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公开(公告)号:CN1192691C
公开(公告)日:2005-03-09
申请号:CN02132456.5
申请日:2002-06-16
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属在高压实验装置——金刚石对顶砧上集成金属电极的方法。经清洗(1)、溅射电极材料(2)、涂胶(3)、光刻(4)、腐蚀金属(5)、去胶(6)以及引线工艺过程制得钨或铬或钛的金属电极。电极材料(2)厚度为1000~2500,溅射电极材料过程中衬底温度保持在240~400℃。光刻(4)过程是保留需要集成电极部位的光刻胶(9),而其余的地方光刻胶(9)被去掉。腐蚀金属(5)是指用光刻腐蚀剂去掉未被光刻胶(9)掩盖的电极材料。本发明能保证电极在砧面上有足够的附着力。电极厚度小,可消除由应力产生的电极崩裂现象。可避免高温对金刚石的损伤,延长使用寿命。
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公开(公告)号:CN1396801A
公开(公告)日:2003-02-12
申请号:CN02132456.5
申请日:2002-06-16
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属在高压实验装置——金刚石对顶砧上集成金属电极的方法。经清洗(1)、溅射电极材料(2)、涂胶(3)、光刻(4)、腐蚀金属(5)、去胶(6)以及引线工艺过程制得钨或铬或钛的金属电极。电极材料(2)厚度为1000~2500A,溅射电极材料过程中衬底温度保持在240~400℃。光刻(4)过程是保留需要集成电极部位的光刻胶(9),而其余的地方光刻胶(9)被去掉。腐蚀金属(5)是指用光刻腐蚀剂去掉未被光刻胶(9)掩盖的电极材料。本发明能保证电极在砧面上有足够的附着力。电极厚度小,可消除由应力产生的电极崩裂现象。可避免高温对金刚石的损伤,延长使用寿命。
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