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公开(公告)号：CN118643643A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410624085.4
申请日：2024-05-20
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
IPC: G06F30/20 , G01K11/00 , G01N21/65 , G06F119/08
Abstract: 本申请适用于半导体技术领域，提供了一种β‑Ga2O3基半导体器件的三维温度分析方法、装置及终端设备，所述三维温度分析方法包括：在所述阳极和所述阴极之间的β‑Ga2O3层表面区域设置多个标记点；在每个标记点上沿所述β‑Ga2O3层的厚度方向延伸的直线上测量得到多个点位的拉曼数据，结合所述每个点位对应材料的温度系数，确定所述β‑Ga2O3基半导体器件的测量三维温度；其中，每个点位的深度不同；根据预设的三维电热耦合仿真模型，生成所述β‑Ga2O3基半导体器件的模拟三维温度；根据所述测量三维温度和所述模拟三维温度的平均温差，结合预设温差阈值，确定所述β‑Ga2O3基半导体器件的三维温度。通过上述方案，实现β‑Ga2O3基半导体器件热特性的精确表征。
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公开(公告)号：CN114216570B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202111500833.0
申请日：2021-12-09
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本申请属于半导体设备技术领域，尤其涉及一种热成像装置及热成像方法，热成像装置用于检测待测芯片的表面温度，热成像装置包括光源组件，用于发射预设波长的光线；反射组件，用于将光源所发出的光线反射至待测芯片表面的反射层；反射层，设置于待测芯片的表面，且反射层的禁带宽度小于光源所发出光线的能量；成像组件，用于接收经由反射层反射的光线并输出待测芯片表面的图像。本申请提供的热成像装置及热成像方法，利用禁带宽度小于光源组件的光线能量的反射层，来反映待测芯片的表面温度，有效解决了现有技术中因待测芯片的禁带宽度过大所导致的无法对待测芯片表面进行热反射成像的问题，满足芯片的热反射成像测温需求。
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公开(公告)号：CN114216570A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111500833.0
申请日：2021-12-09
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本申请属于半导体设备技术领域，尤其涉及一种热成像装置及热成像方法，热成像装置用于检测待测芯片的表面温度，热成像装置包括光源组件，用于发射预设波长的光线；反射组件，用于将光源所发出的光线反射至待测芯片表面的反射层；反射层，设置于待测芯片的表面，且反射层的禁带宽度小于光源所发出光线的能量；成像组件，用于接收经由反射层反射的光线并输出待测芯片表面的图像。本申请提供的热成像装置及热成像方法，利用禁带宽度小于光源组件的光线能量的反射层，来反映待测芯片的表面温度，有效解决了现有技术中因待测芯片的禁带宽度过大所导致的无法对待测芯片表面进行热反射成像的问题，满足芯片的热反射成像测温需求。
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公开(公告)号：CN114462273A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202210069820.0
申请日：2022-01-21
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
IPC: G06F30/23 , G01N25/20 , G06F119/08
Abstract: 本申请涉及热阻测量技术领域，尤其涉及一种键合界面层的热阻测量分析方法。本申请先在样品键合前，采用激光闪射法分别测量第一半导体材料层和第二半导体材料层的热扩散系数，计算各自的热导率，样品键合后采用激光闪射法得到样品表面的测量温升曲线，然后创建与样品相同结构参数的有限元导热仿真模型，并输入各项材料参数，将“键合界面层热导率”作为待拟合的变量，基于该模型拟合得到相匹配实验条件下的温升曲线，从而得到键合界面层的对应热导率λ0，最后计算得到键合界面热阻Rθ＝h0/λ0。本申请具有测试周期短、成本低的特点，而且还可以较为精确地测量分析键合界面层热阻，为改进键合质量和提升器件散热能力提供了测试分析的依据。
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公开(公告)号：CN113008929A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110196255.X
申请日：2021-02-22
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本发明涉及热导测量设备技术领域，提供一种热导测量装置、系统及方法，上述热导测量装置包括激光发生器、光路组件、非相干光源、入射光纤、接收光纤和光电探测器，激光发生器通过光路组件向微纳薄膜材料投射加热激光且在微纳薄膜材料上形成第一光斑，非相干光源通过入射光纤向微纳薄膜材料投射探测光且在微纳薄膜材料上形成与第一光斑相重合的第二光斑，探测光经微纳薄膜材料反射形成第一反射光，光电探测器通过接收光纤接收第一反射光，由于探测光为非相干光，有效避免探测光产生干涉效应，有效提高热导测量装置的测量精度；通过入射光纤和接收光纤分别实现对探测光的投射和对第一反射光的接收，有效简化光路结构，提高可操作性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108593707A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810532951.1
