公开(公告)号：CN103858237A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201280048518.1

申请日：2012-10-06

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： J·B·张 ,  L·张 ,  S·U·恩格尔曼 ,  M·A·古罗恩

IPC: H01L29/66

CPC classification number: B81C1/0023 ,  B81B2207/015 ,  B81C1/00801 ,  B81C2203/0714 ,  B81C2203/0742 ,  H01L21/565 ,  H01L21/845 ,  H01L27/1211 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 用于制造将衬底上的机电器件和CMOS器件分隔开的阻挡层的结构和方法。示例性结构包括密封机电器件的保护层，其中所述阻挡层可以耐受能够去除所述保护层但不能去除所述阻挡层的蚀刻工艺。所述衬底可以是绝缘体上硅或者多层晶片衬底。所述机电器件可以是微机电系统（MEMS）或者纳机电系统（NEMS）。

公开(公告)号：CN102597793A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201080048197.6

申请日：2010-10-25

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·弗罗利希 ,  M·H·T·哈克 ,  X·孟 ,  L·张

IPC: G01R31/08

CPC classification number: H04J3/0667 ,  H04L47/10

Abstract: 在一个示意性方面中，揭示了适合时钟偏移确定的方法、装置及程序产品。一种方法包括执行与另一网络节点的至少单个字节的多次交换，其中所述单个字节的值对于所述交换而言是不同的。所述方法还包括捕获并存储在所述网络节点上执行的所述多次交换中的每一次交换的时间戳。一种第二方法包括捕获并保存从另一网络节点接收的一组计时消息中的多个计时消息中的每个计时消息的到达时间戳。此第二方法还包括响应于所述一组计时消息的完成而将所述时间戳发送至至少所述另一节点。

公开(公告)号：CN101000928A

公开(公告)日：2007-07-18

申请号：CN200710001345.9

申请日：2007-01-10

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： J·W·斯雷特 ,  L·张 ,  G·沙伊迪 ,  D·M·弗莱德 ,  J·M·荷尔根洛特

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1203 ,  H01L21/84 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/7843

Abstract: 本发明提供了一种包括薄SOI区域的半导体器件结构，其中SOI器件具有可选的单薄扩散，即偏移，隔离物和单扩散注入。器件的硅厚度足够薄以允许扩散注入与掩埋绝缘体相邻但也足够厚以形成接触硅化物。在nFET和pFET器件区域两者上面都使用应力层衬里膜以增强性能。

公开(公告)号：CN103890930B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201280050984.3

申请日：2012-10-06

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： J·B·张 ,  L·张 ,  M·A·古罗恩 ,  W·E·亨施

IPC: H01L21/82

Abstract: 存储器基元、存储器基元阵列以及制造嵌入式DRAM中的具有多栅晶体管的存储器基元的方法，所述多栅晶体管例如是完全耗尽的finFET或纳米线晶体管。所述存储器基元包括沟槽电容器、非平面晶体管以及将所述沟槽电容器电耦接到所述非平面晶体管的自对准硅化物互连。

公开(公告)号：CN103890930A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201280050984.3

申请日：2012-10-06

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： J·B·张 ,  L·张 ,  M·A·古罗恩 ,  W·E·亨施

IPC: H01L21/82

Abstract: 存储器基元、存储器基元阵列以及制造嵌入式DRAM中的具有多栅晶体管的存储器基元的方法，所述多栅晶体管例如是完全耗尽的finFET或纳米线晶体管。所述存储器基元包括沟槽电容器、非平面晶体管以及将所述沟槽电容器电耦接到所述非平面晶体管的自对准硅化物互连。