公开(公告)号：CN101106141B

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200710128129.0

申请日：2007-07-06

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： A·I·舒 ,  J·W·斯雷特 ,  W·亨施 ,  古川俊治 ,  任志斌 ,  D·V·辛格

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L21/762 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L29/78603 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78606 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种绝缘体上半导体结构包括位于基底半导体衬底与表面半导体层之间的掩埋介电层。所述掩埋介电层包括其中包括氮梯度的氧化物材料，所述氮梯度的峰值在所述掩埋介电层的与所述基底半导体衬底和所述表面半导体层中的至少一者的界面处。所述掩埋介电层的与所述基底半导体衬底和所述表面半导体层中的所述至少一者的界面是突变的，在小于约5个原子层厚度中提供过渡，并具有小于约10埃RMS的界面粗糙度。包括无氮的氧化物介电材料的第二介电层可以位于所述掩埋介电层和所述表面半导体层之间。

公开(公告)号：CN101106141A

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200710128129.0

申请日：2007-07-06

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： A·I·舒 ,  J·W·斯雷特 ,  W·亨施 ,  古川俊治 ,  任志斌 ,  D·V·辛格

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L21/762 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L29/78603 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78606 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种绝缘体上半导体结构包括位于基底半导体衬底与表面半导体层之间的掩埋介电层。所述掩埋介电层包括其中包括氮梯度的氧化物材料，所述氮梯度的峰值在所述掩埋介电层的与所述基底半导体衬底和所述表面半导体层中的至少一者的界面处。所述掩埋介电层的与所述基底半导体衬底和所述表面半导体层中的所述至少一者的界面是突变的，在小于约5个原子层厚度中提供过渡，并具有小于约10埃PMS的界面粗糙度。包括无氮的氧化物介电材料的第二介电层可以位于所述掩埋介电层和所述表面半导体层之间。