公开(公告)号：CN111512438B

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN201880082340.X

申请日：2018-12-19

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 李宇龙 ,  P·M·所罗门 ,  S·科斯瓦特

IPC: H01L27/098

Abstract: 本发明的实施例涉及具有可控电阻的半导体器件的方法和所得结构。形成半导体器件的示例方法包括在衬底上形成场效应晶体管(FET)的源极端子和漏极端子。源极端子和漏极端子形成在沟道区的两侧。能量势垒邻近源极端子和沟道区形成。在沟道区上形成导电栅极。

公开(公告)号：CN111512438A

公开(公告)日：2020-08-07

申请号：CN201880082340.X

申请日：2018-12-19

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 李宇龙 ,  P·M·所罗门 ,  S·科斯瓦特

IPC: H01L27/098

Abstract: 本发明的实施例涉及具有可控电阻的半导体器件的方法和所得结构。形成半导体器件的示例方法包括在衬底上形成场效应晶体管(FET)的源极端子和漏极端子。源极端子和漏极端子形成在沟道区的两侧。能量势垒邻近源极端子和沟道区形成。在沟道区上形成导电栅极。