公开(公告)号：CN117426152A

公开(公告)日：2024-01-19

申请号：CN202280039409.7

申请日：2022-05-20

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： P·哈什米 ,  C·科坦达拉曼

IPC: H10B61/00 ,  H10N59/00

Abstract: 一种制造方法及所得设备，其针对具有高效率(100’)和高保留率(100)阵列两者的反向宽基底双磁性隧道结装置。该方法包括在公共堆栈上制造用于反向宽基底双磁性隧道结器件的高效率阵列和高保留率阵列的方法。所述方法包括：对于所述高效率阵列和所述高保留率阵列，形成第一磁性隧道结堆栈(MTJ2，120，120’)，在所述MTJ2上形成自旋导电层(122，122’)，以及在所述自旋导电层上形成第二磁性隧道结堆栈(MTJ1，124，124’)。用于高保留率阵列的第一磁性隧道结堆栈具有比用于高效率阵列的第一磁性隧道结堆栈的高效率CD(HECD)大的高保留率临界尺寸(CD)(HRCD)。第二磁性隧道结堆栈(MTJ1)对于高保留率阵列短路，且对于高效率阵列不短路。

公开(公告)号：CN117796182A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202280054548.7

申请日：2022-07-27

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： P·哈什米 ,  C·科坦达拉曼 ,  N·马卡克

IPC: H10N50/80 ,  H10N50/10 ,  H10N50/01

Abstract: 一种用于提供具有两个间隔体(404，707)的双磁性隧道结设备的结构(1200)的方法，该设备包括底部磁性隧道结堆叠(204)、底部磁性隧道结堆叠上的自旋导电层(208)、自旋导电层上的顶部磁性隧道结堆叠(210)、顶部磁性隧道结堆叠的侧面和自旋导电层的顶表面的一部分上的第一电介质间隔体(404)、以及第一间隔体上的第二电介质间隔体(707)。双磁性隧道设备包括顶部磁性隧道结堆叠，其宽度小于底部磁性隧道结堆叠的宽度。