公开(公告)号：CN111560602B

公开(公告)日：2021-10-26

申请号：CN202010287655.7

申请日：2020-04-13

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 徐梁格 ,  杨磊 ,  代兵 ,  杨振怀 ,  王鹏 ,  郭帅 ,  耿方娟 ,  高岗 ,  孙春强 ,  何利利 ,  朱嘉琦

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/40 ,  C23C14/35 ,  C23C14/08

Abstract: 一种氧化物薄膜表面复合的优化方法，涉及一种氧化物薄膜表面的优化方法。本发明是要解决传统薄膜制备方法不可避免的存在针孔、晶粒与晶粒之间存在缝隙，粗糙度比较大等特点，造成了一定程度上的湿热耐久性差能，而原子层沉积技术存在制备薄膜沉积速度低、成本高等缺点，不适应于完全采用原子层沉积制备厚度较大的薄膜的技术问题。本发明建立复合结构，通过修饰层的制备消除了结构层表面的针孔，使其表面缺陷得到补偿，化学成分更加的均一，表面势分布梯度更小，提高了膜层表面质量。本发明普适性好、设备要求低、制备简单、重复性好的优点，具有较好的推广价值。兼顾现有膜层制备技术的结构功能特性，且价格低廉，适于工业化生产。

公开(公告)号：CN111560602A

公开(公告)日：2020-08-21

申请号：CN202010287655.7

申请日：2020-04-13

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 徐梁格 ,  杨磊 ,  代兵 ,  杨振怀 ,  王鹏 ,  郭帅 ,  耿方娟 ,  高岗 ,  孙春强 ,  何利利 ,  朱嘉琦

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/40 ,  C23C14/35 ,  C23C14/08

Abstract: 一种氧化物薄膜表面复合的优化方法，涉及一种氧化物薄膜表面的优化方法。本发明是要解决传统薄膜制备方法不可避免的存在针孔、晶粒与晶粒之间存在缝隙，粗糙度比较大等特点，造成了一定程度上的湿热耐久性差能，而原子层沉积技术存在制备薄膜沉积速度低、成本高等缺点，不适应于完全采用原子层沉积制备厚度较大的薄膜的技术问题。本发明建立复合结构，通过修饰层的制备消除了结构层表面的针孔，使其表面缺陷得到补偿，化学成分更加的均一，表面势分布梯度更小，提高了膜层表面质量。本发明普适性好、设备要求低、制备简单、重复性好的优点，具有较好的推广价值。兼顾现有膜层制备技术的结构功能特性，且价格低廉，适于工业化生产。