公开(公告)号：CN108389956B

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN201810194956.8

申请日：2018-03-09

Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院

Inventor： 张倩 ,  李孝芳 ,  陈辰 ,  曹峰 ,  刘兴军

IPC: H01L35/34 ,  H01L35/16

Abstract: 本发明提供了一种n型SnSe基热电纳米材料的制备方法，其采用化学合成的方法，以2‑乙基己酸铋作为Bi源，在SnSe基热电材料中掺入Bi元素，Bi元素掺杂的摩尔百分含量为1~5％。采用本发明的技术方案，通过采用金属有机物2‑乙基己酸铋作为掺杂剂可以有效实现n型掺杂，获得在500℃时仍为稳定的n型导电的SnSe基热电材料；通过有效Bi掺杂，能够调控载流子浓度，从而优化SnSe基热电材料的功率因子，通过纳米化合成，能够增加声子散射，降低晶格热导率，从而优化其ZT值，其电学综合性能优于传统熔炼方法获得的Bi掺杂SnSe基热电材料。

公开(公告)号：CN108389956A

公开(公告)日：2018-08-10

申请号：CN201810194956.8

申请日：2018-03-09

Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院

Inventor： 张倩 ,  李孝芳 ,  陈辰 ,  曹峰 ,  刘兴军

IPC: H01L35/34 ,  H01L35/16

Abstract: 本发明提供了一种n型SnSe基热电纳米材料的制备方法，其采用化学合成的方法，以2-乙基己酸铋作为Bi源，在SnSe基热电材料中掺入Bi元素，Bi元素掺杂的摩尔百分含量为1~5％。采用本发明的技术方案，通过采用金属有机物2-乙基己酸铋作为掺杂剂可以有效实现n型掺杂，获得在500℃时仍为稳定的n型导电的SnSe基热电材料；通过有效Bi掺杂，能够调控载流子浓度，从而优化SnSe基热电材料的功率因子，通过纳米化合成，能够增加声子散射，降低晶格热导率，从而优化其ZT值，其电学综合性能优于传统熔炼方法获得的Bi掺杂SnSe基热电材料。