公开(公告)号：CN116682719A

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN202310648681.1

申请日：2023-06-02

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 朱嘉琦 ,  杨世林 ,  刘康 ,  代兵 ,  曹文鑫 ,  王伟华 ,  耿方娟 ,  龚恒杨

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  C30B23/02 ,  C30B29/02 ,  C30B33/02 ,  C23C14/35 ,  C23C14/16 ,  C30B25/16 ,  C30B29/04

Abstract: 基于电流变化确定Ir衬底上金刚石偏压增强形核最佳处理时长的方法，本发明的目的是为了解决BEN工艺最佳处理时长受到较多因素影响，形核时长难以确定的问题。最佳处理时长的确定方法：一、制备导电复合衬底；二、在某一工艺体系下进行长时间的偏压增强形核处理，使偏置电流升高至峰值Imax，并检测至偏置电流产生下降，绘制I‑t图，从I‑t图中获取偏置电流达到峰值时对应的BEN处理时长和偏置电流峰值较之初始值的增幅ΔI，该工艺体系下BEN最佳处理时长确定为当偏置电流升高且增幅达到ΔI的处理时长。本发明提供了一种有效保证获得最高晶畴覆盖率和最低非外延小晶粒数量的方法，显著提高异质外延金刚石的形核密度和外延比例。