申请日：2018-05-29
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
IPC: G01N25/20
CPC classification number: G01N25/20
Abstract: 本发明公开了一种GaN外延晶片界面热阻的测量方法以及装置，包括以下步骤：发射紫外脉冲激光；发射连续激光；将紫外脉冲激光扩束；将紫外脉冲激光与连续激光进行合束共轴；两束激光汇聚到待测GaN外延晶片上；接收从待测GaN外延晶片表面反射回来的光信号；根据光热效应，通过所述光信号的变化强度评估GaN外延晶片表面温度的变化，得到瞬态热反射曲线；通过拟合程序拟合来获得待测GaN外延晶片界面热阻。本发明将加热激光设定为波长为355nm的紫外脉冲激光，探测激光设定为波长为325nm的连续激光，并进行共轴操作，以解决现有的瞬态热反射法测量GaN外延晶片界面热阻需要在GaN表面加镀金属薄膜或者进行器件加工的问题。
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公开(公告)号：CN113008929B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202110196255.X
申请日：2021-02-22
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本发明涉及热导测量设备技术领域，提供一种热导测量装置、系统及方法，上述热导测量装置包括激光发生器、光路组件、非相干光源、入射光纤、接收光纤和光电探测器，激光发生器通过光路组件向微纳薄膜材料投射加热激光且在微纳薄膜材料上形成第一光斑，非相干光源通过入射光纤向微纳薄膜材料投射探测光且在微纳薄膜材料上形成与第一光斑相重合的第二光斑，探测光经微纳薄膜材料反射形成第一反射光，光电探测器通过接收光纤接收第一反射光，由于探测光为非相干光，有效避免探测光产生干涉效应，有效提高热导测量装置的测量精度；通过入射光纤和接收光纤分别实现对探测光的投射和对第一反射光的接收，有效简化光路结构，提高可操作性。
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公开(公告)号：CN114822920B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202210396826.9
申请日：2022-04-15
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本申请涉及纳米材料技术领域，尤其涉及一种复合材料及其制备方法和应用。该复合材料的制备方法包括如下步骤：提供纳米银线；将纳米银线进行碱加热处理，得到羟基化的纳米银线；将羟基化的纳米银线与含羧基的纤维素在醇溶剂中进行酯化反应，得到酯化反应产物溶液；将酯化反应产物溶液依次进行过滤处理和干燥处理，得到复合材料。该制备方法中纳米银线表面的羟基和纤维素表面的羧基进行酯化反应缩合，从而使纳米银线和纤维素通过化学键固定连接，这样纳米银线和纤维素结合的稳定性显著优于常规的物理吸附，使制得的复合材料具有更好的稳定性，同时，酯化反应的过程并不影响纤维素表面氢键，因此自修复功能仍然保留。
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公开(公告)号：CN114968979A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210535846.X
申请日：2022-05-17
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本申请提供了一种光热反射系数的数据库建立方法、装置及可读存储介质，涉及光热反射原理的显微热成像技术领域。该方法包括：获取待测材料在不同温度、不同光波波长条件下的多个光热反射系数；确定多个光热发射系数中大于预设阈值的第一光热反射系数，和与第一光热反射系数对应的第一光波波长；根据待测材料、第一光波波长以及第一光热反射系数建立待测材料的参数信息之间的关联关系，并将关联关系存储至数据库中。在数据库中保存不同材料对应的第一光波波长以及第一光热反射系数，可以降低获取不同材料的最佳光热反射系数对应光波长的难度，为不同材料的最佳光热反射系数以及光波长的选取和热成像的实际应用提供技术支持。
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公开(公告)号：CN114923879A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210379738.8
申请日：2022-04-12
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
IPC: G01N21/47
Abstract: 本发明适用于过渡金属硫族化合物层数测量技术领域，提供了一种过渡金属硫族化合物的层数确定方法，包括以下步骤：选取层数不同的15个检测区域；获取相同光强下与各个检测区域的白光反射谱；根据各个白光反射谱确定每个检测区域的第一反射峰强度和/或第二反射峰强度；获取各个检测区域的层数；确定所有检测区域的层数与第一反射峰强度和/或第二反射峰强度的对应关系；根据对应关系以及待检测样品的白光反射谱确定待检测样品的层数。本发明提供的过渡金属硫族化合物的层数确定方法，能够简单、快速、可靠且无损地高通量确定检测区域的层数。
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