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公开(公告)号:CN105990290B
公开(公告)日:2020-07-03
申请号:CN201510641267.3
申请日:2015-09-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L23/535
Abstract: 封装件包括器件管芯、具有沙漏轮廓的贯通孔和成型材料,在该成型材料中模制器件管芯和贯通孔,其中成型材料的顶面与器件管芯的顶面基本齐平。介电层覆盖成型材料和器件管芯。多条再分布线(RDL)延伸到介电层中,以电耦接至器件管芯和贯通孔。本发明还提供了封装件中的非垂直贯通孔。
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公开(公告)号:CN103872000A
公开(公告)日:2014-06-18
申请号:CN201310247742.X
申请日:2013-06-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
CPC classification number: H01L2224/06102 , H01L2924/1305 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
Abstract: 一种封装结构包括通过将位于第一衬底上的金属柱连接至位于第二衬底上的连接件从而将第一衬底接合至第二衬底。在位于第一衬底的第一区上的金属焊盘上方形成第一金属柱并且第一金属柱电连接至金属焊盘,并且在第一衬底的第二区中的钝化层上方形成第二金属柱。在金属柱和第一连接件之间形成第一焊接区,并且在第二金属柱和第二连接件之间形成第二焊接区。第一金属柱的横向尺寸大于第二金属柱的横向尺寸。本发明还提供了一种用于半导体封装件的凸块结构。
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公开(公告)号:CN110071089A
公开(公告)日:2019-07-30
申请号:CN201910209814.9
申请日:2013-06-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
Abstract: 一种封装结构包括通过将位于第一衬底上的金属柱连接至位于第二衬底上的连接件从而将第一衬底接合至第二衬底。在位于第一衬底的第一区上的金属焊盘上方形成第一金属柱并且第一金属柱电连接至金属焊盘,并且在第一衬底的第二区中的钝化层上方形成第二金属柱。在金属柱和第一连接件之间形成第一焊接区,并且在第二金属柱和第二连接件之间形成第二焊接区。第一金属柱的横向尺寸大于第二金属柱的横向尺寸。本发明还提供了一种用于半导体封装件的凸块结构及其制造方法。
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公开(公告)号:CN105990290A
公开(公告)日:2016-10-05
申请号:CN201510641267.3
申请日:2015-09-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L23/535
CPC classification number: H01L23/3128 , H01L21/486 , H01L21/568 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/04042 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/19 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2224/83 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06568 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/14 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/1436 , H01L2924/1437 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/83005 , H01L2224/45099 , H01L23/485 , H01L23/535
Abstract: 封装件包括器件管芯、具有沙漏轮廓的贯通孔和成型材料,在该成型材料中模制器件管芯和贯通孔,其中成型材料的顶面与器件管芯的顶面基本齐平。介电层覆盖成型材料和器件管芯。多条再分布线(RDL)延伸到介电层中,以电耦接至器件管芯和贯通孔。本发明还提供了封装件中的非垂直贯通孔。
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