公开(公告)号：CN112018228A

公开(公告)日：2020-12-01

申请号：CN202010883436.5

申请日：2020-08-26

Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)

Inventor： 张倩 ,  王青梅 ,  曹峰 ,  尹力 ,  陈辰 ,  李善 ,  谢小东 ,  张伟明 ,  邓衍帅 ,  刘兴军

IPC: H01L35/12 ,  H01L35/18 ,  H01L35/20 ,  H01L35/34

Abstract: 本发明属于材料制备技术领域，涉及一种低热导率双half-Heusler合金热电材料及其制备方法，具体涉及一种低热导率的Sc0.5-xMxNb0.5-yNyNiSn(0≤x≤0.2，0≤y＜0.5)基双half-Heusler热电材料及其制备方法，材料设计理念是由假想的17电子ScNiSn及19电子NbNiSn基half-Heusler化合物复合而成，其中，M为掺杂元素Nb、Ti、Zr、Hf其中的一种或几种，N为合金化元素V、Ta中的一种或两种。本发明通过悬浮熔炼法制备出Sc0.5-xMxNb0.5-yNyNiSn基双half-Heusler热电材料。这是一种具有本征低晶格热导率的新型half-Heusler热电材料，丰富了中高温区热电材料体系；同时，该材料可以通过在Sc和Nb位分别掺杂Zr，实现同一基底材料的n型和p型两种半导体态，对于热电器件应用具有重要意义。

公开(公告)号：CN112018228B

公开(公告)日：2022-12-13

申请号：CN202010883436.5

申请日：2020-08-26

Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)

Inventor： 张倩 ,  王青梅 ,  曹峰 ,  尹力 ,  陈辰 ,  李善 ,  谢小东 ,  张伟明 ,  邓衍帅 ,  刘兴军

IPC: H01L35/12 ,  H01L35/18 ,  H01L35/20 ,  H01L35/34

Abstract: 本发明属于材料制备技术领域，涉及一种低热导率双half‑Heusler合金热电材料及其制备方法，具体涉及一种低热导率的Sc0.5‑xMxNb0.5‑yNyNiSn(0≤x≤0.2，0≤y＜0.5)基双half‑Heusler热电材料及其制备方法，材料设计理念是由假想的17电子ScNiSn及19电子NbNiSn基half‑Heusler化合物复合而成，其中，M为掺杂元素Nb、Ti、Zr、Hf其中的一种或几种，N为合金化元素V、Ta中的一种或两种。本发明通过悬浮熔炼法制备出Sc0.5‑xMxNb0.5‑yNyNiSn基双half‑Heusler热电材料。这是一种具有本征低晶格热导率的新型half‑Heusler热电材料，丰富了中高温区热电材料体系；同时，该材料可以通过在Sc和Nb位分别掺杂Zr，实现同一基底材料的n型和p型两种半导体态，对于热电器件应用具有重要意义。