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公开(公告)号：CN109978161B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN201910268608.5
申请日：2019-04-04
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种通用的卷积‑池化同步处理卷积核系统，属于机器学习中卷积神经网络加速技术领域。针对现有的机器学习方法采用软件实现，存在计算能力有限，成本较高等问题，本发明采用硬件设计实现机器学习，以卷积‑池化同步处理的方式来实现对卷积神经网络进行加速的目的，能够在准确率不改变的前提下，能够快速、低功耗、高效率的实现机器学习。现有的卷积神经网络通常的卷积核为固定大小，不能够适应各种设计需要，本发明中的卷积核，能够改变卷积核大小、步长等参数，能够适应各种情况下的设计需要。
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公开(公告)号：CN105589129B
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201510974193.5
申请日：2015-12-23
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于聚合物光波导与微流控通道集成芯片制备技术领域，涉及微流控通道、掩膜版、光波导的制备和端面处理方法，具体包括采用纳米压印(热压印或紫外压印)的方法在聚合物基底上制备微流控凹槽，二氧化碳激光器切割贯穿注液孔，在芯片上蒸发铝掩膜，旋涂光刻胶，然后整体曝光、显影得到波导掩膜版图形，在与微流控层同种材料的另一衬底上利用光敏性聚合物制备光波导芯层薄膜，将两层芯片通过热压印封装，封装后采用上层微流控芯片作为光掩膜版，在光敏性聚合物芯层薄膜上光写入条形波导，该波导在微流控通道的正下方，避免了集成过程中上层芯片和传感窗口的对版误差，而后通过激光对样片端面切割，抛光后完成光波导微流控免对版集成芯片。
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公开(公告)号：CN105589129A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201510974193.5
申请日：2015-12-23
Applicant: 吉林大学
CPC classification number: G02B6/12002 , G02B6/13 , G03F7/00
Abstract: 本发明属于聚合物光波导与微流控通道集成芯片制备技术领域，涉及微流控通道、掩膜版、光波导的制备和端面处理方法，具体包括采用纳米压印(热压印或紫外压印)的方法在聚合物基底上制备微流控凹槽，二氧化碳激光器切割贯穿注液孔，在芯片上蒸发铝掩膜，旋涂光刻胶，然后整体曝光、显影得到波导掩膜版图形，在与微流控层同种材料的另一衬底上利用光敏性聚合物制备光波导芯层薄膜，将两层芯片通过热压印封装，封装后采用上层微流控芯片作为光掩膜版，在光敏性聚合物芯层薄膜上光写入条形波导，该波导在微流控通道的正下方，避免了集成过程中上层芯片和传感窗口的对版误差，而后通过激光对样片端面切割，抛光后完成光波导微流控免对版集成芯片。
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公开(公告)号：CN105572795A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201510974164.9
申请日：2015-12-23
Applicant: 吉林大学
CPC classification number: G02B6/12002 , G02B6/136
Abstract: 一种聚合物矩形光波导与微流控三维集成芯片及其制备方法，属于聚合物光波导三维混合集成芯片制备技术领域。本发明采用压印或二氧化碳激光写入的方法在甲基丙烯酸甲酯基底上制备微流控凹槽和注液孔，在与微流控层同种材料的另一衬底上采用玻璃态转化温度高于甲基丙烯酸甲酯的另一光敏聚合物材料通过湿法刻蚀制备突起的矩形光波导，通过一次热压印把光波导芯层压入甲基丙烯酸甲酯基底内部，使其表层裸露，通过二次热压印把上层微流控通道和下层光波导对准、封装，通过激光对样片端面切割，抛光后完成矩形光波导微流控的三维集成。通过一次压印的方法把湿法腐蚀的光波导压入聚合物衬底内部，且保证表层裸露，实现了湿法腐蚀矩形结构波导在三维集成中的应用，降低了波导的弯曲损耗和散射损耗。
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公开(公告)号：CN102214300A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201110201502.7
申请日：2011-07-19
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种基于DSP的手形识别系统，基于DSP的手形识别系统包括手形图像采集部分、手形图像采集时序、逻辑控制部分和手形图像处理、结果显示部分。手形图像处理、结果显示部分包括数字信号处理器、数据存储器芯片、程序存储器芯片与液晶显示屏，数字信号处理器和数据存储器芯片、程序存储器芯片与液晶显示屏电线连接。手形图像采集部分包括图像传感器芯片和视频帧存储器，图像传感器芯片与视频帧存储器、视频帧存储器与数字信号处理器和数字信号处理器与图像传感器芯片之间为电线连接。手形图像采集时序、逻辑控制部分采用可编程逻辑器，可编程逻辑器和图像传感器芯片、视频帧存储器、数字信号处理器与程序存储器芯片之间为电线连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110083563B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN201910255693.1
