公开(公告)号：CN103890905B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201280051237.1

申请日：2012-09-14

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： E·A·卡蒂尔 ,  B·J·格里尼 ,  郭德超 ,  王淦 ,  王延锋 ,  K·K·H·黄

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/28017 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66795

Abstract: 公开了FinFET结构和用于制造FinFET结构的方法。该方法包括对FinFET结构的栅极叠层执行氧退火处理以引起Vt漂移。在侧壁拉低之后以及在硅化之后执行氧退火处理。一种结构，其包含从半导体膜图案化的多个鳍结构。该结构还包含包覆在多个鳍结构周围的栅极叠层。该栅极叠层包含经受横向氧扩散以引起栅极叠层的Vt漂移的高k电介质材料。

公开(公告)号：CN103890905A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201280051237.1

申请日：2012-09-14

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： E·A·卡蒂尔 ,  B·J·格里尼 ,  郭德超 ,  王淦 ,  王延锋 ,  K·K·H·黄

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/28017 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66795

Abstract: 公开了FinFET结构和用于制造FinFET结构的方法。该方法包括对FinFET结构的栅极叠层执行氧退火处理以引起Vt漂移。在侧壁拉低之后以及在硅化之后执行氧退火处理。一种结构，其包含从半导体膜图案化的多个鳍结构。该结构还包含包覆在多个鳍结构周围的栅极叠层。该栅极叠层包含经受横向氧扩散以引起栅极叠层的Vt漂移的高k电介质材料。