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公开(公告)号：CN108389956B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201810194956.8
申请日：2018-03-09
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
Abstract: 本发明提供了一种n型SnSe基热电纳米材料的制备方法，其采用化学合成的方法，以2‑乙基己酸铋作为Bi源，在SnSe基热电材料中掺入Bi元素，Bi元素掺杂的摩尔百分含量为1~5％。采用本发明的技术方案，通过采用金属有机物2‑乙基己酸铋作为掺杂剂可以有效实现n型掺杂，获得在500℃时仍为稳定的n型导电的SnSe基热电材料；通过有效Bi掺杂，能够调控载流子浓度，从而优化SnSe基热电材料的功率因子，通过纳米化合成，能够增加声子散射，降低晶格热导率，从而优化其ZT值，其电学综合性能优于传统熔炼方法获得的Bi掺杂SnSe基热电材料。
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公开(公告)号：CN111081857A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911354868.0
申请日：2019-12-25
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本发明提供了一种六方ZrBeSi结构的Zintl相热电材料及其制备方法，所述Zintl相热电材料具有六方ZrBeSi结构，其化学式为A2BC2，其中，A为元素Eu、Sr中的一种或两种的组合，B为元素Zn或Zn与第一掺杂元素的组合，C为元素Sb、Bi中的一种或两种的组合；或其化学式为DEF，其中D为元素Eu、Sr、Ba、Ca中的一种或两种以上的组合，B为元素Cu、Ag或Au中的一种或两种以上的组合，C为元素Sb、Bi中的一种或两种的组合。本发明公开了一类新的热电材料，其热电优值与目前主流热电材料的基体性能接近，另外通过掺杂调控后，该类化合物可以实现更高的热电优值，具有一定的潜在应用价值。
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公开(公告)号：CN110976863A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911299935.3
申请日：2019-12-17
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本发明提供了一种铬镍系奥氏体不锈钢合金用于热电材料电极的应用及Mg3Sb2热电接头，所述其从上至下依次包括上电极层、热电材料层和下电极层，所述上电极层、下电极层的材质采用铬镍系奥氏体不锈钢合金，所述热电材料层为Mg3Sb2基热电材料，所述上电极层、热电材料层和下电极层依次叠放后通过烧结得到Mg3Sb2热电接头。采用发明的技术方案的热电接头具有较低的界面接触电阻，较高的连接强度以及良好的界面稳定性，能够有效提高Mg3Sb2基热电器件的可靠性和服役寿命，而且制备方法工艺简单、成本较低、适合工业化生产。
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公开(公告)号：CN110976863B
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN201911299935.3
申请日：2019-12-17
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本发明提供了一种铬镍系奥氏体不锈钢合金用于热电材料电极的应用及Mg3Sb2热电接头，所述其从上至下依次包括上电极层、热电材料层和下电极层，所述上电极层、下电极层的材质采用铬镍系奥氏体不锈钢合金，所述热电材料层为Mg3Sb2基热电材料，所述上电极层、热电材料层和下电极层依次叠放后通过烧结得到Mg3Sb2热电接头。采用发明的技术方案的热电接头具有较低的界面接触电阻，较高的连接强度以及良好的界面稳定性，能够有效提高Mg3Sb2基热电器件的可靠性和服役寿命，而且制备方法工艺简单、成本较低、适合工业化生产。
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公开(公告)号：CN112018228A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010883436.5
申请日：2020-08-26
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本发明属于材料制备技术领域，涉及一种低热导率双half-Heusler合金热电材料及其制备方法，具体涉及一种低热导率的Sc0.5-xMxNb0.5-yNyNiSn(0≤x≤0.2，0≤y＜0.5)基双half-Heusler热电材料及其制备方法，材料设计理念是由假想的17电子ScNiSn及19电子NbNiSn基half-Heusler化合物复合而成，其中，M为掺杂元素Nb、Ti、Zr、Hf其中的一种或几种，N为合金化元素V、Ta中的一种或两种。本发明通过悬浮熔炼法制备出Sc0.5-xMxNb0.5-yNyNiSn基双half-Heusler热电材料。这是一种具有本征低晶格热导率的新型half-Heusler热电材料，丰富了中高温区热电材料体系；同时，该材料可以通过在Sc和Nb位分别掺杂Zr，实现同一基底材料的n型和p型两种半导体态，对于热电器件应用具有重要意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112018228B
