公开(公告)号：CN111081757B

公开(公告)日：2023-04-21

申请号：CN201911007181.X

申请日：2019-10-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡国强 ,  余科京 ,  苏富祥 ,  陈羿如 ,  陈志辉

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/772 ,  H01L21/335

Abstract: 本申请涉及一种半导体装置与其制作方法。源极/漏极区位于基板中。栅极结构位于基板上。栅极间隔物位于栅极结构的侧壁上。栅极间隔物与栅极结构具有实质上类似的高度。通孔位于源极/漏极区或栅极结构上，并电性连接至源极/漏极区或栅极结构。遮罩层位于栅极间隔物上。遮罩层的介电常数大于栅极间隔物的介电常数。遮罩层的第一侧与通孔相邻。介电层位于遮罩层的第二侧上，其中遮罩层位于介电层与通孔之间。

公开(公告)号：CN111081757A

公开(公告)日：2020-04-28

申请号：CN201911007181.X

申请日：2019-10-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡国强 ,  余科京 ,  苏富祥 ,  陈羿如 ,  陈志辉

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/772 ,  H01L21/335

Abstract: 本申请涉及一种半导体装置与其制作方法。源极/漏极区位于基板中。栅极结构位于基板上。栅极间隔物位于栅极结构的侧壁上。栅极间隔物与栅极结构具有实质上类似的高度。通孔位于源极/漏极区或栅极结构上，并电性连接至源极/漏极区或栅极结构。遮罩层位于栅极间隔物上。遮罩层的介电常数大于栅极间隔物的介电常数。遮罩层的第一侧与通孔相邻。介电层位于遮罩层的第二侧上，其中遮罩层位于介电层与通孔之间。

公开(公告)号：CN113113405A

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN202110143603.7

申请日：2021-02-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡国强 ,  陈羿如 ,  陈志辉

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 本公开实施例提供一种半导体装置。半导体装置包括源极结构与漏极结构位于基板上。半导体装置还包括源极通孔电性耦接至源极结构；以及漏极通孔电性耦接至漏极结构。源极通孔具有第一尺寸，漏极通孔具有第二尺寸，且第一尺寸大于第二尺寸。半导体装置亦可包含电性耦接至源极通孔的第一金属线路，以及电性耦接至漏极通孔的第二金属线路。源极通孔的第一尺寸符合第一金属线路的尺寸，而漏极通孔的第二尺寸符合第二金属线路的尺寸。第一金属线路可鄙第二金属线路宽。

公开(公告)号：CN221427741U

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202322875600.X

申请日：2023-10-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈羿如 ,  李春霆

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

Abstract: 本公开提供一种半导体装置，包括位于基板上方并且沿着第一方向纵向延伸的叉片结构。叉片结构具有介电墙，介电墙将n型纳米结构堆叠与p型纳米结构堆叠分隔。栅极结构位于叉片结构上方，并且栅极结构沿着垂直于第一方向的第二方向纵向延伸。栅极结构与n型纳米结构堆叠及p型纳米结构堆叠直接接触，并且与介电墙直接接触。第一栅极互连位于栅极结构上方，并且与栅极结构直接接触。第一栅极通孔位于第一栅极互连上方，并且与第一栅极互连直接接触。