公开(公告)号：CN105658324A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201480056719.5

申请日：2014-10-01

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： J·巴尔德奥夫 ,  S·哈勒 ,  C·希伯

IPC: B01J20/28

CPC classification number: C23C14/22 ,  B82Y5/00 ,  B82Y15/00 ,  C12Q1/6825 ,  C12Q2565/631 ,  C23C14/046 ,  C23C14/221 ,  C23C14/225 ,  C23C14/34 ,  G01N33/531 ,  G01N33/533 ,  G01N33/551 ,  G01N33/553

Abstract: 一种用于在纳米孔结构中制作多个单分子受体的方法，包括通过物理气相沉积(PVD)技术将第一材料和第二材料沉积到纳米通道的不同选定内表面上，以及利用具有至少两个官能基团的化学化合物对第一材料、第二材料、或第一材料和第二材料两者的表面进行官能化。第一材料和第二材料可以是相同的或不同的，并且形成具有大约1至大约100纳米(nm)的直径的贴片。还公开的是一种包括多个单分子受体的纳米孔结构的实施例。

公开(公告)号：CN106461584B

公开(公告)日：2019-08-30

申请号：CN201580025586.X

申请日：2015-06-24

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·K·坎纳姆 ,  J·M·瓦格纳 ,  S·哈勒 ,  C·希伯 ,  J·S·巴尔道夫 ,  M·唐顿 ,  N·J·古恩

IPC: G01N27/00

Abstract: 使用包括在石墨烯片中形成的纳米孔的复合纳米孔组件来感测移位事件。使用这样的组件提供单分子检测和表征以及多分子表征和识别。与纳米流体传感器相关联的多个电极促进通过纳米孔的离子电流以及隧穿电流的检测。从通过纳米孔的离子电流信号和在纳米孔内的特定位置处获得的隧穿电流信号的组合来估计个体分子的电流信号。

公开(公告)号：CN105658324B

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201480056719.5

申请日：2014-10-01

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： J·巴尔德奥夫 ,  S·哈勒 ,  C·希伯

IPC: B01J20/28

Abstract: 一种用于在纳米孔结构中制作多个单分子受体的方法，包括通过物理气相沉积(PVD)技术将第一材料和第二材料沉积到纳米通道的不同选定内表面上，以及利用具有至少两个官能基团的化学化合物对第一材料、第二材料、或第一材料和第二材料两者的表面进行官能化。第一材料和第二材料可以是相同的或不同的，并且形成具有大约1至大约100纳米(nm)的直径的贴片。还公开的是一种包括多个单分子受体的纳米孔结构的实施例。

公开(公告)号：CN106461584A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580025586.X

申请日：2015-06-24

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·K·坎纳姆 ,  J·M·瓦格纳 ,  S·哈勒 ,  C·希伯 ,  J·S·巴尔道夫 ,  M·唐顿 ,  N·J·古恩

IPC: G01N27/00

Abstract: 使用包括在石墨烯片中形成的纳米孔的复合纳米孔组件来感测移位事件。使用这样的组件提供单分子检测和表征以及多分子表征和识别。与纳米流体传感器相关联的多个电极促进通过纳米孔的离子电流以及隧穿电流的检测。从通过纳米孔的离子电流信号和在纳米孔内的特定位置处获得的隧穿电流信号的组合来估计个体分子的电流信号。

公开(公告)号：CN1206721C

公开(公告)日：2005-06-15

申请号：CN00104745.0

申请日：2000-03-24

Applicant: 因芬尼昂技术北美公司 ,  国际商业机器公司

Inventor： U·格吕宁 ,  J·贝恩特纳 ,  S·哈勒 ,  J·A·曼德尔曼 ,  C·J·拉登斯 ,  J·维特曼 ,  J·J·韦尔泽

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/04 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L27/10864 ,  H01L27/10861

Abstract: 一种方法包括在半导体本体中形成沟槽电容。凹槽形成在电容的上面部分中。第一材料淀积在侧壁上和凹槽的底部上。第二材料淀积在第一材料上。掩膜提供在第二材料上有选择地去掉部分的第二材料部分同时保留第一材料。有选择地去掉第一材料的暴露部分和半导体本体的下面部分。在半导体本体的去掉部分中形成绝缘区。在暴露的下面部分的半导体本体上刻蚀以形成浅沟槽。绝缘材料形成在浅沟槽中。这种方法允许较大的掩膜不对准裕度。

