基于米勒平台电压的MOSFET退化评估方法及采用该方法的MOSFET剩余寿命预测方法

    公开(公告)号:CN104849645A

    公开(公告)日:2015-08-19

    申请号:CN201510309286.6

    申请日:2015-06-08

    Abstract: 基于米勒平台电压的MOSFET退化评估方法及采用该方法的MOSFET剩余寿命预测方法,涉及半导体退化评估及寿命预测领域。解决了无法实时在线评估MOSFET退化状态的问题,同时满足了对MOSFET的剩余寿命预测方法的需求。基于米勒平台电压的以MOSFET开通波形中的米勒平台电压作为敏感特征参数的评估方法:将MOSFET的米勒平台电压作为评估器件退化状态的参数。采用基于米勒平台电压的MOSFET退化评估方法获得MOSFET退化模型,再利用粒子滤波算法对MOSFET退化模型的参数进行修正与更新,并得到新的MOSFET退化模型,从而获得MOSFET当前状态距失效阈值的时间差,实现对MOSFET的剩余寿命预测。本发明适用于半导体的退化评估及寿命预测。

    无源自驱多功能智能节能窗

    公开(公告)号:CN105003180B

    公开(公告)日:2016-08-31

    申请号:CN201510451127.X

    申请日:2015-07-28

    Abstract: 无源自驱多功能智能节能窗,属于节能窗技术领域。本发明是为了解决建筑能耗中建筑外窗的热损耗大的问题。它的窗户本体包括窗体外框、窗体内框、夹层侧壁和窗玻璃,窗体外框、窗体内框和夹层侧壁形成凹槽结构的窗户本体,窗体外框和窗体内框上分别固定有窗玻璃;一片温差发电片固定在窗体外框的内壁上,另一片温差发电片固定在窗体内框的内壁上,散热板夹接在两片温差发电片之间,并与夹层侧壁相固定;光伏发电片附着在窗体外框的外壁上,多源电能收集器固定在夹层侧壁的外表面上,单片机固定在窗体内框的外表面上;窗体内框上窗玻璃的内侧表面上覆盖有VO2薄膜,VO2薄膜的表面上均匀布置蛇形排布的电热线。本发明为一种节能窗。

    无源自驱多功能智能节能窗

    公开(公告)号:CN105003180A

    公开(公告)日:2015-10-28

    申请号:CN201510451127.X

    申请日:2015-07-28

    Abstract: 无源自驱多功能智能节能窗,属于节能窗技术领域。本发明是为了解决建筑能耗中建筑外窗的热损耗大的问题。它的窗户本体包括窗体外框、窗体内框、夹层侧壁和窗玻璃,窗体外框、窗体内框和夹层侧壁形成凹槽结构的窗户本体,窗体外框和窗体内框上分别固定有窗玻璃;一片温差发电片固定在窗体外框的内壁上,另一片温差发电片固定在窗体内框的内壁上,散热板夹接在两片温差发电片之间,并与夹层侧壁相固定;光伏发电片附着在窗体外框的外壁上,多源电能收集器固定在夹层侧壁的外表面上,单片机固定在窗体内框的外表面上;窗体内框上窗玻璃的内侧表面上覆盖有VO2薄膜,VO2薄膜的表面上均匀布置蛇形排布的电热线。本发明为一种节能窗。

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