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公开(公告)号：CN118643643A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410624085.4
申请日：2024-05-20
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
IPC: G06F30/20 , G01K11/00 , G01N21/65 , G06F119/08
Abstract: 本申请适用于半导体技术领域，提供了一种β‑Ga2O3基半导体器件的三维温度分析方法、装置及终端设备，所述三维温度分析方法包括：在所述阳极和所述阴极之间的β‑Ga2O3层表面区域设置多个标记点；在每个标记点上沿所述β‑Ga2O3层的厚度方向延伸的直线上测量得到多个点位的拉曼数据，结合所述每个点位对应材料的温度系数，确定所述β‑Ga2O3基半导体器件的测量三维温度；其中，每个点位的深度不同；根据预设的三维电热耦合仿真模型，生成所述β‑Ga2O3基半导体器件的模拟三维温度；根据所述测量三维温度和所述模拟三维温度的平均温差，结合预设温差阈值，确定所述β‑Ga2O3基半导体器件的三维温度。通过上述方案，实现β‑Ga2O3基半导体器件热特性的精确表征。
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公开(公告)号：CN114216570B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202111500833.0
申请日：2021-12-09
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本申请属于半导体设备技术领域，尤其涉及一种热成像装置及热成像方法，热成像装置用于检测待测芯片的表面温度，热成像装置包括光源组件，用于发射预设波长的光线；反射组件，用于将光源所发出的光线反射至待测芯片表面的反射层；反射层，设置于待测芯片的表面，且反射层的禁带宽度小于光源所发出光线的能量；成像组件，用于接收经由反射层反射的光线并输出待测芯片表面的图像。本申请提供的热成像装置及热成像方法，利用禁带宽度小于光源组件的光线能量的反射层，来反映待测芯片的表面温度，有效解决了现有技术中因待测芯片的禁带宽度过大所导致的无法对待测芯片表面进行热反射成像的问题，满足芯片的热反射成像测温需求。
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公开(公告)号：CN114889235B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202210569218.3
申请日：2022-05-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B32B9/00 , B32B9/04 , B32B33/00 , B32B37/06 , B32B37/10 , B32B38/00 , B32B38/16 , C08L79/08 , C08K7/06 , C08K9/06 , C08K3/22 , C08G73/10 , B29C70/34 , B64C1/12 , B64C3/38
Abstract: 本发明提供一种仿珍珠母结构SMPI耐火阻燃材料及其制备方法，所述仿珍珠母结构SMPI耐火阻燃材料的制备方法包括：将含咪唑类的芳杂环二胺溶解于溶剂中；将联苯二酐加入所述含咪唑类的芳杂环二胺溶液中；将一部分所述聚酰胺酸溶液与阻燃剂混合；将另一部分所述聚酰胺酸溶液浇注至碳纤维布上；将阻燃剂/聚酰胺酸复合溶液浇注至聚酰胺酸/碳纤维布复合材料上；将阻燃剂/聚酰胺酸/碳纤维布复合材料层层垒叠，热压成型再二次热亚胺化，得到仿珍珠母结构SMPI耐火阻燃材料。通过本发明提供的制备方法制得的仿珍珠母结构SMPI耐火阻燃材料具有良好的力学性能、形状记忆性能以及耐火阻燃性能，为智能高分子材料在高温环境中的应用奠定了基础。
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公开(公告)号：CN114656612B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202210464559.4
申请日：2022-04-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种可逆氢键交联的形状记忆聚脲弹性体及其制备方法，属于形状记忆聚合物合成技术领域。制备方法包括以下步骤：S1、将聚醚胺溶液逐滴加入到二异氰酸酯溶液中，室温搅拌均匀，形成预聚物溶液；S2、向所述预聚物溶液中加入二酰肼溶液，之后置于20℃‑50℃温度条件下反应，反应结束后，使反应液成型，得到聚脲弹性体。本发明以聚醚胺、二异氰酸酯和二酰肼为反应单体，形成的聚脲分子链结构中包含可逆性的强氢键(四重氢键)和弱氢键(二重氢键)，氢键的交联，增加了聚脲分子链之间的作用力，提高了材料的强度；在外力作用时，交联的可逆氢键断开会消散一部分能量，提高了材料的韧性；如此使形状记忆聚脲弹性体兼具有强而韧的力学性能。
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公开(公告)号：CN114216570A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111500833.0
申请日：2021-12-09
