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公开(公告)号：CN116183578A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310104170.3
申请日：2023-02-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种夹层拉曼微球与拉曼增强光纤光镊结合的生物分子检测系统，包括以下几个部分：夹层结构的拉曼光子晶体微球、拉曼光谱检测系统、表面覆银锥型光纤、三自由度微位移平台、光纤激光器、载物台等；表面覆银锥型光纤具备拉曼散射增强效应，将其锥头探入待测溶液中，光纤尖端形成高梯度汇聚光场，在光场焦点位置可实现夹层结构的拉曼光子晶体微球稳定捕获，被捕获的夹层结构拉曼光子晶体微球与表面覆银锥型光纤端部贴合，实现稳定可重复的拉曼信号增强区域，本发明具备尖端区域拉曼增强能力，在增强区域范围具备目标物分子痕量的检测功能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110459649B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201910774690.9
申请日：2019-08-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/18
Abstract: 一种基于衬底深层离子注入的单晶Si太阳电池抗位移辐照方法，属于太阳电池微电子技术领域。本发明针对现有太阳电池由于空间带电粒子的辐照会产生辐照缺陷，进而造成太阳电池I‑V特性退化的问题。它根据原单晶Si太阳电池的结构参数，确定离子的欲注入位置，并根据欲注入位置模拟确定离子的能量和射程；然后模拟离子注入过程中的目标I‑V变化曲线，当目标I‑V变化曲线的变化量小于原单晶Si太阳电池I‑V变化曲线的10％时，记录离子注入量；再计算离子注入机的离子源电压、离子束电流和离子注入时间；设置离子注入机，对原单晶Si太阳电池进行离子注入并进行退火处理，实现对原单晶Si太阳电池的抗位移辐照加固。本发明用于单晶Si太阳电池的加固。
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公开(公告)号：CN110491970A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910775586.1
申请日：2019-08-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L21/265
Abstract: 基于深层离子注入方式的倒置四结太阳电池抗位移辐照加固方法，属于微电子技术领域，本发明为解决现有倒置四结太阳电池在空间带电粒子的辐照下抗位移辐照能力差，易产生位移辐射损伤，从而严重地影响太阳电池的性能参数的问题。本发明向倒置四结太阳电池的第四结有源区和第三结有源区模拟注入离子，获得离子能量和射程信息，模拟I-V特性，记录与未注入离子时的I-V特性变化量小于10％时的注入离子量，计算注入离子电压和离子束电流，设置注入离子时间，采用设置后的注入离子机进行离子注入，对完成离子注入的倒置四结太阳电池进行退火处理。本发明用于对倒置四结太阳电池进行抗位移辐照加固。
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公开(公告)号：CN116067940A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202310104398.2
申请日：2023-02-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种具备拉曼增强能力的多模复合光纤光镊细胞分选系统，包括以下几个部分：拉曼光谱检测系统、表面覆银锥型光纤、微流控芯片、980 nm光纤激光器、650 nm光纤激光器、载物台等；表面覆银锥型光纤具备拉曼散射增强与细胞捕获及运输能力；将光纤尖端通过锥型光纤孔伸入待测溶液中，打开980 nm光纤激光器，关闭650 nm光纤激光器，在光纤尖端形成基模高梯度汇聚光场；在光场焦点位置实现待测细胞的稳定捕获，被捕获的待测细胞与表面覆银锥型光纤端部贴合，实现稳定的拉曼信号增强；通过拉曼信号探测系统，对单细胞拉曼信号进行解读，完成待测单细胞的识别与筛选；打开650 nm光纤激光器，关闭980 nm光纤激光器则在光纤中激光传输模式发生了变化，焦点位置偏移实现细胞运送。
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公开(公告)号：CN114325283A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111611204.5
申请日：2021-12-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/26 , G01R31/265
Abstract: 本发明公开了一种真空光辐照条件下的半导体性能测试系统及其控制方法，属于半导体性能测试技术领域，其中，该系统包括：主控模块、六探针臂探针台、探针台控制模块和液氦制冷系统，主控模块包括主控计算机、超连续谱激光器、半导体器件分析仪、阻抗分析仪和开关矩阵，主控计算机分别与超连续谱激光器、开关矩阵、半导体器件分析仪和阻抗分析仪连接，开关矩阵分别与半导体器件分析仪、阻抗分析仪和六探针臂探针台连接，超连续谱激光器通过光纤引入六探针臂探针台；探针台控制模块与六探针臂探针台、主控计算机连接。该系统可模拟真空、可变温度、可变磁场和连续可调光场等多种环境条件作用下，进而测得航天器相关器件及材料的半导体性能。
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公开(公告)号：CN110459649A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910774690.9
申请日：2019-08-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/18
Abstract: 一种基于衬底深层离子注入的单晶Si太阳电池抗位移辐照方法，属于太阳电池微电子技术领域。本发明针对现有太阳电池由于空间带电粒子的辐照会产生辐照缺陷，进而造成太阳电池I-V特性退化的问题。它根据原单晶Si太阳电池的结构参数，确定离子的欲注入位置，并根据欲注入位置模拟确定离子的能量和射程；然后模拟离子注入过程中的目标I-V变化曲线，当目标I-V变化曲线的变化量小于原单晶Si太阳电池I-V变化曲线的10％时，记录离子注入量；再计算离子注入机的离子源电压、离子束电流和离子注入时间；设置离子注入机，对原单晶Si太阳电池进行离子注入并进行退火处理，实现对原单晶Si太阳电池的抗位移辐照加固。本发明用于单晶Si太阳电池的加固。
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