一种低中子吸收ZrTiNbAlTa难熔铸造高熵合金及其制备方法

    公开(公告)号:CN113549804A

    公开(公告)日:2021-10-26

    申请号:CN202110737427.X

    申请日:2021-06-30

    Abstract: 本发明提供一种低中子吸收ZrTiNbAlTa难熔铸造高熵合金及其制备方法,该高熵合金所选元素具有低的中子吸收截面:Zr=0.185靶、Ti=6.09靶、Nb=1.15靶、Al=0.231靶、Ta=20.6靶;合金表达式为ZraTibNbcAldTae,合金表达式中a、b、c、d、e分别表示各元素的原子百分含量,且满足以下条件:a=30‑40at.%,b=20‑35at.%,c=15‑30at.%,d=2‑25at.%,e=2‑25at.%,a+b+c+d+e=100。本发明合金具有更低的中子吸收截面,力学性能获得显著提升,该合金在核电等关键高技术领域中具有广阔的应用前景。

    一种ZrTiNbAlV低中子吸收截面难熔高熵合金及其制备方法

    公开(公告)号:CN113462948A

    公开(公告)日:2021-10-01

    申请号:CN202110737420.8

    申请日:2021-06-30

    Abstract: 一种ZrTiNbAlV低中子吸收截面难熔高熵合金及其制备方法。本发明提供一种兼具低中子吸收截面和优异力学性能的难熔高熵合金及其制备方法,该高熵合金所选元素具有低的中子吸收截面:Zr=0.185靶、Ti=6.09靶、Nb=1.15靶、Al=0.231靶、V=5.08靶;合金表达式为ZraTibNbcAldVe,合金表达式中a、b、c、d、e分别表示各元素的原子百分含量,且满足以下条件:a=30‑40at.%,b=20‑35at.%,c=15‑30at.%,d=2‑25at.%,e=2‑25at.%,a+b+c+d+e=100;该难熔高熵合金的制备方法包括下述步骤:(1)高熵合金的冶炼与铸造;(2)冷轧;(3)退火。

    一种低中子吸收ZrTiNbAlV难熔铸造高熵合金及其制备方法

    公开(公告)号:CN113549803A

    公开(公告)日:2021-10-26

    申请号:CN202110735016.7

    申请日:2021-06-30

    Abstract: 本发明提供一种低中子吸收ZrTiNbAlV难熔铸造高熵合金及其制备方法,该高熵合金所选元素具有低的中子吸收截面:Zr=0.185靶、Ti=6.09靶、Nb=1.15靶、Al=0.231靶、V=5.08靶;合金表达式为ZraTibNbcAldVe,合金表达式中a、b、c、d、e分别表示各元素的原子百分含量,且满足以下条件:a=20‑40at.%,b=20‑35at.%,c=10‑30at.%,d=2‑25at.%,e=2‑25at.%,a+b+c+d+e=100。本发明制备方法简单,合金经过熔炼后能够进行铸造操作,可用也可不用铸造后热处理。工艺可控性强,容易实现工业化生产。

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