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202010883436.5
申请日：2020-08-26
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本发明属于材料制备技术领域，涉及一种低热导率双half‑Heusler合金热电材料及其制备方法，具体涉及一种低热导率的Sc0.5‑xMxNb0.5‑yNyNiSn(0≤x≤0.2，0≤y＜0.5)基双half‑Heusler热电材料及其制备方法，材料设计理念是由假想的17电子ScNiSn及19电子NbNiSn基half‑Heusler化合物复合而成，其中，M为掺杂元素Nb、Ti、Zr、Hf其中的一种或几种，N为合金化元素V、Ta中的一种或两种。本发明通过悬浮熔炼法制备出Sc0.5‑xMxNb0.5‑yNyNiSn基双half‑Heusler热电材料。这是一种具有本征低晶格热导率的新型half‑Heusler热电材料，丰富了中高温区热电材料体系；同时，该材料可以通过在Sc和Nb位分别掺杂Zr，实现同一基底材料的n型和p型两种半导体态，对于热电器件应用具有重要意义。
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公开(公告)号：CN109536821B
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201811387468.5
申请日：2018-11-21
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本发明提供了一种铕锌锑基Zintl相热电材料及其制备方法，所述铕锌锑基Zintl相热电材料的化学组成为Eu2Zn1‑xSb2，其中x满足0≤x≤0.1。与已经报道过的1‑2‑2型铕锌锑化合物相比，本发明公开的一种新的Eu、Zn、Sb三元化合物热电材料具有完全不同的晶体结构，该结构的化合物具有极低的晶格热导率以及较高的载流子迁移率，可以通过调节Zn空位可以有效改善材料的电输运性质，抑制双极扩散，提高材料的热电性能。
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公开(公告)号：CN108389956A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810194956.8
申请日：2018-03-09
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
Abstract: 本发明提供了一种n型SnSe基热电纳米材料的制备方法，其采用化学合成的方法，以2-乙基己酸铋作为Bi源，在SnSe基热电材料中掺入Bi元素，Bi元素掺杂的摩尔百分含量为1~5％。采用本发明的技术方案，通过采用金属有机物2-乙基己酸铋作为掺杂剂可以有效实现n型掺杂，获得在500℃时仍为稳定的n型导电的SnSe基热电材料；通过有效Bi掺杂，能够调控载流子浓度，从而优化SnSe基热电材料的功率因子，通过纳米化合成，能够增加声子散射，降低晶格热导率，从而优化其ZT值，其电学综合性能优于传统熔炼方法获得的Bi掺杂SnSe基热电材料。
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公开(公告)号：CN112310269A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202011206645.2
申请日：2020-11-03
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本发明属于热电材料技术领域，具体涉及一种兼具发电和制冷潜力的Mg3(Sb,Bi)2基热电材料及其制备方法。其中，包括：A掺杂在Sb位：Mg3.2‑m‑qMmSb2‑x‑yBixAy，和A掺杂在Mg位：Mg3.2‑m‑y‑qMmAySb2‑xBix。本发明通过成分调控，提出了一类可以兼具发电和制冷潜力的Mg3(Sb,Bi)2基热电材料。从热电性能结果可以看出，这类材料具有较高的热电优值，不仅能够满足温差发电的要求，其室温附近的热电性能也足以应对制冷的需要。本专利所提出的Mg3(Sb,Bi)2基热电材料有助于推进此类化合物的实际应用。
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公开(公告)号：CN109536821A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811387468.5
申请日：2018-11-21
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本发明提供了一种铕锌锑基Zintl相热电材料及其制备方法，所述铕锌锑基Zintl相热电材料的化学组成为Eu2Zn1-xSb2，其中x满足0 ≤x ≤ 0.1。与已经报道过的1-2-2型铕锌锑化合物相比，本发明公开的一种新的Eu、Zn、Sb三元化合物热电材料具有完全不同的晶体结构，该结构的化合物具有极低的晶格热导率以及较高的载流子迁移率，可以通过调节Zn空位可以有效改善材料的电输运性质，抑制双极扩散，提高材料的热电性能。
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