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本申请属于半导体设备技术领域，尤其涉及一种热成像装置及热成像方法，热成像装置用于检测待测芯片的表面温度，热成像装置包括光源组件，用于发射预设波长的光线；反射组件，用于将光源所发出的光线反射至待测芯片表面的反射层；反射层，设置于待测芯片的表面，且反射层的禁带宽度小于光源所发出光线的能量；成像组件，用于接收经由反射层反射的光线并输出待测芯片表面的图像。本申请提供的热成像装置及热成像方法，利用禁带宽度小于光源组件的光线能量的反射层，来反映待测芯片的表面温度，有效解决了现有技术中因待测芯片的禁带宽度过大所导致的无法对待测芯片表面进行热反射成像的问题，满足芯片的热反射成像测温需求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113683770A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202111011711.5
申请日：2021-08-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明涉及形状记忆聚芳醚酮，具体公开了具有多重形状记忆效应的聚芳醚酮、制备及其应用，通过双酚AF、2,2‑二(3‑氨基‑4‑羟苯基)六氟丙烷与4,4'‑二氟二苯甲酮聚合制备得到具有双重形状记忆效应的聚芳醚酮，由上述双重记忆效应的聚芳醚酮共混制备得到多重形状记忆聚芳醚酮共混物。本发明还公开了上述聚芳醚酮和上述聚芳醚酮共混物制备的薄膜。本发明提供的形状记忆聚芳醚酮，原料广泛，可实现多重形状记忆效应，在形状记忆聚芳醚酮聚合物中尚属首次，其形状固定率好，形状回复率高，且形状回复速率较快，在航空航天、生物医用和柔性器件领域具有潜在的应用价值。
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公开(公告)号：CN114656612A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210464559.4
申请日：2022-04-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种可逆氢键交联的形状记忆聚脲弹性体及其制备方法，属于形状记忆聚合物合成技术领域。制备方法包括以下步骤：S1、将聚醚胺溶液逐滴加入到二异氰酸酯溶液中，室温搅拌均匀，形成预聚物溶液；S2、向所述预聚物溶液中加入二酰肼溶液，之后置于20℃‑50℃温度条件下反应，反应结束后，使反应液成型，得到聚脲弹性体。本发明以聚醚胺、二异氰酸酯和二酰肼为反应单体，形成的聚脲分子链结构中包含可逆性的强氢键(四重氢键)和弱氢键(二重氢键)，氢键的交联，增加了聚脲分子链之间的作用力，提高了材料的强度；在外力作用时，交联的可逆氢键断开会消散一部分能量，提高了材料的韧性；如此使形状记忆聚脲弹性体兼具有强而韧的力学性能。
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公开(公告)号：CN111333812A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN202010195260.4
申请日：2020-03-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种聚集诱导发光自修复形状记忆聚合物及其制备方法，聚集诱导发光化合物通过接枝或嵌段化学键合于自修复形状记忆聚合物上，形成所述聚集诱导发光自修复形状记忆聚合物。本发明通过接枝或嵌段的化学键合方式将聚集诱导发光化合物与自修复形状记忆聚合物交联成互穿网络，有效提高了聚集诱导发光化合物在自修复形状记忆聚合物中的分散性，使材料有较好的荧光性能；由于聚集诱导发光化合物接枝或嵌段到自修复形状记忆聚合物基体内，可以利用AIE的荧光性能，实时监测材料的形状记忆、自修复过程，对形状记忆聚合物的破坏或裂纹进行预警，指示材料损伤位置，提高聚集诱导发光自修复形状记忆聚合物的应用前景。
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公开(公告)号：CN110272540A
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201910701091.4
申请日：2019-07-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C08G65/40
Abstract: 本发明提供了一种形状记忆聚芳醚酮及其制备方法，涉及形状记忆材料技术领域，所述聚芳醚酮由第一双酚单体、第二双酚单体和如式一所示结构的化合物经过聚合反应制得，所述式一为： 其中，m为不小于1的整数，R为卤素，且所述第一双酚单体、所述第二双酚单体和所述化合物的摩尔比为(0-0.75)：(0.25-1)：1。与现有技术比较，本发明所述形状记忆聚芳醚酮及其制备方法，原料来源广泛，制备方法简单，且本发明所述聚芳醚酮具有形状记忆效应，形状固定率好，形状回复率高，且形状回复速率较快，在航空航天、生物医用和柔性器件领域具有潜在的应用价值。
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公开(公告)号：CN104816311B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201510187993.2
申请日：2015-04-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B25J17/00
Abstract: 一种可在轨更换的机械臂关节快换接口系统，它涉及一种机械臂关节快换接口系统。本发明目的是为解决空间在轨维护工作中，现有使用的机械臂关节快换接口的电连接器因不具备超行程量缓冲功能而使其承受过载力发生损坏的问题。本发明中所述容差导向对接装置包括凹本体、与凹本体结构相配合的凸本体，所述凹本体和凸本体之间通过多组锁定定位装置和多组机械连接快拆装置可拆卸连接，所述多组锁定定位装置均匀设置在凹本体和凸本体之间，所述多组机械连接快拆装置均布在凹本体和凸本体之间，所述电气连接装置设置在凹本体和凸本体组成的腔体内；本发明用于空间在轨维护工作中。
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