列以及制造嵌入式DRAM中的具有多栅晶体管的存储器基元的方法，所述多栅晶体管例如是完全耗尽的finFET或纳米线晶体管。所述存储器基元包括沟槽电容器、非平面晶体管以及将所述沟槽电容器电耦接到所述非平面晶体管的自对准硅化物互连。

公开(公告)号：CN103858237A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201280048518.1

申请日：2012-10-06

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： J·B·张 ,  L·张 ,  S·U·恩格尔曼 ,  M·A·古罗恩

IPC: H01L29/66

CPC classification number: B81C1/0023 ,  B81B2207/015 ,  B81C1/00801 ,  B81C2203/0714 ,  B81C2203/0742 ,  H01L21/565 ,  H01L21/845 ,  H01L27/1211 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 用于制造将衬底上的机电器件和CMOS器件分隔开的阻挡层的结构和方法。示例性结构包括密封机电器件的保护层，其中所述阻挡层可以耐受能够去除所述保护层但不能去除所述阻挡层的蚀刻工艺。所述衬底可以是绝缘体上硅或者多层晶片衬底。所述机电器件可以是微机电系统（MEMS）或者纳机电系统（NEMS）。