公开(公告)号：CN1272688A

公开(公告)日：2000-11-08

申请号：CN00104745.0

申请日：2000-03-24

Applicant: 因芬尼昂技术北美公司 ,  国际商业机器公司

Inventor： U·格吕宁 ,  J·贝恩特纳 ,  S·哈勒 ,  J·A·曼德尔曼 ,  C·J·拉登斯 ,  J·维特曼 ,  J·J·韦尔泽

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/04 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L27/10864 ,  H01L27/10861

Abstract: 一种方法包括在半导体本体中形成沟槽电容。凹槽形成在电容的上面部分中。第一材料淀积在侧壁上和凹槽的底部上。第二材料淀积在第一材料上。掩膜提供在第二材料上。有选择地去掉部分的第二材料部分同时保留第一材料。有选择地去掉第一材料的暴露部分和半导体本体的下面部分。在半导体本体的去掉部分中形成绝缘区。在暴露的下面部分的半导体本体上刻蚀以形成浅沟槽。绝缘材料形成在浅沟槽中。这种方法允许较大的掩膜不对准裕度。

公开(公告)号：CN102667623B

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201080057340.8

申请日：2010-11-26

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·P·桑德斯 ,  J·程 ,  W·辛斯伯格 ,  H-C·金 ,  M·科尔伯恩 ,  S·哈勒 ,  S·霍姆斯

IPC: G03F7/00

CPC classification number: G03F7/0002 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种形成包括自组装材料的分层结构的方法，包括：在衬底上布置非交联的光刻胶层；将光刻胶层图案式曝光于第一辐射；可选地加热已曝光光刻胶层；采用含水碱性显影剂在第一显影工艺中显影已曝光光刻胶层，从而形成初始图案化光刻胶层；光化学地、热地和/或化学地处理初始图案化光刻胶层，由此形成包括布置在第一衬底表面上的未交联的已处理光刻胶的已处理图案化光刻胶层；在已处理图案化光刻胶层上浇铸定向控制材料在第一溶剂中的溶液，并且去除第一溶剂，从而形成定向控制层；加热定向控制层以有效地将定向控制材料的一部分结合至第二衬底表面；在第二显影工艺中去除已处理光刻胶的至少一部分以及可选地去除任何未结合的定向控制材料，由此形成用于自组装的预图案；可选地加热预图案；在预图案上浇铸溶解在第二溶剂中的能够自组装的材料的溶液，并且去除第二溶剂；以及采用可选的加热和/或退火，允许已浇铸材料自组装，由此形成包括自组装材料的分层结构。

公开(公告)号：CN102667623A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN201080057340.8

申请日：2010-11-26

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·P·桑德斯 ,  J·程 ,  W·辛斯伯格 ,  H-C·金 ,  M·科尔伯恩 ,  S·哈勒 ,  S·霍姆斯

IPC: G03F7/00

CPC classification number: G03F7/0002 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种形成包括自组装材料的分层结构的方法，包括：在衬底上布置非交联的光刻胶层；将光刻胶层图案式曝光于第一辐射；可选地加热已曝光光刻胶层；采用含水碱性显影剂在第一显影工艺中显影已曝光光刻胶层，从而形成初始图案化光刻胶层；光化学地、热地和/或化学地处理初始图案化光刻胶层，由此形成包括布置在第一衬底表面上的未交联的已处理光刻胶的已处理图案化光刻胶层；在已处理图案化光刻胶层上浇铸定向控制材料在第一溶剂中的溶液，并且去除第一溶剂，从而形成定向控制层；加热定向控制层以有效地将定向控制材料的一部分结合至第二衬底表面；在第二显影工艺中去除已处理光刻胶的至少一部分以及可选地去除任何未结合的定向控制材料，由此形成用于自组装的预图案；可选地加热预图案；在预图案上浇铸溶解在第二溶剂中的能够自组装的材料的溶液，并且去除第二溶剂；以及采用可选的加热和/或退火，允许已浇铸材料自组装，由此形成包括自组装材料的分层结构。