公开(公告)号：CN101361173A

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200780001799.4

申请日：2007-01-03

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： M·P·胡齐克 ,  B·B·多里斯 ,  S·古哈 ,  R·詹米 ,  V·纳拉亚南 ,  V·K·帕鲁许里 ,  Y·Y·王 ,  K·孔洪翁

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/517 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供半导体结构，例如场效应晶体管(FET)和/或金属－氧化物－半导体电容器(MOSCAP)，其中通过向包含金属的材料层中引入金属杂质来改变导电电极叠层的功函数，该包含金属的材料层与导电电极一起存在于电极叠层中。金属杂质的选择取决于电极具有n型功函数还是p型功函数。本发明还提供一种制造该半导体结构的方法。金属杂质的引入可以通过共沉积这样的层而实现，该层包含包含金属的材料和改变功函数的金属材料，形成其中在包含金属的材料的层之间存在金属杂质层的叠层，或者通过在包含金属的材料之上和/或之下形成包括金属杂质的材料层，然后加热该结构以将金属杂质引入包含金属的材料中而实现。