公开(公告)号：CN118575064A

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202280089744.8

申请日：2022-11-22

Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所 ,  株式会社尼康

Inventor： 金泽周介 ,  板垣元士 ,  小泉翔平 ,  鬼头义昭 ,  幡山胜弘 ,  沈昌勋

IPC: G01L1/18 ,  G01L5/00

Abstract: 柔性传感器(10)具备：具有挠性的主基板(21)；设在主基板(21)上的支承基板(28)，其具有挠性，至少外表面由具有电绝缘性的材料形成；以及可变电阻部(24)，其电阻值根据自身的应变而变化，设在支承基板(28)中的与主基板(21)相反一侧的第1面(28a)。

公开(公告)号：CN107255870A

公开(公告)日：2017-10-17

申请号：CN201710420239.8

申请日：2013-10-02

Applicant: 株式会社尼康

Inventor： 宫地章 ,  奈良圭 ,  小泉翔平 ,  宫本健司

IPC: G02F1/13 ,  G02F1/1333

Abstract: 一种薄膜形成装置，在基板的表面形成薄膜，具有：供给部，其将含有薄膜材料的溶媒的液滴供给至基板的表面；形状变形部，其使基板的表面上的液滴的形状以从一个方向朝向另一个方向延伸的方式变形；除去部，其对从一个方向朝向另一个方向延伸了的液滴除去溶媒。

公开(公告)号：CN104737279B

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：CN201380053966.5

申请日：2013-10-02

Applicant: 株式会社尼康

Inventor： 宫地章 ,  奈良圭 ,  小泉翔平 ,  宫本健司

IPC: H01L21/368 ,  B05D3/12 ,  G02F1/13 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

CPC classification number: G02F1/133305 ,  G02F1/1303

Abstract: 一种薄膜形成装置，在基板的表面形成薄膜，具有：供给部，其将含有薄膜材料的溶媒的液滴供给至基板的表面；形状变形部，其使基板的表面上的液滴的形状以从一个方向朝向另一个方向延伸的方式变形；除去部，其对从一个方向朝向另一个方向延伸了的液滴除去溶媒。

公开(公告)号：CN103733319B

公开(公告)日：2017-06-16

申请号：CN201280037825.X

申请日：2012-08-06

Applicant: 株式会社尼康

Inventor： 小泉翔平 ,  杉崎敬 ,  宫本健司

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/288 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L51/0021 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/105

Abstract: 本发明的目的是提供一种有机半导体与电极之间的接触电阻降低且生产性良好的晶体管的制造方法。本发明是一种晶体管的制造方法，特征在于：形成载持无电解镀敷用触媒的基底膜；对基底膜载持无电解镀敷用触媒进行第1无电解镀敷；于通过第1无电解镀敷所形成的电极的表面进行第2无电解镀敷，形成源极、漏极电极；及，形成与源极、漏极电极相对的面接触的半导体层；且，第2无电解镀敷中使用的材料的功函数、与半导体层的材料中的用于电子移动的分子轨道的能量位准的能量位准差小于第1无电解镀敷中使用的材料的功函数、与上述分子轨道的能量位准的能量位准差。

公开(公告)号：CN105706220A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201480060991.0

申请日：2014-11-20

Applicant: 株式会社尼康

Inventor： 小泉翔平 ,  杉崎敬 ,  川上雄介

IPC: H01L21/336 ,  C23C18/31 ,  C23C18/32 ,  C23C28/00 ,  H01L21/28 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L29/41 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05

CPC classification number: H01L51/0529 ,  C23C18/2086 ,  C23C18/31 ,  C23C18/32 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823462 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/786 ,  H01L51/0017 ,  H01L51/052 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/055

Abstract: 本发明的晶体管的制造方法具有下述工序：在具有源极(6)、漏极(7)、半导体层(9)的基板(2)上，覆盖半导体层(9)，形成以含氟树脂为形成材料的第1绝缘体层(10)；覆盖第1绝缘体层(10)，形成第2绝缘体层(11)；在第2绝缘体层(11)的表面的至少一部分形成基底膜(12)；在基底膜(12)的表面析出作为无电解镀覆用催化剂的金属后，利用无电解镀覆在基底膜的表面形成栅极，形成基底膜(12)的工序是将作为基底膜(12)的形成材料的液态物(12S)涂布于第2绝缘体层(11)的表面来进行的，与第1绝缘体层(10)相比，第2绝缘体层(11)对于液态物(12S)具有更高的亲液性。

公开(公告)号：CN117730406A

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202280050815.3

申请日：2022-07-27

Applicant: 株式会社尼康

Inventor： 小泉翔平 ,  鬼头义昭 ,  川端诚司 ,  木内徹

IPC: H01L21/768 ,  H05K3/24 ,  H05K3/18 ,  H01L29/786 ,  H01L29/49 ,  H01L29/423 ,  H01L29/417 ,  H01L23/532 ,  H01L21/336 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/288 ,  C23C18/32

