湍流边界层等离子体减阻系统与方法

    公开(公告)号:CN111465162A

    公开(公告)日:2020-07-28

    申请号:CN202010439964.1

    申请日:2020-05-22

    Abstract: 本发明提供了一种湍流边界层等离子体减阻系统,包括等离子体激励器,所述等离子体激励器包括正电极、电介质层、负电极、封装层和高压等离子体电源,所述负电极封装在所述封装层之内,所述电介质层位于所述封装层、正电极之间,所述高压等离子体电源分别与所述正电极、负电极连接。本发明还提供了一种湍流边界层等离子体减阻方法。本发明的有益效果是:将等离子体激励器直接安装在平板表面上,通过在正、负电极间施加电压,激励器放电处将产生具有一定速度的展向诱导气流,该诱导气流与来流相互作用产生反向旋转的流向涡结构,以减少壁面受到的空气摩擦阻力,从而降低流动过程中的能量损耗。

    一种高强度高电导率的金属玻璃复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN110699676A

    公开(公告)日:2020-01-17

    申请号:CN201911139237.7

    申请日:2019-11-20

    Inventor: 谢国强 黄志伟

    Abstract: 本发明提供了一种高强度高电导率的金属玻璃复合材料及其制备方法,包括以下步骤:制备Cu50Zr43Al7粉末颗粒;在得到的Cu50Zr43Al7粉末颗粒进行镀前预处理,然后进行化学镀,清洗干燥后得到铜包覆Cu50Zr43Al7金属玻璃粉末;将铜包覆Cu50Zr43Al7金属玻璃粉末与铜粉混合进行放电等离子烧结,得到高强度高电导率的金属玻璃复合材料,烧结温度为不大于503℃。采用本发明的技术方案,采用对特定的金属玻璃粉末进行化学镀铜的方法制备复合粉末,使得晶体铜均匀且牢固的与金属玻璃粉末结合,最后与铜粉混合进行烧结得到的复合材料,该复合材料在具有更高的强度的同时,兼具更好的导电率。

    湍流边界层等离子体减阻系统

    公开(公告)号:CN211930949U

    公开(公告)日:2020-11-13

    申请号:CN202020873435.8

    申请日:2020-05-22

    Abstract: 本实用新型提供了一种湍流边界层等离子体减阻系统,包括等离子体激励器,所述等离子体激励器包括正电极、电介质层、负电极、封装层和高压等离子体电源,所述负电极封装在所述封装层之内,所述电介质层位于所述封装层、正电极之间,所述高压等离子体电源分别与所述正电极、负电极连接。本实用新型的有益效果是:将等离子体激励器直接安装在平板表面上,通过在正、负电极间施加电压,激励器放电处将产生具有一定速度的展向诱导气流,该诱导气流与来流相互作用产生反向旋转的流向涡结构,以减少壁面受到的空气摩擦阻力,从而降低流动过程中的能量损耗。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

    一种测量平板边界层内微小表面空气摩擦阻力的测力天平

    公开(公告)号:CN206410842U

    公开(公告)日:2017-08-15

    申请号:CN201620961138.2

    申请日:2016-08-26

    Abstract: 本实用新型提供了一种测量平板边界层内微小表面空气摩擦阻力的测力天平,包含平衡杆、支撑杆、刀片型支点、浮动控制平面以及力传感器等。在实验研究和工程应用中,我们经常需要测量湍流边界层内的空气摩擦阻力,其大小仅为10‑4N数量级甚至更低。然而,国内外市场均无现成仪器能够准确地直接测量如此小的空气摩擦阻力。本实用新型中的测力天平适用于平板边界层内空气摩擦阻力的精确测量,分辨率达5×10‑5N。

    一种新型多电极等离子体激励器结构

    公开(公告)号:CN217936039U

    公开(公告)日:2022-11-29

    申请号:CN202222149192.5

    申请日:2022-08-16

    Abstract: 本实用新型涉及叶片流动分离控制领域,特别涉及一种新型多电极等离子体激励器结构。该结构包括裸露电极、掩埋电极、电介质层、绝缘层、高压等离子体交流电源、高压等离子体直流电源,电介质层处于裸露电极和绝缘层之间,掩埋电极预埋在电介质层内,高压等离子体交流电源与裸露电极相接,高压等离子体直流电源与掩埋电极相接。通过在裸露电极和掩埋电极上施加高电压激励,激励器放电处将产生流向射流和诱导漩涡,该诱导射流与来流相互作用,在定常激励模式下,壁面法向的速度脉动触发了展向涡结构的生成;在非定常激励模式下,电介质层上方会形成周期性的大尺度漩涡结构,能够大幅延迟翼型的失速角,并获得较大的升力提升。

Patent Agency Ranking