申请日：2019-04-01
Applicant: 吉林大学
IPC: G06F13/40
Abstract: 本发明公开了一种基于循环优先级实现公平仲裁的仲裁电路，属于集成电路技术领域，由若干个仲裁单元构成，所述仲裁单元包括优先级选择单元、请求产生单元及应答产生单元，该电路通过引入计数器，利用计数器交替产生0和1的特点，判断出了奇偶次冲突，并利用输出结果控制强制拉高或拉低以干扰RS触发器的亚稳态，使整个电路的延时降低。同时两个开关同时作用确保了电路的稳定性，双向确保了亚稳态性被干扰，不会出现结果不定的情况，极大地增强了电路的鲁棒性。整体电路减少了门级电路的个数，减少了延时模块的使用，极大地降低了功耗，减少了延迟，减少了电路面积，实现了低功耗，少延迟，面积小性能稳定的公平仲裁电路。
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公开(公告)号：CN110083563A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201910255693.1
申请日：2019-04-01
Applicant: 吉林大学
IPC: G06F13/40
Abstract: 本发明公开了一种基于循环优先级实现公平仲裁的仲裁电路，属于集成电路技术领域，由若干个仲裁单元构成，所述仲裁单元包括优先级选择单元、请求产生单元及应答产生单元，该电路通过引入计数器，利用计数器交替产生0和1的特点，判断出了奇偶次冲突，并利用输出结果控制强制拉高或拉低以干扰RS触发器的亚稳态，使整个电路的延时降低。同时两个开关同时作用确保了电路的稳定性，双向确保了亚稳态性被干扰，不会出现结果不定的情况，极大地增强了电路的鲁棒性。整体电路减少了门级电路的个数，减少了延时模块的使用，极大地降低了功耗，减少了延迟，减少了电路面积，实现了低功耗，少延迟，面积小性能稳定的公平仲裁电路。
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公开(公告)号：CN109978161A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201910268608.5
申请日：2019-04-04
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种通用的卷积‑池化同步处理卷积核系统，属于机器学习中卷积神经网络加速技术领域。针对现有的机器学习方法采用软件实现，存在计算能力有限，成本较高等问题，本发明采用硬件设计实现机器学习，以卷积‑池化同步处理的方式来实现对卷积神经网络进行加速的目的，能够在准确率不改变的前提下，能够快速、低功耗、高效率的实现机器学习。现有的卷积神经网络通常的卷积核为固定大小，不能够适应各种设计需要，本发明中的卷积核，能够改变卷积核大小、步长等参数，能够适应各种情况下的设计需要。
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公开(公告)号：CN105572795B
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201510974164.9
申请日：2015-12-23
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种聚合物矩形光波导与微流控三维集成芯片及其制备方法，属于聚合物光波导三维混合集成芯片制备技术领域。本发明采用压印或二氧化碳激光写入的方法在甲基丙烯酸甲酯基底上制备微流控凹槽和注液孔，在与微流控层同种材料的另一衬底上采用玻璃态转化温度高于甲基丙烯酸甲酯的另一光敏聚合物材料通过湿法刻蚀制备突起的矩形光波导，通过一次热压印把光波导芯层压入甲基丙烯酸甲酯基底内部，使其表层裸露，通过二次热压印把上层微流控通道和下层光波导对准、封装，通过激光对样片端面切割，抛光后完成矩形光波导微流控的三维集成。通过一次压印的方法把湿法腐蚀的光波导压入聚合物衬底内部，且保证表层裸露，实现了湿法腐蚀矩形结构波导在三维集成中的应用，降低了波导的弯曲损耗和散射损耗。
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公开(公告)号：CN103895285B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201410072030.3
申请日：2014-02-28
Applicant: 吉林大学
IPC: B32B15/04 , B32B9/04 , C22C21/02 , C04B35/565 , C04B35/56 , C04B35/10 , C04B38/00 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了高强度层状Al基金属陶瓷复合材料及其制备方法，为克服复合材料制备成本高、操作繁琐、增强体陶瓷种类单一与强度低的问题。高强度层状Al基金属陶瓷复合材料即高强度层状结构Al-Si-Mg/(Al2O3、SiC、TiC)复合材料包括陶瓷粉与Al-Si-Mg合金。陶瓷粉的体积分数为20%～40vol%；Al-Si-Mg合金体积分数为80%～60vol%，Al-Si-Mg合金中所含铝的质量比为75～84wt%，所含硅的质量比为10～15wt%，所含镁的质量比为6～10wt%。高强度层状Al基金属陶瓷复合材料的制备方法为：水基陶瓷浆料的配制；定向凝固；冷冻干燥；坯体的烧结；合金的熔炼；无压浸渗。
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