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实用新型
半导体装置结构有权

公开(公告)号：CN222322091U

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202420613478.0

申请日：2024-03-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈宏志 , 许哲玮 , 谢定寰 , 郭嘉豪 , 苏富祥 , 张世勋 , 吴秉骏

IPC: H10D62/10 , H10D64/20 , H10D30/60 , H10D30/01

Abstract: 本公开的实施例提供半导体装置结构。上述结构包括设置于基底上的源极/漏极区、围绕源极/漏极区的第一部的第一层间介电层、围绕源极/漏极区的第二部的不同于第一层间介电层的第二层间介电层、设置于源极/漏极区上的硅化物层以及设置于源极/漏极区上的导电接点。导电接点设置于第二层间介电层内。

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