Abstract: 一种金属布线的制造方法，其为在基板上制造金属布线的方法，其具备：在上述基板上的至少一部分形成包含第一材料的第一层的工序；在上述第一层形成裂纹，形成具有裂纹的第一层的工序；以及在具有上述裂纹的第一层形成包含第二材料的第二层的工序。

公开(公告)号：CN105706222B

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201480061040.5

申请日：2014-11-21

Applicant: 株式会社尼康

Inventor： 小泉翔平 ,  杉崎敬 ,  川上雄介

IPC: H01L21/336 ,  C23C18/31 ,  C23C18/32 ,  C23C28/00 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L51/0541 ,  C23C18/1605 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/30 ,  C23C18/31 ,  C23C18/32 ,  C23C18/34 ,  C23C18/42 ,  C23C28/00 ,  G03F7/20 ,  G03F7/32 ,  G03F7/40 ,  H01L29/786 ,  H01L51/0005 ,  H01L51/0023 ,  H01L51/0545

Abstract: 本发明的布线图案的制造方法具有下述步骤：在基板(2)上涂布含有第1形成材料的液体物，形成基底膜(3)；在基底膜(3)的表面的至少一部分涂布含有第2形成材料的液体物，形成基底膜(3)的保护层(9)；在保护层(9)的表面形成抗蚀剂层(4A)，并以所需的图案光对抗蚀剂层(4A)进行曝光；使经曝光的抗蚀剂层(4A)与显影液(D)接触，去除抗蚀剂层(4A)与保护层(9)直至基底膜(3)与图案光对应地露出；使催化剂(5)在露出的基底膜(3)的表面析出后，使无电解镀覆液接触基底膜(3)的表面，进行无电解镀覆。

公开(公告)号：CN107108796A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201680006157.2

申请日：2016-04-08

Applicant: 株式会社尼康

Inventor： 川上雄介 ,  小泉翔平 ,  杉崎敬

IPC: C08F20/36 ,  C09D133/14 ,  C23C18/20 ,  H05K3/18 ,  H05K3/38

Abstract: 本发明提供一种具有优异的稳定性和对基板的密合性、能够实施无电解镀覆布线的化合物。本发明的高分子化合物具有由下述式(1)表示的结构单元。式(1)中，R1表示氢或甲基，m表示2～20的整数，Q表示感光性离去基团。

公开(公告)号：CN105706222A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201480061040.5

申请日：2014-11-21

Applicant: 株式会社尼康

Inventor： 小泉翔平 ,  杉崎敬 ,  川上雄介

IPC: H01L21/336 ,  C23C18/31 ,  C23C18/32 ,  C23C28/00 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L51/0541 ,  C23C18/1605 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/30 ,  C23C18/31 ,  C23C18/32 ,  C23C18/34 ,  C23C18/42 ,  C23C28/00 ,  G03F7/20 ,  G03F7/32 ,  G03F7/40 ,  H01L29/786 ,  H01L51/0005 ,  H01L51/0023 ,  H01L51/0545

Abstract: 本发明的布线图案的制造方法具有下述步骤：在基板(2)上涂布含有第1形成材料的液体物，形成基底膜(3)；在基底膜(3)的表面的至少一部分涂布含有第2形成材料的液体物，形成基底膜(3)的保护层(9)；在保护层(9)的表面形成抗蚀剂层(4A)，并以所需的图案光对抗蚀剂层(4A)进行曝光；使经曝光的抗蚀剂层(4A)与显影液(D)接触，去除抗蚀剂层(4A)与保护层(9)直至基底膜(3)与图案光对应地露出；使催化剂(5)在露出的基底膜(3)的表面析出后，使无电解镀覆液接触基底膜(3)的表面，进行无电解镀覆。

公开(公告)号：CN105980600A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201580008353.9

申请日：2015-02-26

Applicant: 株式会社尼康

Inventor： 小泉翔平 ,  杉崎敬 ,  川上雄介

IPC: C23C18/18

CPC classification number: H01L51/0021 ,  C23C18/1605 ,  C23C18/204 ,  C23C18/2086 ,  C23C18/285 ,  C23C18/30 ,  C23C18/32 ,  C23C18/42 ,  C23C18/54 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/055 ,  H01L51/105

Abstract: 本发明的布线图案的制造方法具有下述步骤：在基板(2)上形成含有第1形成材料的镀覆基底膜的前体膜(3x)，所述第1形成材料具有由光反应性的保护基保护的氨基；在所述前体膜的表面形成由光致抗蚀剂材料构成的光致抗蚀剂层(4A)；以所需图案光对所述光致抗蚀剂层进行曝光；以所需图案光对所述前体膜进行曝光，形成所述镀覆基底膜(3)；使经曝光的所述光致抗蚀剂层显影的同时去除脱保护后的保护基；使无电解镀覆用催化剂(5)在露出的所述镀覆基底膜的表面析出。