嵌入式铌酸锂或钽酸锂单晶芯光纤的制备方法及单晶芯光纤

    公开(公告)号:CN106980152A

    公开(公告)日:2017-07-25

    申请号:CN201710258268.9

    申请日:2017-04-19

    Abstract: 本发明提供的是一种嵌入式铌酸锂或钽酸锂单晶芯光纤的制备方法及单晶芯光纤。本发明单晶芯光纤由低折射率的二氧化硅石英玻璃包层和高折射率的铌酸锂或钽酸锂单晶芯组成。本发明是采用将铌酸锂或钽酸锂单晶圆柱棒或多晶圆柱棒嵌入到低软化温度点的高纯厚壁石英管中,通过加热拉伸、堆积组棒、光纤拉制及纤芯单晶化等步骤来制备石英包层铌酸锂或钽酸锂单晶芯光纤。通过将光纤拉制与晶体生长相结合,本发明克服了一般单晶光纤生长方法所制备的晶纤长度较短,且光纤形貌存在诸多缺陷及与光通信系统中的标准单模光纤不能兼容的缺点。且用该方法生长出的单晶光纤具有丝径、长度可控等优点,可用于微小型及在线光子调控的相位调制器等。

    一种掺杂单晶多芯光纤的制备方法及掺杂单晶多芯光纤

    公开(公告)号:CN107151092B

    公开(公告)日:2019-09-27

    申请号:CN201710258664.1

    申请日:2017-04-19

    Abstract: 本发明提供的是一种掺杂单晶多芯光纤的制备方法及掺杂单晶多芯光纤。掺杂单晶多芯光纤为在同一石英包层内含有两个及以上的掺杂单晶纤芯,由低折射率二氧化硅石英玻璃和高折射率掺杂单晶构成光纤波导结构。是获得多孔光纤预制棒,再经拉制得到多孔毛细管,然后在高温、高压下将掺杂晶体熔体注入到石英毛细管中的多微孔内形成多晶体纤芯,最后经过横向加热使得纤芯完成单晶化等步骤来制备出石英包层掺杂单晶多芯光纤。通过将毛细管多孔内熔体注入与后期晶体生长相结合,用该方法生长出的掺杂单晶多芯光纤具有丝径长度可控、纤芯数量和位置任意排列等优点,可用于微小型及在线光子调控的相位调制器、光开关和干涉仪等。

    嵌入式铌酸锂或钽酸锂单晶芯光纤的制备方法及单晶芯光纤

    公开(公告)号:CN106980152B

    公开(公告)日:2020-06-16

    申请号:CN201710258268.9

    申请日:2017-04-19

    Abstract: 本发明提供的是一种嵌入式铌酸锂或钽酸锂单晶芯光纤的制备方法及单晶芯光纤。本发明单晶芯光纤由低折射率的二氧化硅石英玻璃包层和高折射率的铌酸锂或钽酸锂单晶芯组成。本发明是采用将铌酸锂或钽酸锂单晶圆柱棒或多晶圆柱棒嵌入到低软化温度点的高纯厚壁石英管中,通过加热拉伸、堆积组棒、光纤拉制及纤芯单晶化等步骤来制备石英包层铌酸锂或钽酸锂单晶芯光纤。通过将光纤拉制与晶体生长相结合,本发明克服了一般单晶光纤生长方法所制备的晶纤长度较短,且光纤形貌存在诸多缺陷及与光通信系统中的标准单模光纤不能兼容的缺点。且用该方法生长出的单晶光纤具有丝径、长度可控等优点,可用于微小型及在线光子调控的相位调制器等。

    一种掺杂单晶多芯光纤的制备方法及掺杂单晶多芯光纤

    公开(公告)号:CN107151092A

    公开(公告)日:2017-09-12

    申请号:CN201710258664.1

    申请日:2017-04-19

    Abstract: 本发明提供的是一种掺杂单晶多芯光纤的制备方法及掺杂单晶多芯光纤。掺杂单晶多芯光纤为在同一石英包层内含有两个及以上的掺杂单晶纤芯,由低折射率二氧化硅石英玻璃和高折射率掺杂单晶构成光纤波导结构。是获得多孔光纤预制棒,再经拉制得到多孔毛细管,然后在高温、高压下将掺杂晶体熔体注入到石英毛细管中的多微孔内形成多晶体纤芯,最后经过横向加热使得纤芯完成单晶化等步骤来制备出石英包层掺杂单晶多芯光纤。通过将毛细管多孔内熔体注入与后期晶体生长相结合,用该方法生长出的掺杂单晶多芯光纤具有丝径长度可控、纤芯数量和位置任意排列等优点,可用于微小型及在线光子调控的相位调制器、光开关和干涉仪等。

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