基于改进DeepLab的二维图像部件分割方法及应用

    公开(公告)号:CN110298843B

    公开(公告)日:2023-02-10

    申请号:CN201910414473.9

    申请日:2019-05-17

    Applicant: 同济大学

    Inventor: 赵霞 倪颖婷

    Abstract: 本发明涉及一种基于改进DeepLab的二维图像部件分割方法及应用,所述方法通过一改进DeepLab网络对获取的二维图像进行部件分割,所述改进DeepLab网络包括编码器和跳跃式解码器,所述编码器包括多卷积层单元和多尺度自适应形态特征提取单元,所述多尺度自适应形态特征提取单元与多卷积层单元的输出端连接,所述跳跃式解码器同时获取深层特征和浅层特征,所述浅层特征由多卷积层单元的中间层获取。与现有技术相比,本发明具有适应性强、分割结构边缘清晰等优点。

    基于孪生网络的强耦合目标跟踪方法、装置、介质及设备

    公开(公告)号:CN112966553A

    公开(公告)日:2021-06-15

    申请号:CN202110142824.2

    申请日:2021-02-02

    Applicant: 同济大学

    Inventor: 赵霞 石国强

    Abstract: 本发明涉及一种基于孪生网络的强耦合目标跟踪方法、装置、介质及设备,所述跟踪方法包括以下步骤:获取目标图像,并从待测视频中逐帧提取一帧待测图像;将所述目标图像和待测图像作为预训练的目标跟踪模型的输入,检测获得待测图像的预测目标位置;其中,所述目标跟踪模型基于SiamRPN构建,该目标跟踪模型训练时,采用联合优化模块对分类分支和边框回归分支进行训练,所述联合优化模块采用的损失函数包括基于联合优化的分类损失函数和基于IoU的边框损失函数。与现有技术相比,本发明具有跟踪精度高等优点。

    一种融合目标检测和特征匹配的目标跟踪方法

    公开(公告)号:CN109086648A

    公开(公告)日:2018-12-25

    申请号:CN201810509677.6

    申请日:2018-05-24

    Applicant: 同济大学

    Inventor: 赵霞 李瞻宁

    Abstract: 本发明涉及一种融合目标检测和特征匹配的目标跟踪方法,该方法以卷积神经网络为基础进行目标跟踪,包括:目标检测步骤,获得已知类别的待跟踪目标,采用经训练的目标检测网络对当前视频帧进行检测,获得若干待定目标的边框位置;特征匹配步骤,采用经训练的特征匹配网络提取所述待定目标的局部特征描述符,基于局部特征描述符获得各待定目标与之前视频帧中待跟踪目标的相似性,以相似性最大的待定目标作为当前视频帧中待跟踪目标的位置。与现有技术相比,本发明具有精度高、处理速度快等优点。

    用于三相异步电机多测试项自动化测试方法

    公开(公告)号:CN119780701A

    公开(公告)日:2025-04-08

    申请号:CN202411892696.3

    申请日:2024-12-20

    Applicant: 同济大学

    Inventor: 王灿 赵霞

    Abstract: 本发明涉及一种用于三相异步电机多测试项自动化测试方法,方法包括以下步骤:将直流电阻测试线、绝缘电阻测试线和电机电源线连接三相异步电机的各个铜排和测试夹;基于直流电阻测试、绝缘电阻测试、启动电流测试以及空载试验的顺序进行三相异步电机的自动化测试,得到测试结果。与现有技术相比,本发明具有提高电机各项目测试的准确性和速度等优点。

    基于模型预测控制的新型智能电机控制方法

    公开(公告)号:CN119727484A

    公开(公告)日:2025-03-28

    申请号:CN202411891563.4

    申请日:2024-12-20

    Applicant: 同济大学

    Inventor: 任杰 赵霞

    Abstract: 本发明涉及一种基于模型预测控制的新型智能电机控制方法,方法包括以下步骤:获取电机的两相旋转坐标系电流信号与转动角速度信号;采用扩展卡尔曼滤波的在线参数辨识方法,基于电流信号与转动角速度信号,以及噪声协方差矩阵、测量噪声协方差矩阵辨识电机的定子电阻、电感和磁链;其中噪声协方差矩阵、测量噪声协方差矩阵基于改进的人工水母搜索算法整定;基于电机的定子电阻、电感和磁链得到电机参数模型,基于电机参数模型利用模型预测控制实现对电机的速度和位置控制。与现有技术相比,本发明具有提高电机控制收敛速度、减少陷入局部最优,得到准确的电机模型等优点。

