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发明公开
β-Ga2O3基半导体器件的三维温度分析方法、装置及终端设备审中-实审

公开(公告)号：CN118643643A

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202410624085.4

申请日：2024-05-20

Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)

Inventor： 孙华锐 , 谢银飞 , 何阳

IPC: G06F30/20 , G01K11/00 , G01N21/65 , G06F119/08

Abstract: 本申请适用于半导体技术领域，提供了一种β‑Ga2O3基半导体器件的三维温度分析方法、装置及终端设备，所述三维温度分析方法包括：在所述阳极和所述阴极之间的β‑Ga2O3层表面区域设置多个标记点；在每个标记点上沿所述β‑Ga2O3层的厚度方向延伸的直线上测量得到多个点位的拉曼数据，结合所述每个点位对应材料的温度系数，确定所述β‑Ga2O3基半导体器件的测量三维温度；其中，每个点位的深度不同；根据预设的三维电热耦合仿真模型，生成所述β‑Ga2O3基半导体器件的模拟三维温度；根据所述测量三维温度和所述模拟三维温度的平均温差，结合预设温差阈值，确定所述β‑Ga2O3基半导体器件的三维温度。通过上述方案，实现β‑Ga2O3基半导体器件热特性的精确表征。

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