公开(公告)号：CN103762188B

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201410002602.0

申请日：2014-01-02

Applicant: 同济大学

Inventor： 赵霞 ,  屈德涛 ,  王业通

IPC: H01L21/66 ,  G01K3/02

Abstract: 一种半导体长膜工艺中静电卡盘及晶片温度的辨识方法，（1）滤波处理，（2）差分处理，确定差分数据最大值、最小值、正均值和负均值；（3）确定卡盘/晶片温度缓变段准确位置信息：（a）设定第一峰/谷门限值，比较第一峰/谷门限值和差分数据的大小，以确定M组卡盘/m组晶片温度缓变段初步位置；（b）设定第二峰/谷门限值，比较M组卡盘和m组晶片温度缓变段初步位置中对应差分数据与第二峰/谷门限值的大小，确定卡盘和晶片的温度缓变段准确位置；（4）对卡盘/晶片温度缓变段的准确位置中对应滤波数据求平均值，以得到静电卡盘及晶片温度值。该方法对静电卡盘和晶片温度高精度辨识，可在较为复杂的工作环境下，实现较好的辨识效果。

公开(公告)号：CN103762188A

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：CN201410002602.0

申请日：2014-01-02

Applicant: 同济大学

Inventor： 赵霞 ,  屈德涛 ,  王业通

IPC: H01L21/66 ,  G01K3/02

CPC classification number: H01L22/12

Abstract: 一种半导体长膜工艺中静电卡盘及晶片温度的辨识方法，（1）滤波处理，（2）差分处理，确定差分数据最大值、最小值、正均值和负均值；（3）确定卡盘/晶片温度缓变段准确位置信息：（a）设定第一峰/谷门限值，比较第一峰/谷门限值和差分数据的大小，以确定M组卡盘/m组晶片温度缓变段初步位置；（b）设定第二峰/谷门限值，比较M组卡盘和m组晶片温度缓变段初步位置中对应差分数据与第二峰/谷门限值的大小，确定卡盘和晶片的温度缓变段准确位置；（4）对卡盘/晶片温度缓变段的准确位置中对应滤波数据求平均值，以得到静电卡盘及晶片温度值。该方法对静电卡盘和晶片温度高精度辨识，可在较为复杂的工作环境下，实现较好的辨识效果。