    核电电源输出电压实时稳定显示的调制滤波方法及装置

    公开(公告)号:CN116614109A

    公开(公告)日:2023-08-18

    申请号:CN202310531491.1

    申请日:2023-05-11

    Applicant: 同济大学

    Inventor: 赵霞 梁帅帅 王灿

    Abstract: 本发明涉及一种核电电源输出电压实时稳定显示的调制滤波方法及装置,该方法包括以下步骤:基于数模隔离,利用多级调制将采集获得的电源电压转换为采样电压;基于预设的基准电压,将所述采样电压转换为AD量化值;对所述AD量化值采用多滤波处理,获得滤波输出值;利用经训练的神经网络,基于所述滤波输出值和所述电源电压获得最终显示值。与现有技术相比,本发明具有增强核电电源相关的输出电压显示的稳定性和快速性等优点。

    一种半导体长膜工艺中静电卡盘及晶片温度的辨识方法

    公开(公告)号:CN103762188B

    公开(公告)日:2016-06-15

    申请号:CN201410002602.0

    申请日:2014-01-02

    Applicant: 同济大学

    Abstract: 一种半导体长膜工艺中静电卡盘及晶片温度的辨识方法,(1)滤波处理,(2)差分处理,确定差分数据最大值、最小值、正均值和负均值;(3)确定卡盘/晶片温度缓变段准确位置信息:(a)设定第一峰/谷门限值,比较第一峰/谷门限值和差分数据的大小,以确定M组卡盘/m组晶片温度缓变段初步位置;(b)设定第二峰/谷门限值,比较M组卡盘和m组晶片温度缓变段初步位置中对应差分数据与第二峰/谷门限值的大小,确定卡盘和晶片的温度缓变段准确位置;(4)对卡盘/晶片温度缓变段的准确位置中对应滤波数据求平均值,以得到静电卡盘及晶片温度值。该方法对静电卡盘和晶片温度高精度辨识,可在较为复杂的工作环境下,实现较好的辨识效果。

    数字多点分布系统远端单元与功率放大器间的通信方法

    公开(公告)号:CN104301367A

    公开(公告)日:2015-01-21

    申请号:CN201410095496.5

    申请日:2014-03-14

    Applicant: 同济大学

    Inventor: 赵霞 王业通

    CPC classification number: Y02D70/122 H04L43/08

    Abstract: 本发明涉及一种数字多点分布系统远端单元与功率放大器间的通信方法,所述的数字多点分布系统包括依次连接的信源接入单元、扩展单元、远端单元和射频功率放大模块,所述的通信方法具体为:将远端单元和射频功率放大模块采用腔体隔离,在远端单元上连接第一RS-485模块,射频功率放大模块上连接第二RS-485模块,所述的第一RS-485模块和第二RS-485模块间通过RS-485总线连接,所述的远端单元与射频功率放大模块通过RS-485总线以数据包的形式进行通信交互。与现有技术相比,本发明既解决了数字板与射频板之间的高频辐射干扰,又实现了对功率放大器各个参数的有效监控,方便监控项的扩展,提高了系统的可靠性。

    一种基于融合网络的图像多尺度语义分割方法及装置

    公开(公告)号:CN110298841A

    公开(公告)日:2019-10-01

    申请号:CN201910414484.7

    申请日:2019-05-17

    Applicant: 同济大学

    Inventor: 赵霞

    Abstract: 本发明涉及一种基于融合网络的图像多尺度语义分割方法及装置,该方法包括以下步骤:构建一融合网络,该融合网络包括fcn基网络、deeplab基网络、特征融合模块和优化分割模块,所述特征融合模块分别连接fcn基网络、deeplab基网络和优化分割模块;通过所述融合网络对输入图像进行语义分割。与现有技术相比,本发明具有分割精度高等优点。

    一种半导体长膜工艺中静电卡盘及晶片温度的辨识方法

    公开(公告)号:CN103762188A

    公开(公告)日:2014-04-30

    申请号:CN201410002602.0

    申请日:2014-01-02

    Applicant: 同济大学

    CPC classification number: H01L22/12

    Abstract: 一种半导体长膜工艺中静电卡盘及晶片温度的辨识方法,(1)滤波处理,(2)差分处理,确定差分数据最大值、最小值、正均值和负均值;(3)确定卡盘/晶片温度缓变段准确位置信息:(a)设定第一峰/谷门限值,比较第一峰/谷门限值和差分数据的大小,以确定M组卡盘/m组晶片温度缓变段初步位置;(b)设定第二峰/谷门限值,比较M组卡盘和m组晶片温度缓变段初步位置中对应差分数据与第二峰/谷门限值的大小,确定卡盘和晶片的温度缓变段准确位置;(4)对卡盘/晶片温度缓变段的准确位置中对应滤波数据求平均值,以得到静电卡盘及晶片温度值。该方法对静电卡盘和晶片温度高精度辨识,可在较为复杂的工作环境下,实现较好的辨识效果。

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