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公开(公告)号：CN115832047A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202210935627.0
申请日：2022-08-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 公开了包括鳍形隔离结构的半导体器件及其形成方法。在实施例中，半导体器件包括：鳍，从半导体衬底延伸；浅沟槽隔离(STI)区域，位于与鳍相邻的半导体衬底上方；以及介电鳍结构，位于STI区域上方，介电鳍结构在平行于鳍的方向上延伸，介电鳍结构包括：第一衬垫层，与STI区域接触；以及第一填充材料，位于第一衬垫层上方，第一填充材料包括设置在第一填充材料的下部部分中并且与第一填充材料的顶面分隔开的接缝，第一填充材料的下部部分中的第一碳浓度大于第一填充材料的上部部分中的第二碳浓度。
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公开(公告)号：CN104051328B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201310348994.1
申请日：2013-08-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/0332 , H01L21/0337 , H01L21/3088 , H01L21/31144 , H01L21/32 , H01L21/32139 , H01L21/76816 , H01L23/53228 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种用于半导体制造的图案化方法，包括在半导体衬底上形成具有第一开口的第一图案。然后填充第一开口。在半导体衬底上形成第一部件和第二部件的第二图案，填充后的开口介入其中。然后在填充后的开口、第一部件和第二部件的侧壁上形成间隔件元件。在形成间隔件元件之后，去除构成第一部件和第二部件的材料以形成第二开口和第三开口。将填充后的开口、第二开口和第三开口用作掩模元件来蚀刻衬底的目标层。
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公开(公告)号：CN107887439B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN201710173984.7
申请日：2017-03-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06
Abstract: 用于切割基板上的鳍状场效晶体管结构的鳍状片段的切割最后的工艺，采用两步工艺。在形成鳍状物后，沉积氧化物材料于鳍状场效晶体管结构的沟槽中。氧化物材料可为浅沟槽隔离氧化物或低应力的虚置填隙材料。通过蚀刻品可移除鳍状片段，并保留凹陷状(如u型或v型)的硅部分于鳍状物底部。当氧化物材料为浅沟槽隔离氧化物时，移除鳍状物后形成的孔洞可填有替换的浅沟槽隔离氧化物。当氧化物材料为虚置的填隙材料时，可移除虚置的填隙材料以置换成浅沟槽隔离氧化物；或者将虚置的填隙材料转变成浅沟槽隔离氧化物，并在上述转变步骤之前或之后填入替换的浅沟槽隔离氧化物。
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公开(公告)号：CN113437023A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110708945.9
申请日：2016-12-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 本揭露为提供一种半导体元件及其制造方法。半导体元件的制造方法包括在开口中沉积第一介电层，第一介电层包含半导体元素及非半导体元素。此方法还包括在第一介电层上沉积半导体层，半导体层包含与半导体元素相同的第一元素。此方法还包括将第二元素引入至半导体层，其中第二元素与非半导体元素相同。此方法还包括：对半导体层应用热退火制程，以将半导体层改变为第二介电层。
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公开(公告)号：CN110556340A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201910181592.4
申请日：2019-03-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 本申请大抵上涉及半导体装置，且特别涉及形成于半导体装置中的介电材料。本申请提供以循环旋转涂布工艺形成介电材料层的方法。本申请提供半导体工艺方法与结构。在一实施例中，于基板上形成介电材料的方法包括旋转涂布介电材料的第一部分于基板上、固化在基板上的介电材料第一部分、旋转涂布介电材料的第二部分于基板上、以及热退火介电材料以于基板上形成经退火的介电材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107887439A
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201710173984.7
申请日：2017-03-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06
CPC classification number: H01L21/823481 , H01L21/76224 , H01L21/76232 , H01L21/823431 , H01L29/7855 , H01L29/0642 , H01L29/66795
Abstract: 用于切割基板上的鳍状场效晶体管结构的鳍状片段的切割最后的工艺，采用两步工艺。在形成鳍状物后，沉积氧化物材料于鳍状场效晶体管结构的沟槽中。氧化物材料可为浅沟槽隔离氧化物或低应力的虚置填隙材料。通过蚀刻品可移除鳍状片段，并保留凹陷状(如u型或v型)的硅部分于鳍状物底部。当氧化物材料为浅沟槽隔离氧化物时，移除鳍状物后形成的孔洞可填有替换的浅沟槽隔离氧化物。当氧化物材料为虚置的填隙材料时，可移除虚置的填隙材料以置换成浅沟槽隔离氧化物；或者将虚置的填隙材料转变成浅沟槽隔离氧化物，并在上述转变步骤之前或之后填入替换的浅沟槽隔离氧化物。
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公开(公告)号：CN118352295A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202310837178.0
申请日：2023-07-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/762 , H01L21/8234
Abstract: 本揭露是有关半导体装置的制造方法。该方法在沟槽内沉积共形材料以形成共形衬垫以及修改共形衬垫使得共形衬垫的上部较共形衬垫的下部修改得更多。沉积与修改的步骤被重复，其中共形材料在未修改的表面上的沉积率较共形材料在修改后的表面上的沉积率大，以形成实质上为V形的未填满沟槽。该方法还包含在未填满沟槽内沉积共形材料。
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公开(公告)号：CN110556340B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN201910181592.4
申请日：2019-03-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 本申请大抵上涉及半导体装置，且特别涉及形成于半导体装置中的介电材料。本申请提供以循环旋转涂布工艺形成介电材料层的方法。本申请提供半导体工艺方法与结构。在一实施例中，于基板上形成介电材料的方法包括旋转涂布介电材料的第一部分于基板上、固化在基板上的介电材料第一部分、旋转涂布介电材料的第二部分于基板上、以及热退火介电材料以于基板上形成经退火的介电材料。
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公开(公告)号：CN109216258A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810355437.5
申请日：2018-04-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/762 , H01L21/768 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本公开实施例为有关于半导体装置以及制造方法，特别为在沟槽中具有增强的间隙填充层的半导体装置。本公开实施例提供通过使用多步骤沉积和原位处理工艺形成的新颖的间隙填充层。沉积工艺可为通过使用一种或多种辅助气体以及低反应性粘附系数(RSC)分子的流动式化学气相(FCVD)沉积。处理工艺可为在沉积工艺之后的原位工艺，且包含将沉积的间隙填充层暴露于等离子体活化辅助气体，辅助气体可由氨形成。低反应性粘附系数分子可由三硅烷胺(TSA)或全氢聚硅氮烷(PHPS)形成。
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公开(公告)号：CN108987253A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201711114368.0
申请日：2017-11-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/762 , H01L21/336
Abstract: 提供半导体装置的形成方法，此方法包含执行原子层沉积工艺，以沉积介电材料于基底上，使用紫外光将沉积的介电材料硬化，以及在硬化之后，将沉积的介电材料退火。
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