公开(公告)号：CN113314642A

公开(公告)日：2021-08-27

申请号：CN202110590641.7

申请日：2021-05-28

Applicant: 吉林建筑大学

Inventor： 高晓红 ,  王森 ,  孟冰 ,  陈伟利 ,  杨佳 ,  郭亮 ,  赵阳 ,  王艳杰 ,  迟耀丹 ,  杨小天

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/113 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0224

Abstract: 本发明公开了一种双绝缘层日盲紫外光敏薄膜晶体管的制备方法，包括：步骤一、对衬底进行预处理后，通过光刻剥离技术在衬底上曝光显影出栅极区域，并在栅极区域蒸镀导电膜，得到第一基底；步骤二、在第一基底上通过光刻剥离技术显影出第一堆叠区域，在第一堆叠区域沉积Ta2O5薄膜，得到第二基底；其中，第一堆叠区域栅极区域部分重叠；步骤三、在第二基底的Ta2O5薄膜上沉积MgO薄膜，得到第三基底；步骤四、在第三基底的MgO薄膜上沉积Mg0.5Zn0.5O薄膜，得到第四基底；步骤五、在第四基底上通过光刻剥离技术曝光显影出第二堆叠区域，在第二堆叠层区域沉积叉指电极层，得到晶体管；其中，第二堆叠区域位于Mg0.5Zn0.5O薄膜上方，并且第二堆叠区域的边缘与Mg0.5Zn0.5O薄膜的边缘完全重合。

公开(公告)号：CN113644164A

公开(公告)日：2021-11-12

申请号：CN202110918197.7

申请日：2021-08-11

Applicant: 吉林建筑大学

Inventor： 高晓红 ,  王森 ,  孙玉轩 ,  陶荟春 ,  郭亮 ,  杨帆 ,  赵阳 ,  迟耀丹 ,  杨小天

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/113 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0216

Abstract: 本发明公开了一种用于深紫外微光探测的光敏晶体管的制备方法，包括如下步骤：步骤一、对衬底进行预处理，并在所述衬底的上方蒸镀导电膜；步骤二、在所述导电膜上曝光显影出第一堆叠区域并在所述第一堆叠区域交替沉积两个周期的Al2O3和HfO2制备出DBR薄膜；步骤三、在所述DBR薄膜上方沉积Mg0.5Zn0.5O光敏层；步骤四、在所述Mg0.5Zn0.5O光敏层上曝光显影出第二堆叠区域，并在所述第二堆叠区域沉积叉指电极层，获得用于深紫外光探测的光敏晶体管。本发明具有提高器件的光电性能、增强器件的电学性能的特点。

公开(公告)号：CN113644164B

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202110918197.7

申请日：2021-08-11

Applicant: 吉林建筑大学

Inventor： 高晓红 ,  王森 ,  孙玉轩 ,  陶荟春 ,  郭亮 ,  杨帆 ,  赵阳 ,  迟耀丹 ,  杨小天

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/113 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0216

Abstract: 本发明公开了一种用于深紫外微光探测的光敏晶体管的制备方法，包括如下步骤：步骤一、对衬底进行预处理，并在所述衬底的上方蒸镀导电膜；步骤二、在所述导电膜上曝光显影出第一堆叠区域并在所述第一堆叠区域交替沉积两个周期的Al2O3和HfO2制备出DBR薄膜；步骤三、在所述DBR薄膜上方沉积Mg0.5Zn0.5O光敏层；步骤四、在所述Mg0.5Zn0.5O光敏层上曝光显影出第二堆叠区域，并在所述第二堆叠区域沉积叉指电极层，获得用于深紫外光探测的光敏晶体管。本发明具

公开(公告)号：CN113314642B

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202110590641.7

申请日：2021-05-28

Applicant: 吉林建筑大学

Inventor： 高晓红 ,  王森 ,  孟冰 ,  陈伟利 ,  杨佳 ,  郭亮 ,  赵阳 ,  王艳杰 ,  迟耀丹 ,  杨小天

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/113 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0224

Abstract: 本发明公开了一种双绝缘层日盲紫外光敏薄膜晶体管的制备方法，包括：步骤一、对衬底进行预处理后，通过光刻剥离技术在衬底上曝光显影出栅极区域，并在栅极区域蒸镀导电膜，得到第一基底；步骤二、在第一基底上通过光刻剥离技术显影出第一堆叠区域，在第一堆叠区域沉积Ta2O5薄膜，得到第二基底；其中，第一堆叠区域栅极区域部分重叠；步骤三、在第二基底的Ta2O5薄膜上沉积MgO薄膜，得到第三基底；步骤四、在第三基底的MgO薄膜上沉积Mg0.5Zn0.5O薄膜，得到第四基底；步骤五、在第四基底上通过光刻剥离技术曝光显影出第二堆叠区域，在第二堆叠层区域沉积叉指电极层，得到晶体管；其中，第二堆叠区域位于Mg0.5Zn0.5O薄膜上方，并且第二堆叠区域的边缘与Mg0.5Zn0.5O薄膜的边缘完全重合。

公开(公告)号：CN220895187U

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202322589348.6

申请日：2023-09-23

Applicant: 吉林建筑大学

Inventor： 郭秀娟 ,  王平 ,  张朝 ,  王玉奎 ,  许东辉 ,  磨旋礼 ,  周兴 ,  王森

IPC: G11B33/02 ,  G11B33/14

Abstract: 本申请涉及计算机配件技术领域，尤其涉及一种计算机硬盘安装盒。包括分装结构，每个分装结构包括：壳体、侧转板、侧转杆、第一锥形齿轮和第二锥形齿轮，以及主轴杆；壳体的内部设置有空腔并且壳体的侧壁上开设有开口；壳体的底壁设置有侧转槽以及还设置有容纳槽；侧转杆被构成为与壳体中围合成侧转槽的内侧壁进行转动连接；第一锥形齿轮与侧转杆呈固定连接，第二锥形齿轮与第一锥形齿轮呈啮合连接；主轴杆设置在容纳槽中并且被构成为杆身垂直贯穿两个第二锥形齿轮。本申请通过设置若干个分装结构，用于针对不同的硬盘进行存放；本申请还通过设置可灵活调节的侧转板，用于根据需求实现大尺寸硬盘和小尺寸硬盘的分别存放，可适应不同尺寸的硬盘。