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1.

发明公开
半导体结构的形成方法无效

公开(公告)号：CN115377004A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202210729706.6

申请日：2022-06-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄铭扬 , 张永丰 , 谢东衡 , 杨宝如

IPC: H01L21/8234 , H01L27/088

Abstract: 本公开提供一种半导体结构的形成方法。根据本公开的方法，包括：提供一工作部件，包括多个有源区(其包括通道区及源极/漏极区)以及在通道区与多个有源区相交的多个虚置栅极堆叠。虚置栅极堆叠包括一装置部及一端部。上述方法还包括：沉积一栅极间隔件于工作部件上；异向性蚀刻工作部件，以凹陷源极/漏极区，并由栅极间隔件层形成一栅极间隔件；形成一图案化的光刻胶层于工作部件上，以露出装置部及凹陷的源极/漏极区，同时覆盖端部；以及在形成图案化的光刻胶层之后，外延形成一源极/漏极特征部件于凹陷的源极/漏极区上。

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